检索结果-南通市图书馆

铁电磁体Pb(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3的磁电性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2005年第9期54卷 4213-4216页

作者：杨颖李启昌刘俊明刘治国南京大学固体微结构物理实验室

对铁电磁体Pb(Fe12Nb12)O3单晶样品中的介电和磁性能进行了研究.认为在其反铁磁相变点观察到的介电常数和损耗的异常来自于自发极化序和自旋序的相互作用引起的磁电耦合.磁矩与温度的关系曲线在Nel点以下的低温段呈上升趋势,测得的磁滞... 详细信息

对铁电磁体Pb(Fe12Nb12)O3单晶样品中的介电和磁性能进行了研究.认为在其反铁磁相变点观察到的介电常数和损耗的异常来自于自发极化序和自旋序的相互作用引起的磁电耦合.磁矩与温度的关系曲线在Nel点以下的低温段呈上升趋势,测得的磁滞回线证明有弱铁磁性出现.对铁电磁体磁电相互作用的MonteCarlo模拟得到与实验类似的结果.

关键词：铁电磁体磁电耦合磁电性能单晶体介电常数磁滞回线

Cu掺杂ZnO稀磁半导体磁电性能影响的模拟计算

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2015年第16期64卷 354-363页

作者：侯清玉许镇潮乌云赵二俊内蒙古工业大学理学院呼和浩特010051 内蒙古化工职业学院化学工程系呼和浩特010071

在Cu重掺杂量摩尔数为0.02778—0.16667的范围内,对Zn O掺杂体系磁电性能影响的第一性原理研究鲜见报道.采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,用第一性原理计算了两种不同Cu单掺杂量Zn1-x CuxO(x=0.02778,0.03125)超胞的能带... 详细信息

在Cu重掺杂量摩尔数为0.02778—0.16667的范围内,对Zn O掺杂体系磁电性能影响的第一性原理研究鲜见报道.采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,用第一性原理计算了两种不同Cu单掺杂量Zn1-x CuxO(x=0.02778,0.03125)超胞的能带结构分布和态密度分布.结果表明,掺杂体系是半金属化的稀磁半导体;Cu掺杂量越增加、相对自由空穴浓度越增加、空穴有效质量越减小、电子迁移率越减小、电子电导率越增加.此结果利用电离能和Bohr半径进一步获得了证明,计算结果与实验结果相符合.在限定的掺杂量0.02778—0.0625的条件下,Cu单掺杂量越增加、掺杂体系的体积越减小、总能量越升高、稳定性越下降、形成能越升高、掺杂越难.在相同掺杂量、不同有序占位Cu双掺ZnO体系的条件下,双掺杂Cu-Cu间距越增加,掺杂体系磁矩先增加后减小;当沿偏a轴或b轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时,掺杂体系会引起磁性猝灭;当沿偏c轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时,掺杂体系居里温度能够达到室温以上的要求.在限定的掺杂量0.0625—0.16667的条件下,沿偏c轴方向Cu—O—Cu相近邻成键时,Cu双掺杂量越增加,掺杂体系总磁矩先增加后减小.计算结果与实验结果变化趋势相符合.

关键词： Cu掺杂ZnO 电子结构磁电性能第一性原理

新半金属Fe_2LaO_4磁电性能的第一性原理计算

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

无机化学学报 2007年第11期23卷 1857-1863页

作者：刘俊陈希明董会宁重庆邮电大学应用物理研究所

利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法设计并优化了含稀土元素的新半金属Fe2LaO4。详细计算了其电荷分布,分子磁矩等磁电性能,并结合配位场理论分析了其电子结构。结果表明,Fe2LaO4是一种含稀土元素的铁磁性的新ⅡB型半金属;它的稳... 详细信息

利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法设计并优化了含稀土元素的新半金属Fe2LaO4。详细计算了其电荷分布,分子磁矩等磁电性能,并结合配位场理论分析了其电子结构。结果表明,Fe2LaO4是一种含稀土元素的铁磁性的新ⅡB型半金属;它的稳定相晶格常数约为0.623nm,分子磁矩约为1.0μB;Fe2LaO4属软铁磁性半金属;La较多的外层电子增强了Fe2LaO4内部的库仑斥力,导致了配合物ML4和ML6均受强场作用,从而使Fe2LaO4具有软铁磁性;考虑自旋分布后ML4和ML6的电子结构分别为a1g1↑a1g1↓t1u3↑t1u3↓eg2↑eg2↓t2g3↑t2g3↓和a1g1↑a1g1↓t1u3↑t1u3↓t2g3↑t2g3↓eg2↑eg2↓eg*1↑,这些电子属于分子轨道。

