检索结果-南通市图书馆

InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高技术通讯 2000年第5期10卷 43-45页

作者：陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度袁海荣中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083

报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研制成功发射波长分别为 4 30～ 4 50nm和 52 0～ 540nm的蓝光和绿光led。据查。

关键词：双异质结蓝光led 绿光led 发光二极管

初始应力对垂直结构GaN基led光电性能影响的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

初始应力对垂直结构GaN基LED光电性能影响的研究

作者：黄基锋南昌大学

学位级别：硕士

GaN基led作为照明光源既节能又环保,开启了人类照明的新时代,已经与人们的生活息息相关,因此2014年诺贝尔物理奖授予了GaN基led的相关研究成果。目前,商品化的GaN基led按外延衬底划分共有三条技术路线,分别是:碳化硅(SiC)、蓝宝石(Al2O3... 详细信息

GaN基led作为照明光源既节能又环保,开启了人类照明的新时代,已经与人们的生活息息相关,因此2014年诺贝尔物理奖授予了GaN基led的相关研究成果。目前,商品化的GaN基led按外延衬底划分共有三条技术路线,分别是:碳化硅(SiC)、蓝宝石(Al2O3)及硅(Si)衬底技术路线.蓝宝石衬底led市场份额最大,碳化硅衬底led的市场占有率居中,硅衬底led尽管市场占有率最小,但它的市场份额正在逐渐扩大且应用越来越广泛。尽管硅衬底技术路线具有一定局限性,人们还不清楚它将来是否会成为主流技术,但由于它具有诸多显著优点,目前已经成为led领域的一大研究热点。硅衬底会吸收可见光以及硅衬底上外延的GaN基led薄膜存在巨大的张应力,因此实用化的硅衬底led均是采用邦定和湿法腐蚀相结合的技术将GaN基led薄膜从外延衬底剥离转移到新的支撑基板上做成垂直结构的芯片。硅衬底GaN基led薄膜存在巨大的外延张应力,在剥离转移到新基板后应力会得到一定程度的释放已有报道,然而,是否可以将硅衬底GaN基led薄膜应力先完全释放后再邦定到支撑基板上做成垂直结构的芯片以及其光电性能是否会得到改善目前还没有报道。尽管三条技术路线的垂直结构led均已实现商品化并获得了广泛应用,而且转移到新基板后应力的微小变化就会对GaN基led的光电性能产生明显影响,然而同种衬底上相同结构的led薄膜在转移到新的支撑基板时应该处于怎样的初始应力状态才能使其光电性能发挥到最佳目前还是研究空白。本文将外延结构相同的GaN基led薄膜分别直接邦定和应力释放后再邦定到新的支撑基板上,获得了多种初始应力不同的垂直结构led芯片,并对其光电性能进行了研究。1、当led薄膜用有机柔性粘结层与基板粘结在一起,去除硅衬底后,led薄膜所受来自于硅衬底的张应力基本会被完全释放。2、直接邦定和释放应力后再邦定的芯片其led薄膜的张应力均会得到释放,其中释放应力后再邦定获得的芯片其张应力释放较为彻底,而直接邦定得到的芯片其张应力释放较小。3、在制备Si衬底垂直结构GaN基led芯片的过程中,直接邦定的芯片其led薄膜所受张应力状态会逐渐减小,而释放应力后再邦定的芯片刚好相反。4、垂直结构led芯片的发光性能不仅仅会受led薄膜初始应力的影响,而且还会受led薄膜和支撑基板之间金属邦定层的影响。5、释放应力再邦定的芯片尽管阱层受到的压应力大于直接邦定的芯片,然而通过EQE归一化处理后,四种芯片的电流Droop效应相同。

关键词：硅衬底绿光led 量子阱应力光电性能

InGaN/GaN多量子阱绿光发光二极管内量子效率研究进展

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

中国照明电器 2018年第3期 6-10页

作者：郭志民中国铝业集团有限公司北京100062 国家轻工业照明电器信息中心北京100022

氮化镓基发光二极管(led)具有绿色环保、节能降耗以及寿命长等优点,广泛应用在半导体照明、户外显示及可见光通信等领域。绿光led有源区的In组分很高,会导致更高的缺陷密度和更大的极化电场,因此其内量子效率还不到蓝光led的一半,是三... 详细信息

