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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 核科学与技术

主题

  • 2 篇 虚拟阴极
  • 1 篇 高斯分布
  • 1 篇 热电子发射
  • 1 篇 磁化鞘层
  • 1 篇 阈值电压
  • 1 篇 utbb-soi mosfet

机构

  • 1 篇 瑞芯微电子股份有...
  • 1 篇 大连理工大学
  • 1 篇 集美大学

作者

  • 1 篇 李诗勤
  • 1 篇 陈红霞
  • 1 篇 黄长斌
  • 1 篇 李涵汐
  • 1 篇 王德真
  • 1 篇 刘璟
  • 1 篇 韦素芬

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=虚拟阴极"
共 2 条 记 录，以下是1-10 订阅
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杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
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引用
集美大学学报（自然科学版） 2021年 第5期26卷 472-480页
作者： 韦素芬 陈红霞 李诗勤 黄长斌 刘璟 集美大学海洋信息工程学院 福建厦门361021 瑞芯微电子股份有限公司 福建福州350003
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
热电子发射对钨偏滤器靶板附近磁化鞘层影响的模拟研究
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物理学报 2023年 第15期72卷 320-327页
作者： 李涵汐 王德真 大连理工大学物理学院 大连116024
高约束模式是先进托卡马克装置的首选运行方式,但边界局域模的爆发会使沉积到偏滤器靶板的热负荷急剧增大,导致靶板温度迅速上升,表面热电子发射增强.本文采用一维流体模型模拟了热电子发射对磁化鞘层特性的影响.结果表明,在热电子发射... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 博看期刊 评论
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