检索结果-南通市图书馆

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 205-210页

作者：林青谢欣云朱鸣张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作... 详细信息

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。

关键词：自加热效应沟道电流跨导畸变负微分迁移率 SOI

一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

南京师范大学学报（工程技术版） 2003年第4期3卷 55-58页

作者： Parke S A Cole Bryan 美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系美国Micron公司

MOS器件的自加热效应将影响器件的性能 .漏极电流将减小 ,长时间的可靠性也会受到影响 .在SOI器件中 ,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重 .本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径。

关键词： SOI硅-绝缘体 MOSFET器件自加热效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

SOILDMOS晶体管的自加热效应

电子科技 2009年第4期22卷 72-74页

作者：李家贵李德昌西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 西安电子科技大学理学院陕西西安710071

与常规体硅器件相比,SOI器件由于其独特的结构,常常会产生较严重的自加热效应,影响器件的可靠性。文中阐述SOILDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加... 详细信息

与常规体硅器件相比,SOI器件由于其独特的结构,常常会产生较严重的自加热效应,影响器件的可靠性。文中阐述SOILDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。研究证明采用新材料,结构可对同加热效应起到有效抑制作用提高了件的可靠性。

关键词： SOI 自加热效应自加热效应的抑制图形化SOI

全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

重庆科技学院学报（自然科学版） 2012年第6期14卷 146-148页

作者：朱世敏侯春良郭得峰东北大学秦皇岛分校秦皇岛066004 燕山大学秦皇岛066004

利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应。在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律。在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显。此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-... 详细信息

利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应。在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律。在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显。此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使晶格升温迅速。

关键词： SOI Silvaco 模拟自加热效应

GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

齐齐哈尔大学学报（自然科学版） 2015年第5期31卷 60-62页

作者：董艳红吴云飞王洪涛崔虹云张漫佳木斯大学理学院黑龙江佳木斯154007

研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下... 详细信息

研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下的的温度分布情况,然后在此基础之上,对Ga N HFET做了相应的优化,使得器件的温度有一定程度的降低。

关键词： GaN HFET 自加热效应优化结构

新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2012年第20期61卷 441-446页

作者：余晨辉罗向东周文政罗庆洲刘培生南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 广西大学物理科学与工程技术学院南宁530004 南京信息工程大学遥感学院南京210044

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不... 详细信息

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.

关键词：双异质结高电子迁移率晶体管电流崩塌热电子效应自加热效应

新器件结构SGOI低场迁移率模型及数值分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

浙江大学学报（工学版） 2013年第1期47卷 77-82,187页

作者：李斌陈安生刘红侠温才魏岚唐金龙西南科技大学理学院四川绵阳621010 西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 山西新华化工有限责任公司山西太原030008

为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅... 详细信息

为了减小绝缘层上硅锗(SGOI)自加热和短沟道效应,提出新型的双台阶式埋氧SGOI n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET).在该器件结构中,采用双台阶式埋氧结构来减小自加热效应,引入接地层(GP)用于减小漏致势垒降低(DIBL).建立应变硅器件的低场迁移率模型并嵌入到器件模拟器Sentaurus Device中.在不同的沟道应变情况下,分析自加热效应随埋氧层的厚度以及短沟道效应随栅长的变化关系.模拟结果表明,相对于Ge组分为0的情况下,Ge组分为0.4的SGOI器件的输出电流提升了至少50%.随着沟道下方埋氧厚度从100nm减小到10nm,自加热温度减小超过60℃;当引入接地层后,DIBL效应减小超过25%,泄漏电流在很大程度上得到抑制.

关键词：低场迁移率台阶式埋氧接地层(GP) 自加热效应绝缘层上硅锗(SGOI)

基于积分宽度法测量发光二极管结温方法的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光电子．激光 2023年第4期34卷 344-350页

作者：蒋福春荆利青刘文武红磊深圳大学物理与光电工程学院光电子器件与系统教育部/广东省重点实验室广东深圳518060

本文提出了一种基于光谱积分宽度法来测量发光二极管(light emitting diode, LED)结温的新方法,并进行了理论分析和实验研究。本方法主要分为光谱数据采集、定标函数的测定和结温测量三个过程。首先,为了测量成本的降低和精度的提高而... 详细信息

本文提出了一种基于光谱积分宽度法来测量发光二极管(light emitting diode, LED)结温的新方法,并进行了理论分析和实验研究。本方法主要分为光谱数据采集、定标函数的测定和结温测量三个过程。首先,为了测量成本的降低和精度的提高而采用在正常工作电流下采集LED光谱数据,并通过采用不同温度下的光谱积分宽度与选定的某一基准状态下的值逐差可得到线性度达0.99以上的定标函数,并通过此定标函数可实时测定任意状态下的结温。其次,为了比较本方法测量结温的精确性,分别对单色和白光LED采用本方法和业界主流的正向电压法,通过自行设计的基于积分宽度法结温测量系统和美国Mentor Graphics公司的T3Ster型仪器的测量结果进行比较,两种方法测出的结温最大偏差为2.1℃,在可接受的误差范围内。实验结果表明积分宽度法测结温具有高效便捷且低成本的的特点,具有一定的应用前景。

关键词：发光二极管(LED) 积分宽度结温光谱分布自加热效应

AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件电流坍塌效应与界面热阻和温度的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2011年第7期60卷 582-588页

作者：顾江王强鲁宏常熟理工学院物理电子系常熟215500 南通大学电子信息学院南通226019

本文系统研究了AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律.研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素,器件工作温度变高会使负微分输出电导减小.高漏极电压下... 详细信息

本文系统研究了AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律.研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素,器件工作温度变高会使负微分输出电导减小.高漏极电压下自加热效应是导致电流坍塌的一个重要因素.随着界面热阻的增加,器件跨导降低,阈值电压增大.同时,由于工作环境温度的增高,器件随之温度增高,载流子迁移率会显著降低.最终这两种因素会引起AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件显著的电流坍塌效应,从而降低了器件整体性能.

关键词： AIGaN/GaN HEMT器件热电子效应自加热效应电流坍塌效应