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CF／Al复合材料界面质量控制研究

金属学报 1995年第14期 86-90页

作者：王玉庆唐凤军郑久红周本濂中国科学院国际材料物理中心中国科学院金属研究所

采用挤压铸造工艺参数最优化、纤维表面涂层等手段，研究ＣＦ／Ａｌ复合材料界面质量控制和提高复合材料强度的效果．碳纤维和涂覆ＳｉＣ的碳纤维增强Ａｌ－１０Ｓｉ复合材料的挤压铸造最佳温度分别为Ｔｆ＝７３３Ｋ，Ｔｍ＝１０３３Ｋ... 详细信息

采用挤压铸造工艺参数最优化、纤维表面涂层等手段，研究ＣＦ／Ａｌ复合材料界面质量控制和提高复合材料强度的效果．碳纤维和涂覆ＳｉＣ的碳纤维增强Ａｌ－１０Ｓｉ复合材料的挤压铸造最佳温度分别为Ｔｆ＝７３３Ｋ，Ｔｍ＝１０３３Ｋ和Ｔｆ＝７５３Ｋ，Ｔｍ＝１０５３Ｋ．不同的涂层对界面质量有不同的影响，那些阻止界面反应、调节界面结合状态的涂层增强效果较好，如ＰＣＳ－ＳｉＣ可使复合体系强度提高８９％；Ｋ２ＺｒＦ６也有改善界面质量的功能，但加入量过大，导致复合材料强度的下降．随界面剪切强度的增大，复合材料强度增加．结果表明高模量碳纤维所允许的最佳界面剪切强度（τ０），远远大于低模量碳纤维所允许的τ０．从而具有较好的增强效果．

关键词： CF/Al 界面质量工艺参数涂层强度

复合绝缘子护套与芯棒界面质量检测及评估方法研究

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复合绝缘子护套与芯棒界面质量检测及评估方法研究

作者：段明明华北电力大学(北京)

学位级别：硕士

复合绝缘子护套与芯棒界面的粘接质量差是发生界面击穿和绝缘子断裂的重要原因,然而目前相关标准中并未针对护套与芯棒的界面质量给出统一的判断方法。本文参考机械力学中的压剪试验原理,通过设计组装试验装置、确定试验加载速率、提出... 详细信息

复合绝缘子护套与芯棒界面的粘接质量差是发生界面击穿和绝缘子断裂的重要原因,然而目前相关标准中并未针对护套与芯棒的界面质量给出统一的判断方法。本文参考机械力学中的压剪试验原理,通过设计组装试验装置、确定试验加载速率、提出粘接性判据,提出了一种新的用于判断复合绝缘子护套与芯棒界面粘接性的护套-芯棒压剪试验方法。对比分析运行绝缘子试样的解剖试验结果和护套-芯棒压剪试验结果发现,护套-芯棒压剪试验可有效检测护套与芯棒的界面粘接性。以单位面积分离功作为粘接性判据,对抽取的现场运行复合绝缘子的界面粘接性进行了检测和评价,结果表明护套-芯棒压剪试验不仅可以用于检测比较同支绝缘子不同位置的界面粘接性,也可以用来检测比较不同绝缘子的界面粘接性。通过检测运行绝缘子试样及人工老化绝缘子试样的界面泄漏电流,发现带护套芯棒试样水煮后的泄漏电流值超过标准规定的1.00mA主要是由于护套-芯棒界面缺陷过多,水煮过程中水分浸入界面缺陷处,造成界面电阻下降,界面泄漏电流值大幅度上升。运行绝缘子试样和人工老化绝缘子试样的护套-芯棒界面质量分析结果表明,界面泄漏电流和单位面积分离功可分别用来表征界面缺陷和界面粘接强度,护套-芯棒界面质量由界面缺陷和界面粘接强度2个方面构成。在运行绝缘子试样及人工老化绝缘子试样界面质量分析的基础上,以单位面积分离功和界面泄漏电流值作为评价指标,提出了护套-芯棒界面质量评估方法。