氮化镓基发光二极管(led)具有绿色环保、节能降耗以及寿命长等优点,广泛应用在半导体照明、户外显示及可见光通信等领域。绿光led有源区的In组分很高,会导致更高的缺陷密度和更大的极化电场,因此其内量子效率还不到蓝光led的一半,是三基色照明急需解决的难点。本文对目前提升In Ga N/Ga N多量子阱绿光led的关键技术和主要进展进行了综述。通过P型层生长工艺优化、变温量子阱及复合缓冲层等技术改善量子阱晶体质量,通过阶梯量子阱结构和半极性In Ga N量子阱生长技术来降低极化电场强度,最终提高绿光led的内量子效率。

关键词：氮化镓绿光led 内量子效率

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

led的发展与应用

电子元器件应用 2005年第10期7卷 77-79页

作者：毛兴武山东临沂电子研究所

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

新型稀土发光材料研制成功

现代材料动态 2007年第3期 21-22页

应用基础研究项目“紫光转换纯绿光led的新型稀土发光材料”，在吉林长春光机与物理研究所通过专家鉴定。该课题组研制出紫外激发的稀土铕激活的硼铝酸盐绿色荧光粉，在国内首次制备出紫外光激发的绿光led；此外，还研制出紫外激发的三... 详细信息

应用基础研究项目“紫光转换纯绿光led的新型稀土发光材料”，在吉林长春光机与物理研究所通过专家鉴定。该课题组研制出紫外激发的稀土铕激活的硼铝酸盐绿色荧光粉，在国内首次制备出紫外光激发的绿光led；此外，还研制出紫外激发的三基色荧光粉：该课题的技术指标达到了国内领先水平。

关键词：稀土发光材料紫外光激发绿光led 基础研究项目三基色荧光粉物理研究所绿色荧光粉专家鉴定

2011年底全球MOCVD设备数量有望达2500台

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

电子工业专用设备 2010年第8期39卷 63-64页

以往生产红黄光led外延、芯片都是以矽基板型技术,且主要应用市场以照明市场为主。现在随着蓝宝石基板型led技术成熟,加上其成为led背光源的主流。所以随着大尺寸面板背光源应用需求不断增加，使得厂商开始于2010年大举切入蓝宝石基板... 详细信息

以往生产红黄光led外延、芯片都是以矽基板型技术,且主要应用市场以照明市场为主。现在随着蓝宝石基板型led技术成熟,加上其成为led背光源的主流。所以随着大尺寸面板背光源应用需求不断增加，使得厂商开始于2010年大举切入蓝宝石基板型的蓝绿光led外延市场。

关键词： MOCVD 设备数量 led背光源照明市场技术成熟绿光led 蓝宝石板型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高亮度蓝绿发光二极管芯片制造技术研究

科技成果纵横 2008年第6期23卷 61-62页

作者：蔡隆良广东东莞科技馆

高亮度发光二极管（HB—led）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程，通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀膜、研磨抛光、划片、裂片、点测等工艺技术研究，实现高亮度发光二极管芯片生产的产业化... 详细信息

高亮度发光二极管（HB—led）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程，通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀膜、研磨抛光、划片、裂片、点测等工艺技术研究，实现高亮度发光二极管芯片生产的产业化。由于具有体积小、低能耗、冷光源、使用寿命长、环保等特点，蓝、绿光led应用前景十分广泛，比如全彩显示屏、背光源、汽车刹车灯、装饰灯、交通信号灯、景观照明以及通用照明等。

关键词：高亮度发光二极管芯片制造技术真空蒸发镀膜芯片生产景观照明等离子刻蚀绿光led 交通信号灯

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

改善红光led提取效率的创新技术

中国照明 2009年第9期 56-57页

作者：陈泽澎谢明勋晶元光电股份有限公司

红光led作为三基色的一种和蓝绿光led组合在一起，变幻着五光十色，AlGalnP四元红光led作为RGB三基色中的一种，在白光合成中具有不可替代的地位。所以深入分析其工作机理、优化材料外延生长工艺，研究管芯制作工艺，提高AlGalnP红光LE... 详细信息

红光led作为三基色的一种和蓝绿光led组合在一起，变幻着五光十色，AlGalnP四元红光led作为RGB三基色中的一种，在白光合成中具有不可替代的地位。所以深入分析其工作机理、优化材料外延生长工艺，研究管芯制作工艺，提高AlGalnP红光led的亮度，改善散热条件等都具有非常重要理论意义和现实意义。

关键词：绿光led 红光创新技术提取效率生长工艺制作工艺散热条件三基色

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

稀土及磁性材料

新材料产业 2007年第1期 90-92页