关键词： Fe2LaO4 新半金属磁电性能电子结构分子磁矩

共沉淀法制备CoFe_2O_4纳米颗粒及其磁电性能表征

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2017年第8期48卷 102-106,112页

作者：程振宇代建清王志翔朱建辉徐接旺昆明理工大学材料科学与工程学院昆明650093

通过热力学计算确定Me-NaOH-NH_3·H_2O体系中钴离子和铁离子的最佳共沉淀pH值,然后采用化学共沉淀法制备了CoFe_2O_4的前驱体粉体,再经过热处理制得纯相CoFe_2O_4粉体,并用X射线衍射仪、扫描电镜、振动样品磁强计和精密阻抗分析仪对其... 详细信息

通过热力学计算确定Me-NaOH-NH_3·H_2O体系中钴离子和铁离子的最佳共沉淀pH值,然后采用化学共沉淀法制备了CoFe_2O_4的前驱体粉体,再经过热处理制得纯相CoFe_2O_4粉体,并用X射线衍射仪、扫描电镜、振动样品磁强计和精密阻抗分析仪对其进行表征。结果表明,在pH值=11.4的的共沉淀条件下制备得到前驱体粉体,经400℃煅烧就已经开始形成CoFe_2O_4粉体,温度继续升高生成纯相粉体;并且样品的饱和磁化强度Ms、剩磁Mr及矫顽力Hc随温度升高先增大后减小,在500℃(接近居里温度点)附近达到最大值分别为Ms=14.40A·m^2/kg,Mr=3.15A·m^2/kg,Hc=3.22kA/m,与以往研究报道不同。

关键词：铁酸钴磁滞回线共沉淀法热处理温度磁电性能

Cr含量对ZB型半金属铁磁体Cr_xZn_(1-x)Se磁电性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2010年第6期27卷 1162-1168页

作者：董健董会宁张翠玲刘俊重庆邮电大学应用物理研究所重庆400065 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院重庆400067

使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,优化了闪锌矿结构的Cr_xZn_(1-x)Se(x=0.000,0.125,0.250和0.375)的2×2×2超胞的几何结构,计算了其自旋极化的态密度和能带结构、离子磁矩、电荷分布等磁电性能,详细分析了Cr含量对Cr_xZn_(1-x)S... 详细信息

使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,优化了闪锌矿结构的Cr_xZn_(1-x)Se(x=0.000,0.125,0.250和0.375)的2×2×2超胞的几何结构,计算了其自旋极化的态密度和能带结构、离子磁矩、电荷分布等磁电性能,详细分析了Cr含量对Cr_xZn_(1-x)Se磁电性能的影响.结果表明,Cr掺杂后ZB型ZnSe具有明显的半金属特性;当x=0.125,0.250和0.375时,Cr_xZn_(1-x)Se均有较宽的半金属带隙,从而可能具有较高的居里温度;当x=0.125时,Cr_xZn_(1-x)Se的半金属性最稳定;x=0.125,0.250和0.375时,Cr_xZn_(1-x)Se的超胞磁矩分别为整数磁矩4.0,8.0和12.0μ_B,而具有整数磁矩是半金属铁磁体非常重要的特征之一.Cr_xZn_(1-x)Se的半金属性和磁性主要来源于Cr离子的自旋极化,Cr离子的电子结构为Cr e_g^2↑e_g^1↓t_(2g)~3↑.

