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AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究

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无机材料学报 2013年第6期28卷 649-652页

作者：陈丹吕建国黄靖云金豫浙张昊翔叶志镇浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室杭州310027 杭州士兰明芯科技有限公司杭州310018

采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但... 详细信息

采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10 V,芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。

关键词： AZO薄膜 GaN基LED 透明电极脉冲激光沉积

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Ni微网格透明电极的制备及透光性能研究

稀有金属材料与工程 2009年第6期38卷 1080-1083页

作者：祁洪飞郝维昌王天民北京航空航天大学

以聚苯乙烯胶体晶体为模板,采用磁控溅射方法制备了孔径分别为1.2,2.4,3.4,4.5和5.6μm的Ni微网格透明电极。利用扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和四探针测试仪考察了微网格孔径对电极透过率及导电性能的影响。发现... 详细信息

以聚苯乙烯胶体晶体为模板,采用磁控溅射方法制备了孔径分别为1.2,2.4,3.4,4.5和5.6μm的Ni微网格透明电极。利用扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和四探针测试仪考察了微网格孔径对电极透过率及导电性能的影响。发现随网格孔径增大,电极透过率逐渐降低,导电性能逐渐增强。微网格透明电极在紫外与可见光区具备优良的透明导电性能。微网格结构的理论计算和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,随着模板中PS球直径的增大,Ni在基底上覆盖厚度的线性增大,是导致微网格透明电极透光性能下降和导电性能增强的根本原因。

关键词：透明电极微网格透过率导电性能

基于电场驱动熔融沉积直写和微转印大面积透明电极制造

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机械工程学报 2019年第23期55卷 216-225页

作者：许权兰红波赵佳伟杨昆朱晓阳青岛理工大学山东省增材制造工程技术研究中心

透明导电电极在触控屏、OLED、有机太阳能电池、电子纸、LCD、透明显示、透明电磁屏蔽等诸多光电子产品领域有着非常广泛的应用,然而,如何实现大面积银网格透明电极的低成本、批量化制造是学术界和产业界共同面临的一项挑战性难题和亟... 详细信息

透明导电电极在触控屏、OLED、有机太阳能电池、电子纸、LCD、透明显示、透明电磁屏蔽等诸多光电子产品领域有着非常广泛的应用,然而,如何实现大面积银网格透明电极的低成本、批量化制造是学术界和产业界共同面临的一项挑战性难题和亟待突破的技术。结合电场驱动熔融沉积直写和液桥微转印技术,提出一种实现大面积透明电极低成本、批量化制造的新方法,通过试验揭示了主要工艺参数(打印床温度、功能材料表面张力、固化条件)对所制造透明电极分辨率和质量的影响及其规律,利用提出的方法并结合优化的工艺参数,实现了图案化面积20 mm×20 mm,线宽4μm,周期200μm,透光率88.15%、方阻约12Ω/sq的纳米银网格透明电极的制造。结果表明,基于电场驱动熔融沉积直写和微转印的大面积透明电极制造方法具有成本低、精度高、一致性好、效率高的显著优势,为大面积透明电极规模化制造提供了一种具有工业化应用前景的全新解决方案。

关键词：透明电极电场驱动直写技术微转印增材制造

具有石墨烯/铟锑氧化物复合透明电极的GaN发光二极管

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物理学报 2019年第24期68卷 301-305页

作者：郭伟玲邓杰王嘉露王乐邰建鹏北京工业大学光电子技术教育部重点实验室

近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压... 详细信息

近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压高等问题.本文将ITO薄层作为石墨烯透明电极与p-Ga N间的插入层,以改善石墨烯与p-Ga N层的欧姆接触.所制备的石墨烯透明电极的方块电阻为252.6Ω/□,石墨烯/ITO复合透明电极的方块电阻为70.1Ω/□;石墨烯透明电极与p-Ga N层的比接触电阻率为1.92×10^–2Ω·cm^2,ITO插入之后,其比接触电阻率降低为1.01×10^–4Ω·cm^2;基于石墨烯透明电极的发光二极管(light emitting diode,LED),在20 m A注入电流下,正向电压为4.84 V,而石墨烯/ITO复合透明电极LED正向电压降低至2.80 V,且光输出功率得到提高.这归因于石墨烯/ITO复合透明电极与p-Ga N界面处势垒高度的降低,进而改善了欧姆接触;另外,方块电阻的降低,使得电流扩展均匀性也得到了提高.所采用的复合透明电极减少了ITO的用量,得到了良好的欧姆接触,为LED透明电极提供了一种可行方案.

关键词：透明电极石墨烯铟锑氧化物比接触电阻率

有机发光二极管(OLED)顶发射器件的透明电极

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科学通报 2018年第12期63卷 1111-1122页

作者：吕方顾建男卞梦颖吴存存罗巍亓博远陈志坚肖立新北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

有机发光二极管(OLED)已经成功应用于手机显示屏(小面积)及电视显示屏(大面积).对于小面积显示屏来说,由于显示面积的限制,大多采用顶发射结构.顶发射OLED(TEOLED)由于其更大的开口率,相较传统底发射器件而言,可在相同电流密度下获得更... 详细信息

有机发光二极管(OLED)已经成功应用于手机显示屏(小面积)及电视显示屏(大面积).对于小面积显示屏来说,由于显示面积的限制,大多采用顶发射结构.顶发射OLED(TEOLED)由于其更大的开口率,相较传统底发射器件而言,可在相同电流密度下获得更高的发光功率,但是顶发射器件中最关键的就是透明电极的制备.概括起来,根据制作方法和材料来区分,TEOLED透明电极主要分为以下几类,即(1)透明导电氧化物电极;(2)超薄复合金属电极;(3)电介质金属电介质(DMD)复合电极;(4)纳米材料电极等.一般氧化物在可见光范围光透过率很好,但是热蒸发温度很高,需要用溅射的方法来制作,从而对有机层造成损伤;复合金属电极可以用热蒸镀方式制作,方法简单易行,目前被大部分商用产品采用,但是透明度较低;纳米材料的透过率很高,且可以制成柔性电极,但是由于需要溶液加工处理,较易破坏有机层.DMD复合电极既可以具有高透光率,而且可以采用热蒸镀方法成膜,有望成为未来OLED顶发射透明电极的首选.本文对几种透明电极的发展现状和优缺点进行了综述,提出了透明电极今后可能的发展方向.

