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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 光学工程
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 3 篇 碰撞电离率
  • 1 篇 退化
  • 1 篇 激光光学
  • 1 篇 可靠性评估
  • 1 篇 功率场效应管
  • 1 篇 载流子注入
  • 1 篇 集成电路工艺
  • 1 篇 发光效率
  • 1 篇 沟道电场峰值
  • 1 篇 高电子迁移率晶体...
  • 1 篇 砷化镓晶体管
  • 1 篇 可靠性
  • 1 篇 全硅光学生物传感...
  • 1 篇 phemt器件
  • 1 篇 gaas
  • 1 篇 失效分析
  • 1 篇 表面电场

机构

  • 1 篇 信息产业部十三所
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 西南交通大学
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 1 篇 冯全源
  • 1 篇 朱坤峰
  • 1 篇 赵建明
  • 1 篇 郑雪峰
  • 1 篇 刘志伟
  • 1 篇 汪德波
  • 1 篇 刘红侠
  • 1 篇 张绵
  • 1 篇 程骏骥
  • 1 篇 黄磊
  • 1 篇 徐开凯
  • 1 篇 艾康
  • 1 篇 韩晓亮
  • 1 篇 吴克军
  • 1 篇 刘钟远
  • 1 篇 郝跃
  • 1 篇 陈晓培

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=碰撞电离率"
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基于标准CMOS技术的新型多晶硅发光器件的设计与实现
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中国激光 2020年 第7期47卷 300-306页
作者： 艾康 程骏骥 朱坤峰 吴克军 刘钟远 刘志伟 赵建明 黄磊 徐开凯 电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室 四川成都610054 中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆400060 中国电子科技集团公司第四十四研究所 重庆400060
目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴在轻和重质量带之间... 详细信息
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一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究
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物理学报 2003年 第10期52卷 2576-2579页
作者： 刘红侠 郑雪峰 韩晓亮 郝跃 张绵 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071 信息产业部十三所 石家庄050002
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关... 详细信息
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一款75V功率场效应管失效分析与改进
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微电子学 2014年 第6期44卷 829-832页
作者： 汪德波 冯全源 陈晓培 西南交通大学微电子研究所 成都610031
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.... 详细信息
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