检索结果-南通市图书馆

一种高隔离度的双阻带超宽带MIMO天线设计

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电子元件与材料 2019年第9期38卷 71-76页

作者：杜成珠马天驰焦哲晶上海电力大学电子与信息工程学院

针对无线通信系统中的超宽带传输要求,设计了一种以FR4为基板的高隔离度的双阻带超宽带MIMO天线。天线由两个辐射单元组成,两个天线辐射单元结构相同,采用了微带馈电的馈电方式。该MIMO天线单元为U型的超宽带单极子天线,通过在天线单元... 详细信息

针对无线通信系统中的超宽带传输要求,设计了一种以FR4为基板的高隔离度的双阻带超宽带MIMO天线。天线由两个辐射单元组成,两个天线辐射单元结构相同,采用了微带馈电的馈电方式。该MIMO天线单元为U型的超宽带单极子天线,通过在天线单元上刻制两个U型槽,使得在天线的工作频率上添加了用于WiMAX和WLAN的阻带。在两个单元天线中间,引入了一条T型地板枝节作为隔离结构,用于改善MIMO天线的隔离度。经网络矢量分析仪测试结果表明,该天线覆盖在2.44~10.75GHz,且隔离度全部低于-22dB,拥有较高的隔离度,最大增益为6.76dB,在实际工程应用当中可以满足UWB无线通信的要求。

关键词： MIMO天线超宽带天线双阻带隔离度 U型槽 T型地板枝节

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机载天线间隔离度计算

弹箭与制导学报 2005年第S7期25卷 355-357页

作者：冯晓林郭平凡王东升王宏飞行试验研究院西安710089

采用了典型几何体对飞机进行建模.利用(MOM)和几何绕射理论(GTD)分析研究了机载天线间的互耦,对路径损耗进行了计算,并对机载天线间的隔离度进行了分析计算。

关键词：隔离度互阻抗矩量法几何绕射理论

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高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关

半导体技术 2006年第4期31卷 290-294页

作者：蔡洁廖小平朱健东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096

利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关。通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的... 详细信息

利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关。通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开关的阈值电压小于20V;通过对其匹配设计改善开关的高频性能,HFSS软件模拟的结果表明,在DC～20GHz整个频带内,开关的插入损耗优于-0.1dB,反射损耗低于-30dB,隔离度低于-20dB,在谐振点处隔离度能达到-40dB。

关键词： MEMS 双膜桥阈值电压插入损耗反射损耗隔离度

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一种宽带高隔离度SPDT开关的设计与实现

工程设计学报 2006年第5期13卷 325-328页

作者：张晨新麻来宣梁建刚龙戈农空军工程大学导弹学院陕西三原713800

采用多个P IN管设计并制作了一种串/并联结构的宽带高隔离度微带单刀双掷(s ing le po le doub le throw,SPDT)开关.首先建立了所用型号的P IN管开路、短路的等效电路模型;然后借助于CAD软件Serenade进行了电路仿真和参数优化,得到了很... 详细信息

采用多个P IN管设计并制作了一种串/并联结构的宽带高隔离度微带单刀双掷(s ing le po le doub le throw,SPDT)开关.首先建立了所用型号的P IN管开路、短路的等效电路模型;然后借助于CAD软件Serenade进行了电路仿真和参数优化,得到了很好的仿真结果;最后设计出电路制版图并制作了经济实用的微带开关,经过实验测量达到了技术指标要求.

关键词：宽带单刀双掷开关插损隔离度

高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计

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半导体技术 2009年第3期34卷 251-253,265页

作者：孙建海崔大付张璐璐中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080

接触式与电容耦合式两类RFMEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求。为了获得全波段高隔离度RFMEMS开关,单元开关很难达到要求,在此目标要求下,提出了组合式RFMEMS开关的设计,分... 详细信息

接触式与电容耦合式两类RFMEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求。为了获得全波段高隔离度RFMEMS开关,单元开关很难达到要求,在此目标要求下,提出了组合式RFMEMS开关的设计,分别利用HFSS软件对各单元进行结构参数优化,再将两者集成在一起,得到的组合式RFMEMS开关,这种组合式开关在0～20GHz时隔离度都高于-60dB,在(≤5GHz),隔离度高于-70dB,这是一般单元开关及其他半导体固态开关所无法企及的,而且,在DC～20GHz范围内,开关的插入损耗小于-0.20dB,而且并没因隔离度的提高,牺牲了插入损耗。

