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Ge(Li)探测器γ射线能量测量中心的几何效应

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核电子学与探测技术 1985年第5期 307-311页

作者：张明石宗仁丁大钊中国科学院原子能所

在实验中应用Ge(Li)探测器时,应确切了解测定γ射线能量的误差,这一点在各方面的应用中有重要作用。例如通过热中子(n,γ)反应研究核能级纲图时,根据Ritz原理,产生假能级的几率正比于γ射线能量的误差。因而能量误差越小,能级可靠性就... 详细信息

在实验中应用Ge(Li)探测器时,应确切了解测定γ射线能量的误差,这一点在各方面的应用中有重要作用。例如通过热中子(n,γ)反应研究核能级纲图时,根据Ritz原理,产生假能级的几率正比于γ射线能量的误差。因而能量误差越小,能级可靠性就越高。在瞬发和缓发中子活化分析中,要知道γ射线能量以便更好的分辨各种元素。 γ射线能量误差来源于;Ge(Li)探测系统输出的信号辐度与入射γ光子能量间的非线性,仪器的漂移,峰位拟合误差和几何效应引起的误差。几何效应是由于源的体积大

关键词： Ge(Li)探测器 γ射线能量几何效应

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自然γ测井中MC法模拟探测器探测深度

核电子学与探测技术 2020年第1期40卷 167-173页

作者：刘珉强杜川华赵洪超汪宏年中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 吉林大学物理学院吉林长春130012

采用MCNP模拟计算了不同γ射线能量或矿层密度下探测器的探测深度,研究γ射线能量或矿层密度的变化对探测器探测深度的影响.模拟结果表明:探测器探测深度与γ射线能量成正比,与矿层密度成反比;当矿层厚度小于探测器探测深度时,采取放射... 详细信息

采用MCNP模拟计算了不同γ射线能量或矿层密度下探测器的探测深度,研究γ射线能量或矿层密度的变化对探测器探测深度的影响.模拟结果表明:探测器探测深度与γ射线能量成正比,与矿层密度成反比;当矿层厚度小于探测器探测深度时,采取放射性成像分析地层信息的方法存在较大误差.并且通过对模型井进行放射性成像的方式阐释了此方法的可靠性.对于实验井或模型井的矿层厚度选择,可以用MCNP模拟的方法计算探测深度作为参考.

关键词： MCNP 探测器探测深度 γ射线强度矿层厚度 γ射线能量矿层密度

MC法模拟韧致辐射对屏蔽材料积累因子的影响

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核电子学与探测技术 2017年第5期37卷 478-481页

作者：刘珉强杨守文马玉刚吉林大学物理学院长春130012

本文用MCNP程序模拟计算了有无韧致辐射时屏蔽材料的积累因子,研究在不同条件下γ射线产生的次级电子的韧致辐射对积累因子的影响。模拟结果表明:低能(6 MeV)γ射线下韧致辐射对积累因子影响很大;γ射线能量越大、屏蔽厚度越大或屏蔽材... 详细信息

本文用MCNP程序模拟计算了有无韧致辐射时屏蔽材料的积累因子,研究在不同条件下γ射线产生的次级电子的韧致辐射对积累因子的影响。模拟结果表明:低能(射线下韧致辐射对积累因子影响很小,高能(>6 MeV)γ射线下韧致辐射对积累因子影响很大;γ射线能量越大、屏蔽厚度越大或屏蔽材料原子序数Z越大,韧致辐射对积累因子影响越大。并且在涉及或不涉及韧致辐射情况下,用MCNP模拟计算的积累因子与理论计算值基本一致。

关键词： MCNP 韧致辐射积累因子 γ射线能量屏蔽厚度屏蔽材料

MC法模拟轫致辐射对屏蔽材料积累因子的影响

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MC法模拟轫致辐射对屏蔽材料积累因子的影响

作者：刘珉强吉林大学

学位级别：硕士

在屏蔽设计中,选取可靠的积累因子进行计算是十分重要的,它可以在确保安全的同时,节约屏蔽材料,做到辐射防护最优化。目前,积累因子的标准参考值仅仅考虑了康普顿散射光子的贡献。实际上,γ射线的光电效应和正负电子对效应等物理过程产... 详细信息

