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文献类型

  • 16 篇 期刊文献
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  • 17 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 15 篇 工学
    • 13 篇 电子科学与技术（可...
    • 10 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 光学工程
    • 1 篇 电气工程
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 17 篇 速度过冲
  • 3 篇 mesfet
  • 3 篇 电场
  • 3 篇 沟道
  • 3 篇 电子温度
  • 3 篇 gaas mesfet
  • 3 篇 电磁场
  • 3 篇 gaas
  • 2 篇 hbt
  • 2 篇 电子
  • 2 篇 能量弛豫时间
  • 2 篇 轻子
  • 2 篇 栅长
  • 2 篇 渡越时间
  • 1 篇 水动力学
  • 1 篇 电流-电压特性
  • 1 篇 样品长度
  • 1 篇 互作用
  • 1 篇 微波
  • 1 篇 异质结

机构

  • 3 篇 成都电讯工程学院
  • 2 篇 东南大学
  • 2 篇 中国科学技术大学
  • 2 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中国科学院微电子...
  • 1 篇 苏州大学
  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 四川大学

作者

  • 3 篇 冯育坤
  • 2 篇 黄艺
  • 2 篇 沈楚玉
  • 1 篇 马振昌
  • 1 篇 王晓艳
  • 1 篇 屈江涛
  • 1 篇 高树钦
  • 1 篇 张金凤
  • 1 篇 牛国富
  • 1 篇 石华芬
  • 1 篇 梁春广
  • 1 篇 李国余
  • 1 篇 徐小波
  • 1 篇 张冶金
  • 1 篇 杨悦非
  • 1 篇 方建平
  • 1 篇 李垚
  • 1 篇 田立林
  • 1 篇 蔡瑞仁
  • 1 篇 t.j.maloney

语言

  • 17 篇 中文
检索条件"主题词=速度过冲"
共 17 条 记 录，以下是1-10 订阅
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考虑速度过冲的单载流子光探测器特性
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半导体光电 2010年 第3期31卷 349-352页
作者： 李国余 张冶金 李小健 田立林 清华大学微电子研究所 北京100084 中国科学院半导体研究所 北京100083
通过在器件模拟中引入考虑了速度过冲效应的水动力学模型,对单载流子光探测器(UTC-PD)的传统漂移扩散模型进行了改进。结果表明,电子的速度过冲有效地减小了空间电荷效应,从而提高了器件的带宽。同时,通过对器件的直流和交流特性分析,... 详细信息
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考虑速度过冲效应的HEMT物理模型
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微波学报 1997年 第3期13卷 188-194,187页
作者： 黄艺 沈楚玉 东南大学毫米波国家重点实验室 南京210096
本文提出一种考虑速度过冲效应的HEMT器件静态和小信号解析物理模型。通过对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，在非线性电荷控制模型的基础上，导出了基于物理参数的HEMT器件电流... 详细信息
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速度过冲对短沟道GaAs MESFET器件参数的影响
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电子学报 1984年 第3期 64-70页
作者： 冯育坤 成都电讯工程学院
利用 GaAs 新的速场关系考察了速度过冲对短沟道 GaAs MESFET 性能的影响。发展了短沟道 GaAs MESFET 的稳态偶极畴模型。对新模型的分析表明,速度过冲对短沟道 GaAsMESFET 的性能有重要改善。按稳态偶极畴模型工作的器件,极限频率主要... 详细信息
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GaAs中速度过冲特性的分析
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Journal of Semiconductors 1982年 第5期 385-394页
作者： 冯育坤 成都电讯工程学院
借助玻尔兹曼输运方程和双温度电子转移模型分析了GaAs中的速度过冲特性,获得了与Monte Carlo计算机模拟一致的结果.利用曲线拟合技术给出了电子漂移速度、电子温度与渡越距离的简单关系式.
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短沟道GaAs MESFET中的速度过冲效应
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Journal of Semiconductors 1983年 第4期9卷 369-373页
作者： 冯育坤 成都电讯工程学院
已经发现短沟道CaAs MESFET(栅长短于1μm)的器件参数与栅长有关,随着栅长的缩短,出现速度峰的电场E_p和速度峰V_p的数值要单调增加,这是由于短沟道器件中出现非平衡速度过冲效应所致.文中给出了各种栅长下的E_p和V_p,还给出了考虑到非... 详细信息
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SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型
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微电子学 2007年 第3期37卷 316-319页
作者： 蔡瑞仁 李垚 中国科学技术大学物理系微电子实验室 安徽合肥230026
建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布... 详细信息
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适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型
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物理学报 2006年 第11期55卷 5878-5884页
作者： 朱志炜 郝跃 张金凤 方建平 刘红侠 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法... 详细信息
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小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究
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物理学报 2011年 第9期60卷 752-758页
作者： 屈江涛 张鹤鸣 秦珊珊 徐小波 王晓艳 胡辉勇 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071
本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅... 详细信息
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短沟道MOSFET渡越时间物理模型
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固体电子学研究与进展 1995年 第2期15卷 142-148页
作者： 牛国富 阮刚 复旦大学微电子学研究所
叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来... 详细信息
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短栅GaAs MESFET中电子饱和速度
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Journal of Semiconductors 1986年 第3期 237-241页
作者： 杨悦非 王渭源 中国科学院上海冶金研究所
本文根据0.3—1.1μm栅长GaAs MESFET直流特性的测试结果,计算了不同栅长器件中电子饱和速度.实验表明,短栅GaAs MESFET中电子饱和速度随负栅压增加而上升至速度过冲.结合器件结构,对实验结果作了讨论.
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