关键词：组合式射频微电子机械系统开关插入损耗隔离度微波控制系统

雷达导引头隔离度寄生回路对制导回路影响研究

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弹箭与制导学报 2015年第4期35卷 27-30页

作者：李娜冯星李强夏群利空间物理重点实验室北京100076 中航工业洛阳电光设备研究所河南洛阳471009 北京理工大学宇航学院北京100081

为了分析雷达导引头隔离度对制导回路的影响,提出了考虑隔离度相位滞后的寄生回路模型,利用无量纲化方法分析了不同相位滞后对隔离度寄生回路稳定性的影响,确定了正反馈比负反馈具有更小的稳定域,而最小稳定域出现在滞后为-90°^-180°... 详细信息

为了分析雷达导引头隔离度对制导回路的影响,提出了考虑隔离度相位滞后的寄生回路模型,利用无量纲化方法分析了不同相位滞后对隔离度寄生回路稳定性的影响,确定了正反馈比负反馈具有更小的稳定域,而最小稳定域出现在滞后为-90°^-180°之间并进一步确定了滞后超过-90°时稳定特性与正反馈情况相似。该结论在工程应用中对提高制导回路稳定性具有重要意义。

关键词：导引头隔离度相位滞后寄生回路稳定性

高隔离度的双极化口径耦合微带单元与阵列天线

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上海大学学报（自然科学版） 2007年第1期13卷 10-13页

作者：梁仙灵钟顺时汪伟上海大学通信与信息工程学院上海200072

提出一种新型的双极化微带贴片单元与其阵列设计，该单元采用一对相互垂直的“H”形缝隙作口径耦合馈电，获得了良好的端口隔离度（在工作频带8．8～9．8GHz内实测值大于42dB）．该结构用于SAR系统天线的子阵设计时，其网络布置较为简... 详细信息

提出一种新型的双极化微带贴片单元与其阵列设计，该单元采用一对相互垂直的“H”形缝隙作口径耦合馈电，获得了良好的端口隔离度（在工作频带8．8～9．8GHz内实测值大于42dB）．该结构用于SAR系统天线的子阵设计时，其网络布置较为简单．基于此设计，研制了八单元直线阵列天线，理论仿真和实验相当吻合，不但测得高的端口隔离度（〉30dB），而且实测的交叉极化特性很好（〈-32．5dB）．

关键词：微带天线阵列双极化口径耦合隔离度

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高隔离度低交叉极化DRA单元设计

微波学报 2014年第1期30卷 39-42页

作者：司文孔令兵钟顺时上海商学院信息与计算机学院上海201400 上海航天电子技术研究所上海201109 上海大学通信与信息工程学院上海200444

主要阐述了一种高隔离度低交叉极化双极化介质谐振器天线的设计方法,通过采用U形和H形混合缝隙馈电,该天线实测隔离度优于46.8dB,两个极化的实测带宽大于12.5%(V端口S11小于-10dB的实测阻抗带宽是5.36～6.08GHz,相对带宽约为12.8%;而H... 详细信息

主要阐述了一种高隔离度低交叉极化双极化介质谐振器天线的设计方法,通过采用U形和H形混合缝隙馈电,该天线实测隔离度优于46.8dB,两个极化的实测带宽大于12.5%(V端口S11小于-10dB的实测阻抗带宽是5.36～6.08GHz,相对带宽约为12.8%;而H端口的为5.47～6.2GHz,相对带宽约为12.5%),交叉极化电平分别低于-21.4 dB和-18.1dB。

关键词：介质谐振器天线双极化隔离度交叉极化

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机载雷达综合网络射频通道隔离度改进研究

现代雷达 2021年第5期43卷 85-89页

作者：刘垄张成浩南京电子技术研究所南京210039

为了改进机载雷达综合网络射频通道之间的射频隔离度,文中根据射频通道之间的耦合模式分析和仿真计算提出了两种改进措施以抑制射频信号间的耦合效应。改进后综合网络射频通道间的隔离度提高了约20 dB,满足雷达阵面使用要求。针对机载... 详细信息

为了改进机载雷达综合网络射频通道之间的射频隔离度,文中根据射频通道之间的耦合模式分析和仿真计算提出了两种改进措施以抑制射频信号间的耦合效应。改进后综合网络射频通道间的隔离度提高了约20 dB,满足雷达阵面使用要求。针对机载雷达严苛的环境条件,进一步改进了综合网络射频印制板的设计和射频连接器的设计,使之通过了机载环境试验考核,该方法可以广泛用于工程实践中。

关键词：机载雷达射频网络隔离度环境试验