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作者：冯文电子科技大学

学位级别：硕士

物联网、5G通信、无人驾驶等新场景对射频毫米波前端需求急剧增加,硅基工艺由于其高集成度和低廉的成本两大优点,在实现射频毫米波前端与数字系统完全集成时占据很大的优势。但是又由于其低击穿电压、高衬底损耗等特点,要实现功率放大... 详细信息

物联网、5G通信、无人驾驶等新场景对射频毫米波前端需求急剧增加,硅基工艺由于其高集成度和低廉的成本两大优点,在实现射频毫米波前端与数字系统完全集成时占据很大的优势。但是又由于其低击穿电压、高衬底损耗等特点,要实现功率放大器这种高功率模块完全集成仍然面临一定的挑战。MIMO技术的出现,系统对单个功率放大器功率需求降低,实现整个系统完全集成的可能性大大增加。本文主要研究在硅基工艺的限制下,如何设计出具有更优性能的功率放大器。首先,本文介绍了硅基工艺无源器件三大损耗机理,研究了无源器件和有源器件的版图物理结构、集总元件等效电路模型、表征参数及参数提取方法,为硅基毫米波功率放大器设计奠定了基础。在硅基工艺限制下,功率合成技术是实现高功率输出较好的解决方案,本文研究对比了片上功率合成技术。基于传输线的功率合成芯片占用面积较大,原理简单,易实现;基于变压器的电流或电压功率合成设计自由度高,在硅基工艺中应用广泛。其中,基于变压器电流功率合成的幅相一致性优于电压功率合成。采用共源共栅结构,基于65nm CMOS工艺设计了一款应用于24G FMCW雷达的驱动功率放大器,该驱动功率放大器的工作带宽为21.5GHz至26.4GHz,带内输入、输出匹配,OP1dB大于8.5dBm,Psat大于13dBm,Peak PAE大于16.5%。采用基于正反馈中和电容共射结构,基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的功率放大器。该功率放大器第一个优点是输出级采用两路合成式电流复用技术来双倍提高供电电压,从而降低直流电流;第二个优点是通过利用前后级的AM-AM和AM-PM失真走势相反相消来提高功率放大器整体线性度。功率放大器在28GHz的仿真性能为:OP1dB为16.7dBm,相应PAE为28%,AM-PM失真小于2.4°,由1dB压缩点回退6dB时的回退PAE为12%。

关键词：硅基工艺功率放大器电流复用 AM-AM AM-PM

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超宽带低噪声放大器的设计

超宽带低噪声放大器的设计

作者：万力涛北京交通大学

学位级别：硕士

摘要：人类正经历着一场信息革命,而一切的革命都是为了满足未来的需求。从电报、电话、广播、电视的发明到计算机应用的普及,再到计算机与现代通信技术的结合,然后是云计算与物联网的兴起,我们对信息的需求呈爆炸式增长,超宽带技术(Ult... 详细信息

摘要：人类正经历着一场信息革命,而一切的革命都是为了满足未来的需求。从电报、电话、广播、电视的发明到计算机应用的普及,再到计算机与现代通信技术的结合,然后是云计算与物联网的兴起,我们对信息的需求呈爆炸式增长,超宽带技术(Ultra WideBand, UWB)应运而生。而低噪声放大器(low noise amplifier, LNA)是所有无线接收机的必不可少的模块,高性能(阻抗匹配、噪声系数,线性度、平坦的功率增益、功耗等)的超宽带低噪声放大器(UWB-LNA)将是实现这一技术的必要组成部分,其性能直接影响超宽带接收机的整体性能。本论文基于SMIC0.18um RF CMOS工艺,研究了CMOS超宽带低噪声放大器的设计,探讨了超宽带低噪声放大器设计的理论研究,包括噪声理论、经典的二端口网络噪声理论、低噪声放大器的线性度分析和匹配理论;第三章是超宽带低噪声放大器的设计,包括以下五个主体内容：推导了设计指标、超宽带低噪声放大器结构的选择、三种低功耗低噪声设计技术的介绍、一种改进的低噪声放大器设计方法以及具体的电路拓扑结构;第四章,是所设计的两个超宽带低噪声放大器重要指标的前仿真结果;第五章,是版图和后仿真;第六章,是总结。本论文设计了两个超宽带低噪声放大器,带宽分别为3.1GHz到10.6GHz,3.1GHz到8GHz。前仿真结果表明,两放大器在工作频率上,1.8V电源电压下,噪声系数NF分别低于3.88dB和3.32dB,其输入匹配特性S1l小于-10dB,增益S21分别大于12dB和16dB,输入三阶交调点均优于-9dBm,各项性能指标均达到了设计目标的要求。此外,还对电路进行了后仿真,给出了更接近真实性能的数据。

关键词：超宽带低噪声放大器电流复用射频接收机

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基于CMOS工艺射频前端混频器研究

基于CMOS工艺射频前端混频器研究

作者：高俊君杭州电子科技大学

学位级别：硕士

近年来,在市场竞争日趋激烈地推动下,无线通信设备不断朝着低成本、低功耗、小型化、多功能、多标准的方向发展。高集成度,低成本的硅CMOS技术和高集成度的射频接收机结构是实现这一发展方向的有效途径。在这种情况下,零中频接收机和低... 详细信息