关键词：有机发光二极管透明电极顶发射纳米材料电介质/金属/电介质(DMD)

基于MoO_3/Au/MoO_3透明电极的有机太阳能电池

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发光学报 2017年第10期38卷 1332-1337页

作者：王振柳菲郑新王培甘林汪静静重庆邮电大学光电工程学院重庆400065

以透明导电薄膜Mo O3/Au/Mo O3代替铟锡氧化物(ITO)作为有机太阳能电池(OSCs)的阳极,研究了一系列结构为Mo O3/Au/Mo O3的透明电极和Mo O3(y nm)/Au(x nm)/Mo O3(y nm)/Cu Pc(25 nm)/C60(40nm)/BCP(8 nm)/Al(100 nm)的有机太阳能电池。研究表明,Mo O3/Au/Mo O3电极的光电特性可通过改变各层薄膜厚度加以调控,在Mo O3薄膜厚度为40 nm、Au薄膜厚度为10 nm时性能最优,且以该薄膜为电极的有机太阳能电池器件的性能接近于电极为ITO的有机太阳能电池器件。

关键词：透明电极有机太阳电池光电性能

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低损耗液晶光开关器件用透明电极的制备

光电工程 2002年第1期29卷 26-29页

作者：白胜元黄昱勇李海峰刘旭顾培夫唐晋发浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027

液晶可以用来制作光通讯系统中的光开关,液晶器件的损耗主要取决于透明电极的透射率, ITO(氧化铟锡)在可见光范围具有高的透射率,但在红外损耗较大。在测定ITO复折射率的基础上,本文借鉴光学薄膜中诱导滤光片的设计思想,设计、制备出了... 详细信息

液晶可以用来制作光通讯系统中的光开关,液晶器件的损耗主要取决于透明电极的透射率, ITO(氧化铟锡)在可见光范围具有高的透射率,但在红外损耗较大。在测定ITO复折射率的基础上,本文借鉴光学薄膜中诱导滤光片的设计思想,设计、制备出了在红外1.5mm^1.6mm范围内高透射率的透明电极,使整个器件的损耗<0.4dB,相应的方块电阻为350W/□。

关键词：光开关光学薄膜诱导滤光片透明电极液晶

透明电极用银纳米线尺寸与光电性能相关性综述

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贵金属 2016年第1期37卷 68-75页

作者：张楷力堵永国王震国防科学技术大学航天科学与工程学院材料科学与工程系长沙410073

介绍了银纳米线透明电极光电性能的相关理论。根据国外研究团队建立的相应模型,结合目前透明电极主流应用对银纳米线的性能要求,阐释了银纳米线的尺寸与透明电极的光电性能之间的联系,给出了评判电极光电综合性能的重要参数和满足透明... 详细信息

介绍了银纳米线透明电极光电性能的相关理论。根据国外研究团队建立的相应模型,结合目前透明电极主流应用对银纳米线的性能要求,阐释了银纳米线的尺寸与透明电极的光电性能之间的联系,给出了评判电极光电综合性能的重要参数和满足透明电极应用的银纳米线尺寸具体要求,为银纳米线的合成提供了理论参考。

关键词：金属纳米材料银纳米线透明电极尺寸光电性能理论

AlGaN基深紫外LED新型透明电极芯片及阵列器件消毒效率研究

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激光与光电子学进展 2024年第5期61卷 451-458页

作者：林泽锋余路成周其程蔡叶杭苏法文黄生荣许飞雅陈小红李凌蔡端俊厦门大学物理科学与技术学院福建省半导体材料与应用重点实验室福建厦门361005 厦门大学海洋与地球学院近海海洋环境科学国家重点实验室福建厦门361102 厦门瑶光半导体科技有限公司福建厦门361006

2019年新冠疫情席卷全球,给人类社会带来了巨大的影响和经济损失。AlGaN基深紫外发光二极管(DUVLED)作为新型高效消杀器件,引起了学术界广泛的研究,其中,深紫外透明电极对提升深紫外LED的光电性能至关重要。采用一种新型的高透明度(>90%... 详细信息

2019年新冠疫情席卷全球,给人类社会带来了巨大的影响和经济损失。AlGaN基深紫外发光二极管(DUVLED)作为新型高效消杀器件,引起了学术界广泛的研究,其中,深紫外透明电极对提升深紫外LED的光电性能至关重要。采用一种新型的高透明度(>90%)铜基核壳结构金属纳米丝(Cu@metal NSs)电极,实现深紫外LED光输出功率近一倍的提升。基于深紫外LED的阵列排布及配光优化,集成制造了180 mW深紫外LED消毒灯模组,经生物实验验证,对大肠杆菌及金黄色葡萄球菌的灭活率大于99.99%。更重要的是,高功率消毒器械对新型冠状病毒表现出大于99.9%的灭活性能。本工作有望推动未来新型结构的深紫外发光器件制造及其高效消杀应用。

关键词：深紫外发光二极管透明电极金属纳米丝杀菌消毒效率