关键词：复合绝缘子护套与芯棒界面粘接性压剪试验粘接强度界面质量

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无熔深堆焊界面质量与工件温度研究初探

焊接 2006年第1期 55-57页

作者：成志富徐越兰南京理工大学材料科学与工程系 210094

采用热电偶测温和金相观察等手段,分析铜钢熔敷焊焊接过程中各个位置温度变化对熔敷层结合部位的影响,研究了良好结合层与对应温度之间的关系,为实现焊接过程的实时检测与控制提供了依据。

关键词：熔敷焊温度界面质量堆焊

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铜包钢复合线材包芯连铸对中装置的开发及界面质量控制

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铜包钢复合线材包芯连铸对中装置的开发及界面质量控制

钢筋/混凝土界面质量对钢筋锈蚀影响的电化学研究

第二届海峡两岸功能材料科技与产业峰会（2015）

作者：伍伟玉刘雪峰吴腾健北京科技大学材料科学与工程学院北京科技大学现代交通金属材料与加工技术北京实验室北京科技大学材料先进制备技术教育部重点实验室

包覆层厚度的均匀性、包覆比的可控性以及复合界面的质量是评价双金属复合线材质量的重要标准,始终是双金属复合线材制备中需要关注和解决的关键问题。本文针对自行研制的包芯连铸技术,开发了芯材对中装置,进行了铜包Q235钢复合线材制... 详细信息

包覆层厚度的均匀性、包覆比的可控性以及复合界面的质量是评价双金属复合线材质量的重要标准,始终是双金属复合线材制备中需要关注和解决的关键问题。本文针对自行研制的包芯连铸技术,开发了芯材对中装置,进行了铜包Q235钢复合线材制备的探索性实验,利用OM、SEM、EDS和剪切试验等手段对铜包Q235钢复合线材的包覆效果及界面质量进行了表征。结果表明:将执行部件、传动部件、连接套筒和牵引辊轮相结合成功构造了芯材对中装置,解决了包芯连铸过程中存在的芯材偏心现象及质量不合格等问题,获得了表面光亮、包覆层厚度均匀、包覆比稳定可控的铜包Q235钢复合线材,复合界面清洁且为冶金结合,没有孔洞、氧化皮及其他夹杂物,扩散层厚度为2μm左右。采用所开发的包芯连铸对中装置能制备出高对中性的双金属复合线材且不会引入其他杂质,可以推广应用于不同形状尺寸的高质量双金属复合材料的连铸制备。

关键词：铜包钢包芯连铸对中装置界面质量

来源： cnki会议评论

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钢筋/混凝土界面质量对钢筋锈蚀影响的电化学研究

2011年全国机械行业可靠性技术学术交流会暨第四届可靠性工程分会第三次全体委员大会

作者：张瑞金王雷东北大学机械工程及自动化学院

混凝土内钢筋锈蚀机理和锈蚀速度的研究是工程结构可靠性研究的重要内容之一。本文采用线性极化的电化学方法对氯盐环境下混凝土内钢筋锈蚀状态进行监测,研究探讨钢筋/混凝土黏结缺陷下钢筋的氯盐锈蚀机理,实验研究表明,不同界面质量下... 详细信息

混凝土内钢筋锈蚀机理和锈蚀速度的研究是工程结构可靠性研究的重要内容之一。本文采用线性极化的电化学方法对氯盐环境下混凝土内钢筋锈蚀状态进行监测,研究探讨钢筋/混凝土黏结缺陷下钢筋的氯盐锈蚀机理,实验研究表明,不同界面质量下钢筋的锈蚀形态有明显差异,良好的界面黏结质量可以延缓混凝土中钢筋的起始锈蚀时间,并明显降低钢筋的锈蚀速度。

关键词：电化学钢筋锈蚀混凝土结构界面质量

来源： cnki会议评论

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C_F／Al复合材料界面质量控制研究

金属学报 1995年第2期31卷 B086-B090页

作者：王玉庆唐凤军郑久红周本濂中国科学院金属研究所中国科学院国际材料物理中心

关键词：界面质量复合材料铝基碳纤维

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发光表征界面质量

现代材料动态 2009年第6期 13-13页

作者：邓志杰（摘译）

美国一研究组提出把光效发光强度（PL1）作为电容．电压（C-V）谱的一项补充技术测定Ⅲ-Ⅴ族半导体与电介质之间界面的质量。对于Ⅲ-Ⅴ族半导体MOSFET（它可望延长摩尔定律的“寿命”）来说，界面的作用至关重要，深入理解（了解）界面... 详细信息

