检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅掺杂碳靶材的制备及溅射薄膜生长模式分析

稀有金属材料与工程 2020年第12期49卷 4207-4214页

作者：白雪刘宇阳王星奇桂涛杨磊王星明储茂友有研资源环境技术研究院(北京)有限公司北京100088

以石墨、碳化硅、硅粉体为原料,采用预处理工艺得到复合原料粉体,热压烧结制备C/Si 80/20 at%靶材。将制备的靶材在不同基片上溅射镀膜,分析薄膜的形貌及其生长模式。通过扫描电镜观察微观形貌、四探针测试电阻率、XRD结合拉曼光谱分析... 详细信息

以石墨、碳化硅、硅粉体为原料,采用预处理工艺得到复合原料粉体,热压烧结制备C/Si 80/20 at%靶材。将制备的靶材在不同基片上溅射镀膜,分析薄膜的形貌及其生长模式。通过扫描电镜观察微观形貌、四探针测试电阻率、XRD结合拉曼光谱分析晶体结构,结果如下:(1)石墨和硅粉球磨混合48 h可获得Si元素均匀分布的C/Si复合粉体;该粉体在1900℃下真空热处理时,C/Si通过互扩散生成等轴晶3C-sic;(2)不同粒径的β-sic粉体在1900℃真空热处理时,颈部生长速率和晶体结构转变存在显著差异。在高温下,纳米β-sic粉体蒸气压高,颈部增长速率快,通过蒸发-凝聚再结晶后可获得球形度良好的3C-sic微米颗粒;(3)以C/Si/sic 70/10/10 at%及C/Si 60/20 at%2种粉体为原料,采用球磨和高温真空热处理得到预处理粉体并热压制备C/Si 80/20 at%靶材,结果表明:与C/sic 60/20 at%二元组分体系相比,三元组分预处理粉体制备靶材的均匀性好,平均电阻率3.9 mΩ·cm,极差0.59 mΩ·cm,密度2.35 g/cm^3,石墨化度0.17,石墨晶体完整性好;(4)将制备的C/Si80/20at%靶材分别在硅片、玻璃以及陶瓷基片上磁控溅射制备类金刚石薄膜,结果发现:在Si基体表面薄膜呈纵向生长模式,膜层微粒小于20nm;在玻璃基体表面膜层呈层状生长模式且结合紧密;在陶瓷基体表面薄膜呈片状生长模式,膜层由微米级颗粒结合组成,与陶瓷基体的微观组织相似。

关键词： C/Si 靶材 β-sic 热处理热压

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

加入Si粉对低碳铝镁碳材料性能的影响

耐火材料 2007年第4期41卷 245-248页

作者：李友胜张唐文鲍家兴李楠朱万政武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室武汉430081 维苏威高级陶瓷(苏州)有限公司浙江大学中钢集团洛阳耐火材料研究院

以82%（质量分数,下同）的电熔白刚玉（3-0.088mm）、10%的镁铝尖晶石（≤0.088mm）、5%的氧化铝微粉（d50=2.4μm）、3%的电熔镁砂（≤0.088mm）以及占总粉体质量5%的酚醛树脂结合剂为基础配方,分别用2%、4%、6%的Si粉（≤0.088mm）取... 详细信息

以82%（质量分数,下同）的电熔白刚玉（3-0.088mm）、10%的镁铝尖晶石（≤0.088mm）、5%的氧化铝微粉（d50=2.4μm）、3%的电熔镁砂（≤0.088mm）以及占总粉体质量5%的酚醛树脂结合剂为基础配方,分别用2%、4%、6%的Si粉（≤0.088mm）取代等量的白刚玉,分别于1400℃3h和1600℃3h埋炭烧成后制备了不同Si粉含量的低碳铝镁碳材料,对材料的显气孔率、体积密度、强度、抗热震性、抗氧化性及抗渣性进行了检测,并借助XRD、SEM和EDAX研究了材料的物相组成和显微结构。结果表明：随着Si粉加入量的增加,经1400℃3h和1600℃3h埋炭烧成后,材料的体积密度逐渐降低,显气孔率增大,耐压强度明显提高（但Si粉加入量超过4%后材料的耐压强度有所降低）,高温抗折强度（1400℃）逐渐提高,抗热震性得到改善,抗氧化性能增强,抗渣性能明显提高。材料性能的这种变化主要同材料中酚醛树脂的残碳与Si粉原位生成β-sic,以及材料气孔中有Mg-Si-Al-O-N物相生成相关。

