检索结果-南通市图书馆

技术与市场 2002年第8期9卷 25-25页

利用太阳能发电不产生污染和噪音,加上其他一些不可替代的优越性,其研究与开发受到了人们的普遍重视。特别是非晶硅太阳电池,由于具有廉价、便于大规模生产等优点,引起人们极大的兴趣和关注。

关键词：非晶硅太阳电池太阳能利用效率生产技术

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非晶硅太阳电池

太阳能 1982年第4期 15-15页

作者：李仲明

太阳电池能把光能直接转变成电能,而电能又易于输送和利用,所以各国对太阳电池的研制极为重视。七十年代中期,非晶硅太阳电池问世,它具有工艺简单、原料省、耗能少、成本低以及能制成大面积等优点,为大规模应用太阳电池展现了美好的前景... 详细信息

太阳电池能把光能直接转变成电能,而电能又易于输送和利用,所以各国对太阳电池的研制极为重视。七十年代中期,非晶硅太阳电池问世,它具有工艺简单、原料省、耗能少、成本低以及能制成大面积等优点,为大规模应用太阳电池展现了美好的前景,很有希望成为新一代太阳电池产品。非晶硅在结构、光学性质及电学性质方面与单晶硅不同。非晶硅中硅原子的排列不象单晶硅中那样有规律,但却象单晶硅中的原子伸有四只“手”(键)。然而,非晶硅中原

关键词：非晶硅太阳电池原子分子非晶硅电池单晶硅

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非晶硅太阳电池宽光谱陷光结构的优化设计

物理学报 2013年第24期62卷 306-311页

作者：贾玉坤杨仕娥郭巧能陈永生郜小勇谷锦华卢景霄郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室郑州450052

陷光是改善薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一.以非晶硅(α-Si)薄膜太阳电池为例,设计了一种新的复合陷光结构:在Ag背电极与硅薄膜之间制备一维Ag纳米光栅,并通过保形生长在电池前表面沉积织构的减反膜.采用有限元数值模... 详细信息

陷光是改善薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一.以非晶硅(α-Si)薄膜太阳电池为例,设计了一种新的复合陷光结构:在Ag背电极与硅薄膜之间制备一维Ag纳米光栅,并通过保形生长在电池前表面沉积织构的减反膜.采用有限元数值模拟方法,研究了该复合陷光结构对电池光吸收的影响,并对Ag纳米光栅的结构参数进行了优化.模拟结果表明:该复合陷光结构可在宽光谱范围内较大地提高太阳电池的光吸收;当Ag纳米光栅的周期P为600 nm,高度H为90 nm,宽度W为180 nm时,在AM1.5光谱垂直入射条件下α-Si薄膜电池在300—800 nm波长范围内总的光吸收较无陷光结构的参考电池提高达103%,其中在650—750 nm长波范围内的光子吸收率提高达300%以上.结合电场强度分布,对电池在各个波段光吸收提高的物理机制进行了分析.另外,该复合陷光结构的引入,还较大地改善了非晶硅电池对太阳光入射角度的敏感性.

关键词：非晶硅太阳电池陷光银纳米光栅数值模拟

非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究

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无机材料学报 2008年第5期23卷 1064-1066页

作者：朱嘉琦卢佳田桂檀满林耿达哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所哈尔滨150080 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司沈阳110168

以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太... 详细信息

以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比p型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上.

关键词：非晶金刚石薄膜非晶硅太阳电池 p型掺杂转化效率

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非晶硅太阳电池用Ag背反镜的吸收损耗

人工晶体学报 2016年第3期45卷 661-666页

作者：陆晓东王泽来宋扬赵洋张金晶渤海大学新能源学院锦州121000

利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸... 详细信息

利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的非晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型非晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰的峰值大于平板型非晶硅电池的吸收峰峰值。

关键词：非晶硅太阳电池背反射镜吸收损耗频域有限差分法

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非晶硅太阳电池的性能与结构参数的关系

北京师范大学学报（自然科学版） 1999年第3期35卷 361-365页

作者：温亮生姬成周张富祥赵玉文北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京市太阳能研究所北京100083

在***和PorponthSichanugrist等人工作的基础上，用平均场区域近似（UMtA）方法，对p-i-na－Si：H薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系．短路电流密度先随厚度的增加而增加，在1μm左右达到最大值，... 详细信息

在***和PorponthSichanugrist等人工作的基础上，用平均场区域近似（UMtA）方法，对p-i-na－Si：H薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系．短路电流密度先随厚度的增加而增加，在1μm左右达到最大值，而后将减小，但减小得不多．开路电压基本上不随本征层厚度变化．填充因子随本征层厚度一直减小，从厚度0.1μm时的0.888下降到厚度1.8μm时的0.365．而效率则在厚度为0.5μm时达到最大值，并且从计算结果可以看出，厚度在0.～0.8μm时，转化效率都比较高．