在屏蔽设计中,选取可靠的积累因子进行计算是十分重要的,它可以在确保安全的同时,节约屏蔽材料,做到辐射防护最优化。目前,积累因子的标准参考值仅仅考虑了康普顿散射光子的贡献。实际上,γ射线的光电效应和正负电子对效应等物理过程产生的次级电子的轫致辐射同样对积累因子有着重要贡献。由于γ射线能量变化、屏蔽厚度变化或屏蔽材料变化均会影响次级电子韧致辐射对积累因子的贡献,所以研究不同条件下轫致辐射对积累因子的影响程度对屏蔽防护的应用具有现实意义。蒙特卡洛程序MCNP具有各种粒子的截面数据库,能够真实地模拟粒子输运过程中的实际物理过程,且可以利用phys卡在物理过程中进行轫致辐射选择,因此本文用MCNP程序计算:(1)屏蔽厚度为一个自由程、材料为Pb,不同γ射线能量(0.5、1、1.5、2、3、4、5、6、8、10 MeV)下有无轫致辐射时宽束γ射线照射量和窄束γ射线照射量;(2)γ射线能量为10 Me V、屏蔽材料为Pb,不同屏蔽厚度(μd=1、2、4、7、10)下有无轫致辐射时宽束γ射线照射量和窄束γ射线照射量;(3)γ射线能量为10 Me V、屏蔽厚度为一个自由程,γ射线在Al、Fe、Cu、Pb中有无轫致辐射时宽束γ射线照射量和窄束γ射线照射量。进而得到不同条件下有无轫致辐射时的照射量积累因子,并把结果与理论计算得到的积累因子作比较。通过分析γ射线产生的次级电子的轫致辐射对积累因子的贡献与γ射线能量、屏蔽厚度或屏蔽材料的原子序数Z的关系,可得出以下结论:(1)对一个自由程的Pb,低能(射线下轫致辐射对积累因子影响很小,小于2%;高能(>6 Me V)γ射线下轫致辐射对积累因子的影响显著,大于10%。(2)γ射线产生的次级电子的韧致辐射对积累因子的影响程度与γ射线能量、屏蔽厚度或屏蔽材料的原子序数Z成正相关关系。(3)在工程应用中对于屏蔽体中考虑轫致辐射的积累因子,可以用MCNP模拟的方法计算作为参考。

关键词： MCNP 轫致辐射积累因子 γ射线能量屏蔽厚度屏蔽材料

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^(189)W的衰变

科学技术与工程 2006年第6期6卷 743-745页

作者：徐岩冰丁华杰杨维凡袁双贵牛雁宁中国科学院近代物理研究所兰州730000

给出了迄今为止实验中测得的新发现的189W的衰变数据——射线能量、半衰期和相对强度等,作为文献值;并将实验结果同文献值进行了比较。

关键词： ^189W 半衰期 γ射线能量相对强度

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^(189)W衰变纲图

科学技术与工程 2006年第16期6卷 2529-2531页

作者：徐岩冰杨维凡袁双贵丁华杰赵之正牟万统中国科学院近代物理研究所兰州730000

用14.8 MeV中子同天然锇反应, 取道192O(n, α) 反应产生189W。通过放射化学分离流程, 从反应产物中分出W。用高纯Ge探测器完成放射性W样品γ射线单谱的测量。在189Re激发能级文献值的基础上并依据衰变和能级的关系以及189W衰变的γ射... 详细信息

用14.8 MeV中子同天然锇反应, 取道192O(n, α) 反应产生189W。通过放射化学分离流程, 从反应产物中分出W。用高纯Ge探测器完成放射性W样品γ射线单谱的测量。在189Re激发能级文献值的基础上并依据衰变和能级的关系以及189W衰变的γ射线能量和相对强度的实验数据, 给出了建议的189W衰变纲图。

关键词： 189^W 189Re γ射线能量激发能级衰变纲图