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等离子化学气相沉积硅-硼-氮复合薄膜的组成和结构

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分析测试学报 2002年第2期21卷 83-85页

作者：于翔于俊峰王成彪中国地质大学工程技术学院北京100083

利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_... 详细信息

利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_BN)、立方氮化硼 (c_BN)结晶相的Si-B

关键词： Si-B-N复合薄膜负偏压结构组成硅-硼-氮复合薄膜金属表面处理等离子体化学气相沉积

纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究

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东华大学学报（自然科学版） 2008年第1期34卷 117-121页

作者：夏磊周荃徐金洲张菁东华大学理学院上海201620

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 详细信息

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用.

关键词：常压等离子体化学气相沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜负偏压荧光(PL)

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Al箔溅射沉积Cu膜的工艺研究

表面技术 2009年第2期38卷 49-51页

作者：李海凤牛玉超苏超王志刚王献忠山东建筑大学材料科学与工程学院山东济南250101

为了研究溅射工艺对膜-基间结合力的影响,获得成本较低、膜-基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料,利用磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积Cu膜,采用胶粘带拉剥法测试了膜-基间的结合力,使用扫描电子显微镜观察了Cu膜的组织和Al/C... 详细信息

为了研究溅射工艺对膜-基间结合力的影响,获得成本较低、膜-基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料,利用磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积Cu膜,采用胶粘带拉剥法测试了膜-基间的结合力,使用扫描电子显微镜观察了Cu膜的组织和Al/Cu的界面形貌。结果表明:溅射工艺对膜-基间的结合力有着明显的影响,镀Cu前对Al箔进行反溅射和在溅射沉积过程中对工件施加负偏压都可有效地提高膜-基间的结合力。分析认为:镀Cu前反溅射可有效地去除Al箔表面的氧化膜,使Al箔表面得到净化;在磁控溅射沉积过程中对工件施加较高负偏压将产生辉光放电,使工艺转化成溅射离子镀,从而获得与基体结合良好、晶粒细小、致密的镀层。

关键词：电磁屏蔽磁控溅射 Al箔 Cu膜负偏压结合力

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国内期刊纵览

材料保护 2001年第10期 61-62页

20 0 110 0 1　防锈油膜腐蚀电位分布的不均匀性———钟庆东 .中国腐蚀与防护学报 (双月刊 ) ,2 0 0 1,2 1(4 ) :2 0 6对防锈油膜腐蚀电位分布不均匀性及电位服从不连续二项分布进行了理论分析 ,探讨了防锈油膜腐蚀电位分布不均匀性的... 详细信息

20 0 110 0 1　防锈油膜腐蚀电位分布的不均匀性———钟庆东 .中国腐蚀与防护学报 (双月刊 ) ,2 0 0 1,2 1(4 ) :2 0 6对防锈油膜腐蚀电位分布不均匀性及电位服从不连续二项分布进行了理论分析 ,探讨了防锈油膜腐蚀电位分布不均匀性的原因 ,并与实际测量的结果进行了比较 ,研究表明 ,理论分析结果与实际测量相符合 ,防锈油膜腐蚀电位分布不均匀性且服从不连续二项分布的原因在于防锈油膜存在离子及电子导电膜两种类型。2 0 0 110 0 2　表面纳米化低碳钢电化学行为尺寸效应———李瑛 .中国腐蚀与防护学报 (双月刊 ) ,2 0 0 1,2 1(4 ) :2 15利用超声喷丸技术制备了表面纳米化低碳钢。结构分析表明 ,最表层低碳钢的晶粒尺度在 2 0ｎｍ左右 ,随着向基体方向靠近 ,纳米层的晶粒尺度逐渐增加 ,对纳米低碳钢在 0 .0 5ｍｏｌ/ＬＨ2 ＳＯ4 +0 .0 5ｍｏｌ/ＬＮａ2 ＳＯ4 腐蚀介质中腐蚀速度测试结果表明 ,纳米化后低碳钢的腐蚀增加 ,纳米低碳钢的电化学腐蚀行为存在尺寸效应 ,在晶粒尺度小于 35ｎｍ时 ,纳米低碳钢的电化学腐蚀速度随晶粒尺度的增加而降低 ,当...