关键词：铝镁碳材料原位反应 β-sic 物理性能抗氧化性抗渣性

先驱体法制备连续Si-Fe-C-O吸波纤维的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

航空材料学报 2006年第2期26卷 33-36页

作者：陈志彦王军李效东王应德国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室长沙410073

用聚二甲基硅烷和二茂铁合成聚铁碳硅烷,经多孔熔融纺丝、预氧化、连续烧成,制得电阻率低至10-2Ω· cm,拉伸强度可达2．0GPa,长度大于500m的连续Si—Fe—C-O纤维,这种纤维在8～18GHz范围内具有较好的吸收雷达波性能。研究铁对Si-Fe—C-... 详细信息

用聚二甲基硅烷和二茂铁合成聚铁碳硅烷,经多孔熔融纺丝、预氧化、连续烧成,制得电阻率低至10-2Ω· cm,拉伸强度可达2．0GPa,长度大于500m的连续Si—Fe—C-O纤维,这种纤维在8～18GHz范围内具有较好的吸收雷达波性能。研究铁对Si-Fe—C-O纤维电阻率和β-sic结晶的影响:铁含量的增加有利于β-sic晶粒的增长和电阻率的降低。

关键词：连续Si-Fe-C-O纤维吸波材料电阻率电磁参数 β-sic

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Si-C-Fe-O功能陶瓷纤维的制备

材料科学与工程学报 2005年第4期23卷 487-490页

作者：陈志彦王军李效东王应德胡天娇国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室湖南长沙410073

本文采用低分子量的聚硅烷(LPS)和二茂铁合成出聚铁碳硅烷(PFCS),后者经熔融纺丝、预氧化、烧成,可制得电阻率低至10-2Ω·cm的Si-C-Fe-O纤维。在预氧化过程中,Si-H反应程度增加的同时纤维的重量增加。研究了二茂铁对纤维电阻率和β-Si... 详细信息

本文采用低分子量的聚硅烷(LPS)和二茂铁合成出聚铁碳硅烷(PFCS),后者经熔融纺丝、预氧化、烧成,可制得电阻率低至10-2Ω·cm的Si-C-Fe-O纤维。在预氧化过程中,Si-H反应程度增加的同时纤维的重量增加。研究了二茂铁对纤维电阻率和β-sic结晶的影响:二茂铁用量的增加有利于β-sic晶粒的增长和电阻率的降低。

关键词： Si-C-Fe-O纤维预氧化电阻率 β-sic 制备聚硅烷二茂铁聚铁碳硅烷

以酚醛树脂和硅藻土为原料低温催化反应合成碳化硅粉体

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

稀有金属材料与工程 2018年第S1期47卷 95-98页

作者：王军凯邓先功张海军韩磊李赛赛宋健波武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室湖北武汉430081

以工业硅藻土(DE)和酚醛树脂(PF)为原料,Ni(NO_3)_2·6H_2O为催化剂前驱体,采用催化反应的方法制备了碳化硅粉体。研究了反应温度、反应时间和催化剂用量等对合成碳化硅粉体的影响,采用XRD、SEM和TEM分析了产物的物相组成和显微结构。... 详细信息