关键词：半金属铁磁体超胞磁矩磁电性能电子结构

锰锌铁氧体/锆钛酸铅复合陶瓷微结构及磁电性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子元件与材料 2019年第8期38卷 20-28页

作者：秦晓凤徐瑞成王振华陈刚高荣礼重庆科技学院冶金与材料工程学院重庆401331 纳微复合材料与器件重庆市重点实验室重庆401331

采用共沉淀法和溶胶-凝胶法制备了Mn0.5 Zn0.5 Fe2O4/PbZr0.52 Ti0.48O3(MZFO/PZT)复合陶瓷,研究了MZFO/PZT质量比对复合陶瓷微结构及磁电性能的影响.通过XRD、SEM、EDS对复合陶瓷的相结构、表面微结构、成分进行表征,通过LCR数字电桥... 详细信息

采用共沉淀法和溶胶-凝胶法制备了Mn0.5 Zn0.5 Fe2O4/PbZr0.52 Ti0.48O3(MZFO/PZT)复合陶瓷,研究了MZFO/PZT质量比对复合陶瓷微结构及磁电性能的影响.通过XRD、SEM、EDS对复合陶瓷的相结构、表面微结构、成分进行表征,通过LCR数字电桥、铁电分析仪、振动样品磁强计对复合陶瓷的介电性、铁电性、磁性进行研究.结果表明:复合陶瓷中存在少量杂相(Fe2O3).不同质量比的复合陶瓷其居里温度(TC)略有不同,TC介于327℃和361℃之间.复合陶瓷的磁化强度与质量比呈非单调的变化关系.由于具有较强的界面效应,质量比为1:1.5的复合陶瓷具有最大的饱和磁化强度和剩余磁化强度,分别为2.2071 A·m^2/kg和0.0304 A·m^2/kg.施加磁场后复合陶瓷的极化强度明显减小,表现出负的磁电耦合系数.

关键词：质量比 Mn0.5Zn0.5Fe2O4/PbZr0.52Ti0.48O3 复合陶瓷微结构磁电性能

(Ba/Nd)掺杂SrMnO3陶瓷的相结构与磁电性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

(Ba/Nd)掺杂SrMnO3陶瓷的相结构与磁电性能研究

作者：王猛哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

钙钛矿型锰酸盐SrMnO3因为自旋、电荷有序和磁性等丰富的物理性质而在多铁材料领域受到重视,但是SrMnO3的制备方法存在不足、在常温下因其六方结构而仅表现为顺电-反铁磁性、SrMnO3的性能调控研究大多局限在理论方面。基于上述问题,本文... 详细信息

钙钛矿型锰酸盐SrMnO3因为自旋、电荷有序和磁性等丰富的物理性质而在多铁材料领域受到重视,但是SrMnO3的制备方法存在不足、在常温下因其六方结构而仅表现为顺电-反铁磁性、SrMnO3的性能调控研究大多局限在理论方面。基于上述问题,本文对SrMnO3的合成、元素掺杂（Ba/Nd）及快速冷却调整SrMnO3陶瓷的相结构、结构相变前后SrMnO3陶瓷的磁电性能三个方面进行较为细致的研究。结果表明,通过优化制备工艺可以克服SrMnO3合成温度高、周期长、杂质多的缺点。采用冰乙酸-乙二醇的溶胶凝胶体系合成SrMnO3粉体和陶瓷,在氧气气氛下1350～1400oC煅烧即可得到纯相SrMnO3粉体,TEM观察表明物相是纯净的六方结构。SrMnO3陶瓷的最佳烧结工艺是氧气气氛下1400oC保温4h烧结,陶瓷致密度为96.4%。XPS分析表明SrMnO3陶瓷因存在氧空位导致部分Mn4+转变为Mn3+,降低了材料的绝缘性。通过XRD、TEM等研究手段,发现元素掺杂显著改变了SrMnO3的相结构。Sr1-xBaxMnO3（0≤x≤0.5）粉体的煅烧工艺是1300oC空气气氛下保温2h。Sr1-xBax MnO3陶瓷可在O2气氛下1380oC保温2h烧结得到,随着Ba2+离子掺杂量的增加,SrMnO3陶瓷的相结构出现晶格畸变,晶相是伪六方结构。在空气气氛下1300oC保温2h煅烧可得到纯相Sr1-xNdxMnO3（0≤x≤0.5）粉体,粉体颗粒平均尺约为10μm。Sr1-xNdxMnO3陶瓷可在O2气氛下1400 oC保温2h烧结得到,随着Nd3+离子掺杂量的增加,TEM观察表明晶体结构从六方相逐渐转变为正交相。Nd3+离子掺杂量x=0.2时,陶瓷收缩程度最大。掺杂Nd3+离子后陶瓷的结构相变与Mn3+O6八面体倾斜和Jahn-Teller晶格畸变作用密切相关。SrMnO3陶瓷的相对介电常数εr=3700.00,介电损耗正切值tanδ=1.00。MPMS、粉末中子衍射（NPD）的结果表明,SrMnO3陶瓷的反铁磁尼尔温度TN0K,在2K时自发磁化值最大,Ms=2.13emu/g,矫顽场Hc=10800Oe,陶瓷块体的磁性能优于粉体,SrMnO3陶瓷粉末的磁结构在尼尔温度以下是反铁磁结构。通过介电、MPMS、NPD等研究手段,分析发现SrMnO3陶瓷结构转变以后,磁电性能发生了显著变化。选择掺杂2wt%Ba2+离子时,陶瓷具有最佳的介电性能,εr=1043.06,tanδ=3.38。引入Ba2+离子以后SrMnO3介电性能的降低与氧空位的浓度增加有关。掺杂Nd3+离子明显改善SrMnO3陶瓷的磁性能,其尼尔温度TN从单相SrMnO3的60K升高至283K,在2K时自发磁化值最大,Ms=13.92emu/g,远高于单相SrMnO3,矫顽场Hc=1247Oe。Sr0.8Nd0.2MnO3陶瓷的磁结构在尼尔温度以下已经转变为C-型反铁磁结构。相比于SrMnO3,掺杂Nd3+离子以后陶瓷尼尔温度和磁性能的提高与Jahn-Teller晶格畸变效应有关。

