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穿通注入渡越时间二极管的大信号分析

微纳电子技术 1974年第Z1期 62-74页

作者： Kuniyasu Kawarada 叶舟

本文采用数字计算和模拟计算两种方法对利用穿通注入渡越时间效应的固体微波源进行了大信号分析。计入高次谐波频率分量的作用,计算了振荡效率和功率。从分析N+PNN+的简化模型可看出:单调谐电路的振荡效率低到10％,采用反射电路,叠加一... 详细信息

本文采用数字计算和模拟计算两种方法对利用穿通注入渡越时间效应的固体微波源进行了大信号分析。计入高次谐波频率分量的作用,计算了振荡效率和功率。从分析N+PNN+的简化模型可看出:单调谐电路的振荡效率低到10％,采用反射电路,叠加一具有适当相位角的、小的高次谐波分量,可显著改善振荡效率。给出了描述“注入锐度”对效率的影响的一般理论。考虑了同相注入器件高效率振荡的最佳条件。

关键词：相位关系传导电流外电路大气电流二极管二次谐波分量渡越时间信号分析穿通

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穿通性疾病

国外医学.皮肤病学分册 1980年第3期 132-137页

作者：靳培英中国医学科学院皮肤病研究所

一、历史通过上皮排除(Transepithelial elimination)的生物学现象是Pinkus首先提起注意的,当时他列举了Frendenthal(1930)所指出皮肤淀粉样变中,真皮乳头内小淀粉颗粒常常撮入表皮从而带出皮肤的表面。在皮肤病的领域中,Mehregan报告... 详细信息

一、历史通过上皮排除(Transepithelial elimination)的生物学现象是Pinkus首先提起注意的,当时他列举了Frendenthal(1930)所指出皮肤淀粉样变中,真皮乳头内小淀粉颗粒常常撮入表皮从而带出皮肤的表面。在皮肤病的领域中,Mehregan报告匐行性穿通性弹力纤维病时提出了“通过上皮排除现象。”以后陆续报道了一些带有此种现象的皮肤病。Mehregan又提到湿疹样皮炎中,白细胞、红细胞、偶尔肥大细胞通过基底膜的一个破裂处移入表皮,并运至细胞间隙。蕈样肉芽肿中单一核细胞以同样方式进入表皮,形成Pautrier小脓疡。麻风杆菌和螺旋体也能够通过表皮向上移至角层。弹力纤维

关键词：弹力纤维病毛囊炎克尔眼睑疖表皮细胞毛囊角化病穿通性疾病

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56例部份穿通角膜移植术统计分析

实用医院临床杂志 1979年 90-97页

作者：罗文彬张国辉四川省人民医院眼科

角膜混浊是丧失有用视力的主要原因之一。部份穿通角膜移植术,作为一种复明手术,在国内已有不少医院施行。由于供眼材料来源困难,我院作的例数不多。现将1956年至1976年间所施行的56例、58眼统计分析,总结经验,为今后进一步提高医疗质... 详细信息

角膜混浊是丧失有用视力的主要原因之一。部份穿通角膜移植术,作为一种复明手术,在国内已有不少医院施行。由于供眼材料来源困难,我院作的例数不多。现将1956年至1976年间所施行的56例、58眼统计分析,总结经验,为今后进一步提高医疗质量提供参考。

关键词：移植片视力虹膜脱出数指实质层角膜移植术角膜白斑穿通统计分析财政管理

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一种新提出的穿通微波负阻二极管

微纳电子技术 1974年第Z1期 23-38页

作者： H. W. Ruegg 陈义飞

提出了一种新型微波负阻二极管。就负阻是由于载流子通过耗尽区的有限的渡越时间而引起的这一点而论,这个二极管跟里德二极管是相似的。然而,它跟里德二极管不一样,载流子是通过穿通而不是雪崩注入耗尽区的。因此,这种器件有希望具有比... 详细信息

提出了一种新型微波负阻二极管。就负阻是由于载流子通过耗尽区的有限的渡越时间而引起的这一点而论,这个二极管跟里德二极管是相似的。然而,它跟里德二极管不一样,载流子是通过穿通而不是雪崩注入耗尽区的。因此,这种器件有希望具有比里德二极管好得多的噪声性能。本文首先定性地解释这种新提出器件的穿通运用,并跟早先由里德和肖克莱等人提出的类似结构进行比较。然后采用注入过程的锐利脉冲近似法得到穿通二极管的大信号导纳。计算出器件的Q值为-15。如果把这个器件作为一个微波振荡器来考虑,那么,有可能得到20％的转换效率。给出了微波功率上限的估计。本文推导出这个器件设计考虑的详细计算。给出频率范围为1～50千兆赫的数字设计例子。

关键词：漂移区载流子渡越时间基区杂质浓度电场分布负阻二极管耗尽区穿通

在不同的推进气氛中硼与磷对二氧化硅层的穿通扩散

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微电子学 1977年第1期 17-27页

作者：蔡仕隆

据研究发现,当采用掺杂多晶硅作为扩散源时,硼与磷会扩散到热生长二氧化硅层中去,这种扩散的快慢与推进气氛有关,在氢气中扩散最快。根据双边界扩散模型,我们计算出了扩散系数。硼在二氧化硅中的扩散系数比磷大约要大两个数量级。这点... 详细信息

据研究发现,当采用掺杂多晶硅作为扩散源时,硼与磷会扩散到热生长二氧化硅层中去,这种扩散的快慢与推进气氛有关,在氢气中扩散最快。根据双边界扩散模型,我们计算出了扩散系数。硼在二氧化硅中的扩散系数比磷大约要大两个数量级。这点对于硅栅工艺来说非常重要。在 P 沟硅栅晶体管中.由于硼从掺杂多晶硅栅电极扩散到栅氧化层中去,从而会引起晶体管性能的不稳定。

关键词：二氧化硅扩散系数掺硼单晶硅氮气氛多晶硅栅硅衬底穿通