以工业硅藻土(DE)和酚醛树脂(PF)为原料,Ni(NO_3)_2·6H_2O为催化剂前驱体,采用催化反应的方法制备了碳化硅粉体。研究了反应温度、反应时间和催化剂用量等对合成碳化硅粉体的影响,采用XRD、SEM和TEM分析了产物的物相组成和显微结构。结果表明:当添加1.5%(质量分数,下同)的Ni作催化剂时,1400℃保温3 h后即可合成纯相的β-Si C;相比之下,无催化剂存在时,1400℃反应3 h后β-Si C的产率仅为17%;所合成的β-Si C为颗粒状,其粒径大部分在100 nm以下。

关键词：硅藻土 β-sic 催化反应低温合成

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

灰分对煤基碳化硅形貌的影响

材料科学与工程学报 2018年第3期36卷 465-469页

作者：张娜詹海鹃王康毕淑娴马保军刘万毅宁夏大学化学化工学院宁夏银川750021 宁夏大学能源化工重点实验室宁夏银川750021

以灰分含量不同的碳源和工业级白炭黑为反应原料,采用碳热还原法,制备出具有不同尺寸、不同形貌的β-sic颗粒,并对其进行表征。结果表明:在1600℃氩气气氛中,当采用石墨碎(灰分≤0.02%)为碳源时,出现两相sic,随着碳源灰分的增加,产品呈... 详细信息

以灰分含量不同的碳源和工业级白炭黑为反应原料,采用碳热还原法,制备出具有不同尺寸、不同形貌的β-sic颗粒,并对其进行表征。结果表明:在1600℃氩气气氛中,当采用石墨碎(灰分≤0.02%)为碳源时,出现两相sic,随着碳源灰分的增加,产品呈单相β-sic,进一步增加碳源灰分,β-sic的晶粒尺寸和颗粒尺寸也增加。不同灰分条件下,单相和两相sic的出现表明:灰分的增加有利于相变的发生,且其含量对碳化硅的相变有很大的影响。

关键词：灰分 β-sic 碳热还原法晶粒尺寸

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化硅合成中扩散动力学机制研究与探讨

西安科技大学学报 2010年第2期30卷 212-216,231页

作者：王晓刚刘向春李晓池樊子民田欣伟西安科技大学材料科学与工程学院陕西西安710054

对采用多热源技术工业合成sic中扩散动力学机制进行了研究与探讨。论述了工业中供电制度对物质扩散动力学的影响,进而从理论上探讨了供电制度对能耗水平及产品品质的重要影响,以及原料颗粒大小与反应动力学之间的关系,以期促进我国这类... 详细信息

对采用多热源技术工业合成sic中扩散动力学机制进行了研究与探讨。论述了工业中供电制度对物质扩散动力学的影响,进而从理论上探讨了供电制度对能耗水平及产品品质的重要影响,以及原料颗粒大小与反应动力学之间的关系,以期促进我国这类产业步入合理的能耗水平、高质量产品和高效率生产轨道,从根本上提升产业的科学技术水平,增强产品市场竞争力。

关键词：碳化硅 β-sic 扩散动力学

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化硅陶瓷热压烧结性能的研究

中国陶瓷 2014年第4期50卷 11-14页

作者：王晓刚崔佳刘银波吴行健王嘉博西安科技大学材料科学与工程学院西安710054 广东东鹏陶瓷股份有限公司佛山528000

实验采用α-sic、β-sic粉体为原料,B4C为烧结助剂,热压烧结制备sic陶瓷。以烧结温度、保温时间、烧结压力为影响因素,设计正交试验,分析三者对sic陶瓷烧结特性与显微结构的影响规律。研究结果表明:在烧结温度1900℃、保温时间60 min及... 详细信息

