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高能带电粒子库仑对数量子力学效应研究

强激光与粒子束 2007年第7期19卷 1226-1228页

作者：李承跃邓柏权彭利林电子科技大学物理电子学院成都610054 核工业西南物理研究院成都610041

先进燃料D-3He聚变产生的高能带电粒子在本底等离子体中慢化时间的准确性直接影响到能量平衡和高能离子压强的计算结果。结果表明:高能带电粒子与本底等离子体的离子相互作用的库仑对数量子力学效应明显。应使用高能带电粒子库仑对数力... 详细信息

先进燃料D-3He聚变产生的高能带电粒子在本底等离子体中慢化时间的准确性直接影响到能量平衡和高能离子压强的计算结果。结果表明:高能带电粒子与本底等离子体的离子相互作用的库仑对数量子力学效应明显。应使用高能带电粒子库仑对数力学效应来研究聚变产生的高能端部粒子慢化过程;能量大于等于25Zi2Z2tAtkeV的高能粒子与本底等离子体中离子的相互作用库仑对数最好也使用量子截断。

关键词：高能带电粒子库仑对数量子力学效应慢化

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非耗散介观含源电路的量子力学效应(英文)

光子学报 1997年第12期26卷 1057-1060页

作者：于肇贤张德兴刘业厚胜利油田职工大学东营257004 大庆石油学院安达151400 重庆石油高等专科学校重庆630042

本文对非耗散介观含源电路的量子力学效应进行了详细研究．导出了非耗散介观含源电路在压缩真空态下其电荷和电流的量子零点涨落，并得到了该电路在绝对零度时的量子噪音．

关键词：非耗散介观含源电路量子力学效应电动力学

包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型

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Journal of Semiconductors 1999年第3期20卷 219-224页

作者：马玉涛李志坚刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

量子力学效应对于深亚微米 MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著 .实验结果表明 :量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移 .本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了 MO... 详细信息

量子力学效应对于深亚微米 MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著 .实验结果表明 :量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移 .本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了 MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性 .在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上 ,提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念 ,分析了载流子在子带中的分布情况 ,讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素 ,并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型 .该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质。

关键词： MOS器件多子带结构量子力学效应修正模型

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介观含源耦合电路中的量子力学效应

厦门大学学报（自然科学版） 2000年第3期39卷 323-328页

作者：崔元顺淮阴师范学院物理系江苏淮阴223001

通过对无耗耦合含源介观电路的量子化和体系哈密顿量的对角化 ,计算了压缩真空态下和含源电路基态下电荷、电流的量子涨落 .结果表明 ,介观耦合电路中存在量子力学效应 ,每一回路的量子涨落除决定于回路自身参量外 ,还决定于另一回路的... 详细信息

通过对无耗耦合含源介观电路的量子化和体系哈密顿量的对角化 ,计算了压缩真空态下和含源电路基态下电荷、电流的量子涨落 .结果表明 ,介观耦合电路中存在量子力学效应 ,每一回路的量子涨落除决定于回路自身参量外 ,还决定于另一回路的电学参量 ,即两回路中的量子涨落是相互关联的 ;此外。

关键词：介观电路介观含源耦合电路量子力学效应

考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型

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Journal of Semiconductors 2002年第4期23卷 419-423页

作者：陈立锋马玉涛田立林清华大学微电子所北京100084

研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率 ,利用修正的艾利函数 (modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的... 详细信息

研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率 ,利用修正的艾利函数 (modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的量子化能级 ,从而计算出在不同偏置条件下的 DT电流 .模型实现了 n MOSFET's栅隧穿电流的二维模拟 ,可以模拟在不同栅漏偏置条件下的器件工作情况 ,具有较广泛的适用性 .通过对比表明 ,本模型能够与实验结果很好地吻合 ,且速度明显优于数值方法 .利用模型可很好地对深亚微米

关键词：量子力学效应超薄栅氧直接隧穿电流二维模型 MOSFET's

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量子力学效应和共价键本质

新疆教育学院学报 1996年第1期12卷 38-42页

作者：王卫东

本文通过分析量子力学处理H _2^+结构的重要结果,研究分子轨道理论中量子力学效应对共价键形成的影响,进而阐明共价键的本质.

关键词：共价键波函数量子力学效应原子轨道分子轨道离域效应收缩效应极化效应

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关于电极过程的量子力学效应

吉林大学自然科学学报 1981年第1期 92-98页

作者：张遴绍吉林大学化学系物化教研室

本文介绍了氢离子阴极过程的两种量子理论,并在此基础上谈一点粗浅的看法。

关键词：电极过程电极电势势垒电子转移极化度氢离子基态能量量子力学效应量子理论极性溶剂

基于量子力学效应的多子带MOS器件修正系统

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自动化与仪器仪表 2023年第10期 214-217,222页

作者：张雷曹欣伟西安文理学院机械与材料工程学院西安710065

对于MOS器件隧穿电流的测量及修正,通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础,提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效,大量减少对应的拟合参数,简化运算步骤,提高精度。同时经过算例验证,方案切实可行,并与... 详细信息

对于MOS器件隧穿电流的测量及修正,通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础,提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效,大量减少对应的拟合参数,简化运算步骤,提高精度。同时经过算例验证,方案切实可行,并与自洽解方式进行对比,提高了计算的时效性,具备更高的精确性及普适性。同时,将隧穿模型用于不同栅介质材料的测量,并与实际数据进行对比,结果吻合度高,更加适用于MOS器件修正模拟。

关键词： MOS器件隧穿电流量子力学效应栅介质材料

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介观电路量子力学效应的研究进展

聊城大学学报（自然科学版） 2003年第2期16卷 14-16,76页

作者：王继锁冯健孙长勇聊城大学物理系山东聊城252059

在简述介观物理的发展背景之后,主要介绍了自20世纪90年代以来,介观电路量子力学效应研究的一些新进展。

关键词：介观电路量子力学效应量子涨落介观物理纳米电子学研究进展