关键词： SrMnO3 溶胶凝胶相结构晶格畸变磁电性能

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

高性能铁硅软磁粉芯的制备及磁电性能研究

高性能铁硅软磁粉芯的制备及磁电性能研究

作者：陈蓉合肥工业大学

学位级别：硕士

含有分布式气隙的金属软磁粉芯兼具金属软磁材料高饱和磁通密度和铁氧体软磁材料高电阻率的优良特性,符合电力电子器件的未来发展趋势。随着大功率低能耗器件的持续发展,具有良好直流偏置特性的铁硅软磁粉芯已成为行业研发的焦点。本文... 详细信息

含有分布式气隙的金属软磁粉芯兼具金属软磁材料高饱和磁通密度和铁氧体软磁材料高电阻率的优良特性,符合电力电子器件的未来发展趋势。随着大功率低能耗器件的持续发展,具有良好直流偏置特性的铁硅软磁粉芯已成为行业研发的焦点。本文采用磷酸钝化工艺制备Fe-6.5wt%Si软磁粉芯,研究了绝缘剂和粘结剂的用量以及成型压力对磁粉芯磁电性能的影响。研究表明：绝缘剂和粘结剂用量的适当增加可以降低磁粉芯的有效磁导率和涡流损耗,且能优化直流偏置性能;而适当增大成型压强使得有效磁导率增加、高频损耗降低。制备参数的变化通过改变磁粉颗粒之间的非磁性绝缘层厚度以及绝缘辅料分解的残留物和气隙含量,来影响畴壁移动被钉扎的程度,进而决定粉芯磁电性能的变化。实验在磁导率60牌号的铁硅粉芯中获得了优异性能：50kHz/100mT的损耗和1000e的有效磁导率百分比可同时实现不高于600mW/cm3和不低于81%。在铁硅粉芯研究的基础上,实验还通过掺入低成本Fe-9.6wt%Si-5.4wt%Al绝缘磁粉制备了铁硅/铁硅铝复合粉芯。研究铁硅铝掺入量以及热处理工艺对复合粉芯磁电性能的影响。研究发现：铁硅铝磁粉的掺入以及适当升高热处理温度和延长热处理时间可以有效降低粉芯的损耗,但在一定程度上都会造成粉芯直流偏置性能的下降。铁硅铝合金接近于0的磁致伸缩系数和磁各向异性常数以及应力弛豫和辅料分解导致畴壁钉扎点的减少可以合理解释磁电性能的变化。研究在磁导率60牌号的复合粉芯中也获得了优异性能：50kHz/100mT的损耗和1000e的有效磁导率百分比可同时实现457mW/cm3和62.68%。