美国一研究组提出把光效发光强度（PL1）作为电容．电压（C-V）谱的一项补充技术测定Ⅲ-Ⅴ族半导体与电介质之间界面的质量。对于Ⅲ-Ⅴ族半导体MOSFET（它可望延长摩尔定律的“寿命”）来说，界面的作用至关重要，深入理解（了解）界面质量是首要任务。在测量界面态密度方面，C-V谱使用非常普通，但它非常复杂，欲获得有价值的测量结果得加倍小心。对非Si半导体测量GV谱是一项最易被误读的技术，而PL1数据则可直接“解释”，因为测量中唯一可变的参数是激光的激发强度，

关键词：界面质量发光强度 Ⅲ-Ⅴ族半导体表征 MOSFET 界面态密度摩尔定律激发强度

热处理对汽车用镁/铝复合板的扩散动力学及力学性能的影响

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精密成形工程 2024年第9期16卷 172-180页

作者：赵亚平陈再良苏州农业职业技术学院智慧农业学院江苏苏州215008 苏州大学机电工程学院江苏苏州215021

目的探明热处理工艺参数对镁/铝复合板界面金属间化合物(IMCs)生长的影响规律,并揭示IMCs对镁/铝复合板力学性能的影响。方法首先通过热轧复合实验,制备了镁/铝复合板,其次通过不同的热处理工艺以及对界面微观结构特征的表征实验研究了... 详细信息

目的探明热处理工艺参数对镁/铝复合板界面金属间化合物(IMCs)生长的影响规律,并揭示IMCs对镁/铝复合板力学性能的影响。方法首先通过热轧复合实验,制备了镁/铝复合板,其次通过不同的热处理工艺以及对界面微观结构特征的表征实验研究了温度和时间对镁/铝复合板界面金属间化合物和界面结合质量的影响规律,最后通过理论计算,从扩散动力学的角度分析了界面相的形成机制和长大行为。结果镁和铝之间反应主要生成2种金属间化合物,即靠近铝侧的Mg_(2)Al_(3)和靠近镁侧的Mg_(17)Al_(12);一定厚度的金属间化合物有利于界面结合强度的提高,其中当IMCs层厚度为4μm时,界面结合强度最高,为32.5 MPa,随着IMCs层厚度的增加,界面结合质量逐渐降低,最终稳定在12.4 MPa附近。结论界面结合强度变化主要是由于热处理改变了界面的结合方式,由最初的Mg-Al直接接触到不连续的Mg-IMCs-Al接触再到最后的连续的Mg-IMCs-Al接触,改变了界面裂纹萌生和失效的方式。

关键词：镁/铝板相结构生长动力学界面质量热处理

LaTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性及Ti含量优化

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物理学报 2016年第3期65卷 273-278页

作者：徐火希徐静平黄冈师范学院电子信息系黄州438000 华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074

采用共反应溅射法将Ti添加到La_2O_3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数,LaTiO栅介质能够获得高k值;然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而... 详细信息

采用共反应溅射法将Ti添加到La_2O_3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数,LaTiO栅介质能够获得高k值;然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而增加,添加Ti使界面质量恶化,进而使栅极漏电流增大、器件可靠性降低.因此,为了在器件电特性之间实现协调,对Ti含量进行优化显得尤为重要.就所研究的Ti/La_2O_3比率而言,18.4%的Ti/La_2O_3比率最合适.该比率导致器件呈现出高k值(22.7)、低D_(it)(5.5×10^(11)eV^(-1)·cm^(-2))、可接受的J_g(V_g=1V,J_g=7.1×10^(-3)A·cm^(-2))和良好的器件可靠性.

关键词： Ge MOS LaTiO 界面质量 k值

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