关键词：镍磷合金镀层封孔处理热障涂层熔凝层组织表面熔凝负偏压热浸锌镍合金镀层阳极氧化技术抗高温氧化性合金基体氧化膜晶粒尺度国内期刊

Zn/TiO_2/泡沫镍可见光光电催化氧化水体中As(Ⅲ)

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安全与环境工程 2014年第6期21卷 60-64页

作者：任超艳魏志钢潘湛昌谢英豪杜欣欣广东工业大学轻工化工学院广东广州510006

采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载Zn掺杂TiO2,制得Zn/TiO2/泡沫镍光催化剂,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等对其进行了晶体结构、表观形貌、表面元素状态的分析,并研究了Zn/TiO2/泡沫镍在可见光照射和负偏... 详细信息

采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载Zn掺杂TiO2,制得Zn/TiO2/泡沫镍光催化剂,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等对其进行了晶体结构、表观形貌、表面元素状态的分析,并研究了Zn/TiO2/泡沫镍在可见光照射和负偏压作用下光电催化氧化水体中As(Ⅲ)的反应性能。试验结果表明:Zn成功以替代的形式进入TiO2晶体内,Zn/TiO2/泡沫镍在可见光照射和最佳偏压-0.4V作用下,光电催化氧化As(Ⅲ)的反应速率为TiO2/泡沫镍的1.5倍以上;当Zn2+掺杂量为0.52%,初始As(Ⅲ)浓度为1.0mg/L,pH值为7±0.05,光照3h,施加-0.4V偏压时,As(Ⅲ)的去除率高达92.6%,此时氧化As(Ⅲ)的主要物质为超氧自由基,超氧自由基在光照作用下进一步转化成羟基自由基氧化As(Ⅲ);负偏压同时起阴极保护作用,避免引起基材金属镍溶出,可应用于处理饮用水。

关键词：砷污染 Zn/TiO2/泡沫镍光电催化氧化可见光负偏压

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高频移相全桥变换器的数字驱动研究

电子技术应用 2008年第2期34卷 66-69页

作者：郑连清朱军郭传奇刘平重庆大学电气工程学院高电压与电工技术教育部重点实验室重庆400044

基于经典全桥零电压零电流开关(ZVZCS)变换器拓扑,采用数字信号处理器(DSP)进行控制,提出了一种新型的移相PWM波形产生算法。结合IR公司最新推出的集成驱动芯片IR2304,通过对传统驱动电路增加两个无源元件,设计了带有负电压关断的硬件... 详细信息

基于经典全桥零电压零电流开关(ZVZCS)变换器拓扑,采用数字信号处理器(DSP)进行控制,提出了一种新型的移相PWM波形产生算法。结合IR公司最新推出的集成驱动芯片IR2304,通过对传统驱动电路增加两个无源元件,设计了带有负电压关断的硬件驱动电路,克服了IR系列不能产生关断负电压的缺点。实验验证了新型算法的正确性和驱动系统设计的可行性。

关键词：数字信号处理器驱动电路移相控制负偏压

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TiCN涂层的制备及其微观结构和性能

电镀与涂饰 2021年第1期40卷 35-40页

作者：邢珂李博文内蒙古机电职业技术学院冶金与材料工程系内蒙古呼和浩特010070 中科院金属研究所辽宁沈阳110016

采用直流磁控溅射法在AZ31镁合金上制备了TiCN涂层。采用X射线荧光光谱仪、扫描电镜和X射线衍射仪表征了涂层的化学成分、表面形貌和物相,并采用电化学阻抗谱、浸泡试验、显微硬度测试和磨损试验考察了基体偏压(−40、−60和−80 V)对涂层... 详细信息

采用直流磁控溅射法在AZ31镁合金上制备了TiCN涂层。采用X射线荧光光谱仪、扫描电镜和X射线衍射仪表征了涂层的化学成分、表面形貌和物相,并采用电化学阻抗谱、浸泡试验、显微硬度测试和磨损试验考察了基体偏压(−40、−60和−80 V)对涂层性能的影响。结果表明,涂层由TiCN和TiN组成。随着负偏压增大,涂层中Ti、C元素含量增加,N元素含量减小,而显微硬度提高,物相组成和择优取向发生变化。−60 V偏压下所制涂层的表面粗糙度最小,耐蚀性最好。3种偏压下所制涂层的摩擦因数均小于0.3,磨损率在10−6 mm3/(N·m)数量级。