实验采用α-sic、β-sic粉体为原料,B4C为烧结助剂,热压烧结制备sic陶瓷。以烧结温度、保温时间、烧结压力为影响因素,设计正交试验,分析三者对sic陶瓷烧结特性与显微结构的影响规律。研究结果表明:在烧结温度1900℃、保温时间60 min及烧结压力50 MPa的烧结条件下可以获得致密度为99.2%的sic陶瓷,当添加10%的β-sic后,陶瓷生成大量长柱状颗粒,同时断裂韧性和抗弯强度亦有所提高,但因固相烧结不存在弱界面结合,故对sic陶瓷整体性能的增强有限。

关键词：热压烧结 β-sic 抗弯强度断裂韧性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化硅的常压烧结及其熔盐侵蚀行为

碳化硅的常压烧结及其熔盐侵蚀行为

作者：李柏顺东北大学

学位级别：硕士

sic陶瓷以其优良的性能,广泛应用于机械、化工、能源、军工等领域,并以其独特的耐高温、耐氧化、耐腐蚀性能,成为在各种苛刻条件下(如高温、腐蚀和辐射环境下)工作零件的首选材料之一。无压烧结碳化硅由于其产品纯度高、成本低、易于工... 详细信息

sic陶瓷以其优良的性能,广泛应用于机械、化工、能源、军工等领域,并以其独特的耐高温、耐氧化、耐腐蚀性能,成为在各种苛刻条件下(如高温、腐蚀和辐射环境下)工作零件的首选材料之一。无压烧结碳化硅由于其产品纯度高、成本低、易于工业化生产,被认为是碳化硅陶瓷最有前途的烧结方法。以碳和碳化硼为烧结助剂的无压烧结碳化硅,因其晶界处没有玻璃相的存在,其强度在1600℃下不发生变化。但是不能否认的是当其在这些场合使用时,自身也会受到一定程度的腐蚀,如:高温氧化、硫化物(SOx)与氮化物(NOx)气体产物凝聚相沉积物(包括碱金属硫酸盐、碳酸盐等)的腐蚀,这些都会影响sic的使用性能,尤其是高温下的熔盐腐蚀,往往会造成构件快速失效,因此,研究碳化硅的耐熔盐腐蚀性能具有十分重要的意义。本文在α-sic微粉原粉中添加一定含量的β-sic微粉,以碳化硼和碳为烧结助剂,进行碳化硅常压烧结,对原粉中不同的β-sic含量的烧结体性能进行研究比较,并总结出以α-sic微粉为原粉中添加不同含量β-sic微粉对固相烧结碳化硅陶瓷性能的影响。同时研究以碳和碳化硼为烧结助剂的无压烧结碳化硅(SASC(B,C))1000℃下分别在碳酸钠和硫酸钠中的熔盐腐蚀行为。本文得到的结论为: (1) SASC(B,C)烧结中在α-sic微粉原粉中添加一定含量的β-sic微粉,无益于SASC(B,C)材料力学性能的提高。 (2) SASC(B,C)陶瓷在碳酸钠熔盐中的腐蚀主要包括2个阶段:腐蚀初期二氧化硅氧化膜溶解后SASC(B,C)的快速腐蚀阶段与后期碳酸钠消耗殆尽后二氧化硅固相保护膜形成的慢速腐蚀阶段。腐蚀过程中造成SASC(B,C)表面大量的坑蚀,材料的强度随之降低。 (3) SASC(B,C)的碳酸钠熔盐腐蚀的动力学曲线可以说明SASC(B,C)的熔盐腐蚀过程受氧在液相膜的扩散控制。 (4) SASC(B,C)的硫酸钠熔盐腐蚀由于自循环腐蚀机制的发生,SASC(B,C)在硫酸钠的熔盐腐蚀的程度很严重。 (5) SASC(B,C)在硫酸钠熔盐腐蚀后抗弯强度下降严重,腐蚀2小时后抗弯强度下降52%,腐蚀4小时后抗弯强度下降72%。本文的实验对于SASC(B,C)的应用具有重要的实际意义。

关键词： SASC(B,C) α-sic β-sic 熔盐腐蚀扩散控制