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nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi 晶体管直流特性数值分析

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大连理工大学学报 1998年第5期38卷 516-520页

作者：安俊明李建军魏希文沈光地大连理工大学物理系北京工业大学电子工程系

采用一维有限差分方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析，给出了高斯掺杂情形下，基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、... 详细信息

采用一维有限差分方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析，给出了高斯掺杂情形下，基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图；与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比，结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能；其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟，证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．

关键词：异质结计算晶体管直流特性数值分析

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BJFET直流特性的PSpice模拟分析

固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 181-184页

作者：曾云盛霞樊卫马群刚湖南大学应用物理系长沙410082

新型双极结型场效应晶体管 (BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性 ,然后使用 PSpice软件进行直流特性及其参数扫描模拟分析。

关键词：双注入结型场效应管直流特性 PSpice模拟分析双极型晶体管

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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 479-482页

作者：张永李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明厦门大学物理系半导体光子学研究中心厦门361005 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0... 详细信息

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。

关键词：锗硅合金异质结双极型晶体管锗组分直流特性

GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究

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固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 235-237页

作者：李献杰敖金平曾庆明刘伟吉徐晓春刘式墉梁春广河北半导体研究所吉林大学电子工程系长春130023

报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反... 详细信息

报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反向击穿电压分别为 4V和 7.5 V。这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下 Ga As基 PHEMT的水平 ,与 In P基 In Al As/In Ga As

关键词： MHEMT 直流特性砷化镓铟铝砷铟镓砷电子迁移率晶体管

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DBRTD直流特性的水动力学模拟(英文)

电子器件 2006年第2期29卷 365-368页

作者：易里成荣王从舜谢常青刘明叶甜春中国科学院微电子研究所纳米加工-新器件集成技术实验室北京100029

利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时,可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度... 详细信息

利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时,可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度、高的掺杂浓度以及恰当的间隔层厚度、势垒厚度和高度,可以提高RTD器件的峰谷电流比(PVCR)和峰电流密度,从而满足实际应用的需要。

关键词：双势垒共振隧穿二极管器件模拟水动力学模型直流特性

Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声

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电子器件 2003年第1期26卷 22-24页

作者：廖小平张中平东南大学微电子中心南京210096

在对Si/SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺的研究基础上 ,研制成功低噪声Si/SiGe/SiHBT ,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性。

关键词： Si/SiGe/Si HBT 直流特性低频噪声

双极型压控晶体管直流特性的数值模拟(英文)

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电子器件 2000年第3期23卷 204-209页

作者：曾云金湘亮颜永红刘久玲成世明湖南大学应用物理系长沙410082 湖南农业大学理学院长沙410128

本文采用数值计算和解析分析相结合的方法 ,建立了新型功率半导体器件——双极型压控晶体管 (BJMOSFET)电流 -电压特性的数值分析模型 ;运用 Mathematics数学分析软件 ,模拟得出 BJMOSFET电压转移特性曲线和电压输出特性曲线 ;得出的结... 详细信息

本文采用数值计算和解析分析相结合的方法 ,建立了新型功率半导体器件——双极型压控晶体管 (BJMOSFET)电流 -电压特性的数值分析模型 ;运用 Mathematics数学分析软件 ,模拟得出 BJMOSFET电压转移特性曲线和电压输出特性曲线 ;得出的结果说明在相同的器件结构尺寸和工作情况下 ,与功率MOS晶体管相比 ,导通电压略有增加 ,但电流容量增加较大。

关键词：压控晶体管直流特性双极型数值模拟

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含有非磁性气隙层叠层电感直流特性的研究

压电与声光 2014年第6期36卷 1010-1012页

作者：王旭李元勋李颉李海鑫李强张怀武电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

为了获得适合功率电感磁芯材料的磁导率及提升器件的直流特性,提出了在器件磁芯材料层中引入一定厚度的非磁性气隙层可有效调节磁芯材料的磁导率,以提升器件的直流偏置性能.设计仿真了尺寸为2.0 mm×2.5×1.05 mm,含有10匝线圈的叠层功... 详细信息

为了获得适合功率电感磁芯材料的磁导率及提升器件的直流特性,提出了在器件磁芯材料层中引入一定厚度的非磁性气隙层可有效调节磁芯材料的磁导率,以提升器件的直流偏置性能.设计仿真了尺寸为2.0 mm×2.5×1.05 mm,含有10匝线圈的叠层功率电感中引入非磁性气隙层的直流特性.研究了在磁芯中部引入5～20 μm不同厚度气隙层的直流特性,结果表明直流电流从1.18A上升到2.34 A;同时研究了引入不同层数及不同分布排列的气隙层的直流特性,表明气隙层数越多,分布在磁芯中越稀疏,可获得更好的直流性能.

关键词：气隙层功率电感磁芯直流特性磁通密度

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 426-429页

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性