关键词：镁合金磁控溅射,碳氮化钛涂层负偏压耐蚀性硬度

多弧离子镀TiN和TiAlN硬质薄膜的制备及性能研究

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多弧离子镀TiN和TiAlN硬质薄膜的制备及性能研究

作者：梁启超湖北汽车工业学院

学位级别：硕士

本文采用多弧离子镀技术在M2高速钢基体表面制备了TiN薄膜和TiAlN薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)及表面能谱分析(EDS)、X衍射分析仪(XRD)、金相显微镜、显微硬度计、电化学腐蚀平台研究了氮氩比、基体负偏压对薄膜表面形貌、薄膜厚度、... 详细信息

本文采用多弧离子镀技术在M2高速钢基体表面制备了TiN薄膜和TiAlN薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)及表面能谱分析(EDS)、X衍射分析仪(XRD)、金相显微镜、显微硬度计、电化学腐蚀平台研究了氮氩比、基体负偏压对薄膜表面形貌、薄膜厚度、相结构、薄膜显微硬度、耐腐蚀性能的影响。同时还研究了在最佳工艺参数下制备的TiAlN薄膜的高温抗氧化性能。主要研究成果有:(1)TiN薄膜主要由TiN相构成,薄膜沿(200)晶面择优取向。制备TiN薄膜的最佳工艺参数为:氮氩比9:1,基体负偏压150V。薄膜最大显微硬度值为2188.2HV,膜厚达到了2.73um。(2)随着氮氩比的增加,TiAlN薄膜相结构的择优取向由(200)晶面转向了(111)晶面。当氮氩比为8:2时,TiAlN薄膜的显微硬度值最高,达到了2720HV。当氮氩比为9:1时,TiAlN薄膜在3.5%NaCl溶液中的耐腐蚀性能最好,比未镀膜基体的耐腐蚀性能提高了约19倍。(3)基体负偏压对多弧离子镀TiAlN薄膜表面形貌有着明显影响。当偏压为150V时,TiAlN薄膜显微硬度值最大,达到了2724.6HV当偏压为150V时,TiAlN薄膜在3.5%NaCl溶液中的耐腐蚀性能最好,是无镀层基体的9倍。(4)本实验制备TiAlN薄膜的最佳工艺为:氮氩比8:2,基体负偏压150V。通过研究其高温抗氧化性能发现,在800℃以下时,薄膜表面所产生的AlO及TiO薄膜可防止薄膜被进一步氧化,当氧化温度达到900℃时,基体中的Fe已渗透到薄膜表面生成FeO,薄膜已开始失效。

关键词： TiN TiAlN 氮氩比负偏压高温抗氧化性

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工艺参数对直流磁控溅射膜沉积的影响

表面技术 2009年第5期38卷 67-70页

作者：李海凤牛玉超苏超王志刚陈莎莎孙希刚山东建筑大学材料科学与工程学院山东济南250101

为进一步了解工艺参数对溅射膜沉积的影响,开展了不同工作气体压强、不同溅射功率和有无负偏压条件下的Zr、Cu、Ni单金属溅射膜和Zr-Cu、Zr-Ni二元合金溅射膜的溅射沉积实验。使用称重法,分析了溅射膜沉积量随工作气体压强、溅射功率的... 详细信息

为进一步了解工艺参数对溅射膜沉积的影响,开展了不同工作气体压强、不同溅射功率和有无负偏压条件下的Zr、Cu、Ni单金属溅射膜和Zr-Cu、Zr-Ni二元合金溅射膜的溅射沉积实验。使用称重法,分析了溅射膜沉积量随工作气体压强、溅射功率的变化规律;通过分层溅射和共溅工艺实验,对比了相同溅射功率下Zr与Cu、Zr与Ni元素间分层溅射膜和共溅膜的沉积量;采用扫描电子显微镜,分析、研究了溅射过程中负偏压对Cu溅射膜膜层生长方式的影响。结果表明,由于工作气体压强对电子与气体分子以及对靶材原子与气体分子碰撞几率的影响,使得膜层的沉积量不是随着工作气体压强的升高单纯地呈下降趋势,而是有一最佳压强范围;随着溅射功率的增大,膜层沉积量增加,在溅射功率相等的条件下,由于辉光放电电场叠加增大了工作气体的离化率,使得共溅膜比分层溅射膜的沉积量大得多;溅射过程中施加较高负偏压可以抑制柱状结构生长,细化晶粒,提高膜层致密度。

关键词：磁控溅射工作气体压强溅射功率沉积量负偏压