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HgSe:Fe的红外光谱和自由载流子散射

红外与毫米波学报 1991年第5期10卷 341-350页

作者：钱定榕中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083

测量了掺Fe浓度为1.5×10^(18)～7×10^(19)cm^(-3)的HgSe:Fe样品在中红外波段内的室温透过率和反射率,由此看出Fe浓度大于或小于4×10^(18)cm^(-3)时吸收系数,迁移率和吸收截面的性质明显不同,用Fe的空间有序化模型解释了实验结果。

关键词： HgSe Fe 红外光谱自由载流子散射

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窄禁带半导体的自由载流子吸收

红外与毫米波学报 1991年第4期10卷 241-245页

作者： A.E.BELYAEV N.V.SHEVCHENKO Z.A.DEMIDENKO Institute of Semiconductors Academy of Sciences of the Ukrainian SSRInstitute of Semiconductors Academy of Sciences of the Ukrainian SSRInstitute of Physics Academy of Sciences of the Ukranian SSR Prospect Nauki 45 Kiev-28 252650 USSRProspect Nauki 45 Kiev-28 252650 USSRProspect Nauki 46 Kiev-28 252028 USSR

从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5～50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InS... 详细信息

从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5～50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。

关键词：窄禁带半导体自由载流子

窄禁带N型掺杂HgCdTe中自由载流子的奇特性质

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红外与毫米波学报 1991年第2期10卷 156-160页

作者：钱定榕中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室

研究已表明掺杂HgCdTe中不存在对于自由载流子等离子体振荡的朗道阻尼,本文进一步研究了HgCdTe掺杂及随之产生的简并对自由载流子能量色散关系的影响,并将这种影响计入自由载流子的介电函数后,从理论上证明了掺杂窄禁带半导体中不存在... 详细信息

研究已表明掺杂HgCdTe中不存在对于自由载流子等离子体振荡的朗道阻尼,本文进一步研究了HgCdTe掺杂及随之产生的简并对自由载流子能量色散关系的影响,并将这种影响计入自由载流子的介电函数后,从理论上证明了掺杂窄禁带半导体中不存在朗道阻尼的现象是由于自由载流子能量色散关系变化引起其运动行为变化所致。

关键词： HgCdTe 自由载流子介电函数掺杂

高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究

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Journal of Semiconductors 1995年第10期16卷 759-765页

作者：俞跃辉邹世昌周筑颖赵国庆中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室复旦大学原子核物理系

将能量分别为３ＭｅＶ或５ＭｅＶ，剂量为１×１０１６ｃｍ－２的砷离于注入＜１００＞硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层．本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学５向应．在５００─４０００ｃｍ－１波... 详细信息

将能量分别为３ＭｅＶ或５ＭｅＶ，剂量为１×１０１６ｃｍ－２的砷离于注入＜１００＞硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层．本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学５向应．在５００─４０００ｃｍ－１波数范围的红外反射谱中观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象．应用计算机模拟红外反射谱获得了导电埋层中的载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率．

关键词：硅离子注入自由载流子等离子效应光学响应

Hg1－_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收

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物理学报 1996年第9期45卷 1430-1437页

作者：李标褚君浩石晓红陈新强曹菊英汤定元中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

讨论了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品。

关键词： HgCdTe 薄膜自由载流子

激光探针监测半导体器件内自由载流子浓度调制效应

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激光杂志 2005年第2期26卷 18-19页

作者：刘志存陕西师范大学物理学与信息技术学院陕西西安710062

介绍了基于自由载流子对介质折射率调制作用,而建立的监测半导体器件内自由载流子变化情况的实验装置,该装置能实时反映自由载流子变化情况,且对原电路无任何影响。本方法适用于硅和砷化镓材料的电子和光电子器件,也显示了在测量集成电... 详细信息

介绍了基于自由载流子对介质折射率调制作用,而建立的监测半导体器件内自由载流子变化情况的实验装置,该装置能实时反映自由载流子变化情况,且对原电路无任何影响。本方法适用于硅和砷化镓材料的电子和光电子器件,也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景。

关键词：干涉折射率自由载流子

分子作用一小步,光电性质一跨步——有机共轭小分子晶体薄膜中存在半导体本征光生自由载流子的实验证明

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物理 2016年第2期45卷 108-110页

作者：翁羽翔中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹) 北京100190

在漫长的人类物质文明的进程中，总有那么一条主线贯穿始终，那就是道法自然。这道便是人们所掌握的原理以及手段。分子问相互作用的间距对物厨陛质及功能的影响至关重要。自然界光合生物仅仅用少数的几类色素分子便实现了光的捕获、能... 详细信息

在漫长的人类物质文明的进程中，总有那么一条主线贯穿始终，那就是道法自然。这道便是人们所掌握的原理以及手段。分子问相互作用的间距对物厨陛质及功能的影响至关重要。自然界光合生物仅仅用少数的几类色素分子便实现了光的捕获、能量传递和电荷分离的过程，最终演化出一个丰富多彩的生命世界。

关键词：分子作用自由载流子晶体薄膜光电性质半导体小分子证明实验

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自由载流子吸收损耗控制研究

光学与光电技术 2012年第3期10卷 92-96页

作者：刘军罗章陈亮张显鹏西北核技术研究所陕西西安710024 国防科技大学光电科学与工程学院湖南长沙410073

利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、... 详细信息

利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、入射光强和本征区宽度,可以实现对脊形波导自由载流子吸收损耗的控制。计算结果可为硅基光调制器和拉曼激光器的设计制备提供一定的参考依据。

关键词：集成光学自由载流子损耗 PIN结

InSb(100)近表面区域自由载流子的累积现象:低能离子损伤的HREELS研究

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真空科学与技术 1993年第5期13卷 316-321页

作者：丁明清 N. V. Richardson 北京真空电子技术研究所北京100016 利物浦大学表面科学研究中心

半导体中等离子激发的能量与其载流子浓度有一定的关系。利用高分辨率电子能量损失谱仪(HREELS)检测到的等离子激发能量的变化则可以反应出某些半导体表面区域载流子浓度的变化。对于InSb(100)的研究表明:(1)低能离子溅射(≤500eV)以及... 详细信息

半导体中等离子激发的能量与其载流子浓度有一定的关系。利用高分辨率电子能量损失谱仪(HREELS)检测到的等离子激发能量的变化则可以反应出某些半导体表面区域载流子浓度的变化。对于InSb(100)的研究表明:(1)低能离子溅射(≤500eV)以及随后的退火处理都在n型和p型InSb(100)近表面区域形成一个自由载流子累积层;(2)低能离子的这种损伤效应延伸到100nm以下的深度。

关键词：铟锑表面自由载流子累积 HREELS