关键词： Fe-6.5wt%Si 绝缘包覆热处理工艺复合粉芯磁电性能

反铁磁Mn基化合物的磁电性能和反常霍尔效应研究

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

反铁磁Mn基化合物的磁电性能和反常霍尔效应研究

作者：刘芸锐杭州电子科技大学

学位级别：硕士

反常霍尔效应是自旋电子学中一个重要的物理现象,长期以来传统反铁磁材料由于正负自旋互相抵消所以被认为不会出现反常霍尔效应,但经过不断探索发现Mn基非线性反铁磁材料中却存在巨大的反常霍尔效应。同时因为这类反铁磁材料独特的自旋... 详细信息

反常霍尔效应是自旋电子学中一个重要的物理现象,长期以来传统反铁磁材料由于正负自旋互相抵消所以被认为不会出现反常霍尔效应,但经过不断探索发现Mn基非线性反铁磁材料中却存在巨大的反常霍尔效应。同时因为这类反铁磁材料独特的自旋结构,所以它们比铁磁材料具有更快的响应速度以及更不容易受到磁场的干扰,这为设计和制备新型自旋电子器件开辟了条件。本文采用了电弧熔炼技术和后续热处理制备出了Mn基反铁磁材料如MnGe、MnGa、MnGaGe(x=0.2,0.5,0.8)、MnVFeGa等样品,并研究了Mn基反铁磁材料的物相结构、磁电性能、霍尔效应及其相互之间联系。本文研究进一步提升了该类材料应用于自旋电子器件领域的潜力。主要研究内容和结论如下:1.采用高温电弧熔炼技术制备了MnGe、MnGa样品,均为六方晶系,空间群为P/mmc。对其磁电性能和霍尔效应展开了研究发现:两者均为三角形反铁磁自旋结构,并分别在360 K～380 K和170 K～240 K时发生了晶格的几何畸变。此外,两者都具有大的反常霍尔电阻率,其反常霍尔效应内部作用机制均是KL内禀机制或边跳机制,在室温时,MnGe和MnGa样品的反常霍尔电阻率分别达到了0.41μΩcm和0.28μΩcm。对于MnGa样品,通过拟合提取出了拓扑霍尔效应,发现其在300 K及其以下具有拓扑霍尔效应,并且在50 K时拓扑霍尔电阻率达到最大值0.441μΩcm。2.以高纯度的Mn、Ga、Ge元素为原材料,采用电弧熔炼技术及后续热处理,获得了多晶MnGaGe(x=0.2,0.5,0.8)合金。研究了不同浓度Ge元素掺杂,对样品的结构、磁电性能以及霍尔效应的影响。结果显示:制备出的MnGaGe(x=0.2,0.5,0.8)合金均为六方晶系,空间群为P/mmc。随着Ge元素掺杂浓度的增加,样品的奈尔温度逐渐降低,MnGaGe(x=0.2,0.5,0.8)的奈尔温度分别是465K、437 K、400 K。同时Ge元素的掺杂浓度也会影响样品场冷曲线磁化强度的变化幅度,其中:由于少量Ge元素的掺杂(x=0.2)导致低温时部分自旋取向移出ab面内,所以场冷曲线的磁化强度在MnGaGe样品中表现为200 K时存在陡峭的上升趋势;而适量和过量掺杂Ge元素时(x=0.5,0.8)不易发生自旋倾斜,所以MnGaGe和MnGaGe样品中场冷曲线的磁化强度则呈现整体平缓上升的趋势,MnGaGe在75 K附近磁性的升高主要是由于α-Mn的存在。通过对MnGaGe(x=0.2,0.5,0.8)的霍尔效应测量发现,随着Ge元素掺杂浓度的增加,反常霍尔电阻率值逐渐增加,但霍尔效应的内部作用机制一直为KL内禀机制或边跳机制。在室温下MnGaGe、MnGaGe和MnGaGe的反常霍尔电阻率分别为0.70μΩcm,0.79μΩcm,0.84μΩcm。当温度低于200 K时样品MnGaGe具有拓扑霍尔效应,并发现其拓扑霍尔电阻率在120 K时达到最大值0.242μΩcm。3.采用电弧熔炼技术制备出了MnVFeGa合金,并对其物相结构、磁电性能、霍尔效应展开研究。MnVFeGa为立方结构,空间群为Fm-3m,通过霍尔测量发现其反常霍尔电阻率较高,室温时为1.79μΩcm,相较于MnGa高温ε相的反常霍尔电阻率提高了1.51μΩcm。

关键词： Mn基反铁磁材料反常霍尔效应拓扑霍尔效应磁电性能