关键词：非晶硅太阳电池平均场区域近似结构参数

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非晶硅太阳电池作为空间能源的性能特点

电源技术 2003年第1期27卷 50-53页

作者：郑君王冬松胡宏勋上海交通大学国飞绿色能源有限公司上海200030

总结了非晶硅太阳电池在器件物理、制造工艺、大规模生产和应用方面所取得的重大进展。文章分析了非晶硅太阳电池作为空间能源系统技术上的主要优势;很高的质量比功率和可弯曲特性;极好的抗辐照性能;良好的高温性能;较高的空间效率和低... 详细信息

总结了非晶硅太阳电池在器件物理、制造工艺、大规模生产和应用方面所取得的重大进展。文章分析了非晶硅太阳电池作为空间能源系统技术上的主要优势;很高的质量比功率和可弯曲特性;极好的抗辐照性能;良好的高温性能;较高的空间效率和低的制造成本,这是其它太阳电池不具有的优势,使得非晶硅太阳电池能源系统在低成本通信卫星、平流层气球通讯平台,以及空间太阳能电站应用领域内具有较强的竞争力。

关键词：非晶硅太阳电池空间能源性能特点

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非晶硅太阳电池中吸收层的氢稀释微控作用

内蒙古大学学报（自然科学版） 2020年第5期51卷 525-530页

作者：盛子纶史鹏飞善奇钟柯杜浩李天天内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室呼和浩特010021

基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备非晶硅太阳电池,通过微量调节氢稀释(RH),研究其对本征非晶硅吸收层的光学带隙及微结构的影响。实验结果显示当RH由6.5增加到10时,本征非晶硅吸收层的光学带隙由1.796eV提高到1.973eV,电池... 详细信息

基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备非晶硅太阳电池,通过微量调节氢稀释(RH),研究其对本征非晶硅吸收层的光学带隙及微结构的影响。实验结果显示当RH由6.5增加到10时,本征非晶硅吸收层的光学带隙由1.796eV提高到1.973eV,电池效率随RH的降低先升高后降低。并在RH=7时达到最大值,此时的本征非晶硅薄膜的光学带隙约为1.836eV,其电池效率达到8.4%(Voc=897.2mV,Jsc=14.86mA/cm2,FF=62.96%)。实验表明RH的提高并不能单调增加电池的效率。通过对微结构的分析发现,这主要是由于RH过低或过高时,其Si-H2键成分比例较高,微结构因子R较大,使得薄膜中缺陷较多所引起电池恶化导致的。

关键词： PECVD 氢稀释微结构非晶硅太阳电池

电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响

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人工晶体学报 2007年第1期36卷 152-156页

作者：孙建薛俊明侯国付王锐张德坤赵颖耿新华南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071

本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增... 详细信息

本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。

关键词：电阻蒸发 Al背电极非晶硅太阳电池

非晶硅太阳电池背反射电极ZnO∶B薄膜研究

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半导体技术 2013年第11期38卷 863-868页

作者：柳建平雷青松杨瑞霞鞠洪超薛俊明河北工业大学信息工程学院天津300401 河北汉盛光电科技有限公司河北衡水053000

摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长技术，以H：O和二乙基锌（Zn（CH2）2）为反应源，硼烷（B2H6，氢气稀释为1％）为掺杂气体，在面积为23cm×23em的普通玻璃衬底上生长ZnO：B薄膜，分析各工艺参数对薄膜光电特性的影响。... 详细信息

摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长技术，以H：O和二乙基锌（Zn（CH2）2）为反应源，硼烷（B2H6，氢气稀释为1％）为掺杂气体，在面积为23cm×23em的普通玻璃衬底上生长ZnO：B薄膜，分析各工艺参数对薄膜光电特性的影响。结果表明：衬底温度对ZnO：B薄膜的透过率影响显著，其次是反应压力，B：H。掺杂量对透过率影响较小，但是对电阻率影响十分明显。通过优化工艺条件，在衬底温度为185℃，反应压力为0．5torr（1torr=133．3Pa），B，H。流量为4cm3／min下获得了厚度为580nm、在400～800nm光谱范围内透过率大于85％、电阻率为2．78×1013Q·cm的ZnO：B薄膜。将该ZnO：B薄膜作为背反射电极应用于大面积（23（31／1×23cm）非晶硅及硅锗太阳电池后，可使电池短路电流密度分别增加2．82和1．5mA／em。．

关键词： ZnO∶B 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 背反射电极光电特性非晶硅太阳电池