近年来,在市场竞争日趋激烈地推动下,无线通信设备不断朝着低成本、低功耗、小型化、多功能、多标准的方向发展。高集成度,低成本的硅CMOS技术和高集成度的射频接收机结构是实现这一发展方向的有效途径。在这种情况下,零中频接收机和低中频接收机因具有高集成度而得到广泛的应用。混频器是接收机中的一个关键模块,设计一个高性能的混频器尤为重要。因此,论文首先对高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器进行了研究。UWB系统具有高比特率、低功耗和低成本的性能,它已经成为了无线个人区域网络(WPAN)的新兴技术。从WPAN的趋势来看,UWB的使用让人们的生活变得更加方便。再者,目前射频技术不断发展以满足宽频带的应用,为此本文又设计了应用于UWB系统的3-5GHz宽带混频器。论文首先介绍了射频集成电路以及CMOS混频器的研究现状,描述了目前低成本、高集成度、低功耗、高性能的发展趋势,接着简要分析了目前比较常用的几种接收机结构:超外差接收机、零中频接收机、镜像抑制接收机、低中频接收机,并比较了这几种接收机的优缺点。混频器是接收机中的一个核心模块,其性能的好坏直接影响了整个系统的性能。设计一个具有较好性能的混频器就是本文的目的所在。文中概述了混频器的原理,在接收机中,混频器的作用是将射频信号与本振信号进行混频,下变频到后继模块较好处理的中频信号。按照不同的标准,可以将混频器分成不同的种类,但是不管如何,混频器的性能指标大致相同,主要包括转换增益、线性度、噪声系数等。通过对各性能指标的分析可知,混频器的设计要折中考虑增益、噪声和线性度,而电流注入技术可以改善混频器性能参数之间相互制约的关系。在众多的性能指标中,线性度是比较重要的一个,因此本文着重对线性度进行了分析,包括非线性问题产生的原因以及优化技术,都进行了详细描述。本文设计了一种偶次谐波混频器,采用倍频电路来利用偶次谐波作为混频器的本振信号,采用电流复用结构作为射频输入级来提高混频器的转换增益和线性度,在射频输入级和本振输入级之间插入一个电感来进一步提高混频器的线性度,因此所设计的混频器具有高增益高线性度的特点。在此基础上,本文还做了进一步改进,将射频级和本振级之间的大电感替换成LC谐振电路,对电路性能有了一定程度的提高,同时,减小了版图面积,降低了成本。本文还尝试设计了3-5GHz的宽带混频器,采用了折叠混频器结构,降低了对电源电压的要求,使跨导级和开关级更好地工作在饱和区,同时跨导级采用了前馈电路技术,消除了三阶失真,提高了线性度,所设计的混频器同样具有高线性度的特点。本文所设计的混频器均采用SMIC 0.18μm CMOS RF工艺库实现,使用ADS进行仿真,Virtuoso完成版图设计。

关键词： CMOS 混频器偶次谐波电流复用折叠结构前馈电路

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低相位噪声、低功耗CMOS压控振荡器设计

低相位噪声、低功耗CMOS压控振荡器设计

作者：李英男天津大学

学位级别：硕士

压控振荡器是无线通信系统、雷达系统收发机的重要组成部分。其性能的优劣在一定程度上决定了整个系统的功能。尤其是相位噪声和功耗,它们直接影响了评估振荡器整体性能的质量因数的大小,是设计压控振荡器的重要指标。本文针对“低相位... 详细信息

压控振荡器是无线通信系统、雷达系统收发机的重要组成部分。其性能的优劣在一定程度上决定了整个系统的功能。尤其是相位噪声和功耗,它们直接影响了评估振荡器整体性能的质量因数的大小,是设计压控振荡器的重要指标。本文针对“低相位噪声、低功耗CMOS压控振荡器的设计”这一课题展开具体的研究。主要工作包括:（1）针对近二十年来发表的基于电感电容的压控振荡器相关的重要文献进行了文献综述。这部分对基于电感电容的压控振荡器的主要性能指标如相位噪声、频率调谐范围、功率消耗等进行了理论分析,并将针对不同指标参数而提出的性能改进的方法和技术进行了分类总结。最后,分析了振荡器的性能发展趋势。（2）适用于调频连续波雷达系统的低相位噪声、低功耗连续调谐双核压控振荡器的设计。通过双核结构,在保证了较宽的连续频率调谐范围的同时降低了相位噪声。通过中心抽头变压器耦合缓冲放大器的电流复用技术解决了双核振荡器的高功耗的问题,实现了双核压控振荡器质量因数的改善。同时大幅提高了输出功率,实现了功率效率的大幅提升。该电路采用GF 55 nm CMOS工艺设计,使用仿真软件进行联合仿真,完成了电路原理图的调试和版图的设计。（3）低相位噪声、低功耗互补F类压控振荡器的设计。该结构通过变压器耦合辅助谐振腔,通过其附加的阻抗峰值增加了基波的三次谐波,在电感电容谐振腔附近形成了伪方波电压波形,增加了信号斜率并减小了脉冲灵敏度函数,从而降低了振荡器的有效噪声因子,结合互补结构,最大程度的降低了振荡器的相位噪声和功耗,实现了目前K波段压控振荡器的最大质量因数。该电路采用GF 55 nm CMOS工艺设计,使用仿真软件进行联合仿真,完成了电路原理图的调试和版图的设计。

关键词：压控振荡器相位噪声功耗双核电流复用 F类互补结构

10-Gb/s CMOS无电感低功耗跨阻放大器芯片设计

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10-Gb/s CMOS无电感低功耗跨阻放大器芯片设计

作者：丁昊凡福建农林大学

学位级别：硕士

随着数字经济的高速发展和10G无源光网络(Passive Optical Network,PON)的不断推进,全球光通信芯片市场需求持续增长。跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)作为光接收机的核心光通信芯片,直接影响整个光纤系统的性能。然而,由于... 详细信息

随着数字经济的高速发展和10G无源光网络(Passive Optical Network,PON)的不断推进,全球光通信芯片市场需求持续增长。跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)作为光接收机的核心光通信芯片,直接影响整个光纤系统的性能。然而,由于高端跨阻放大器芯片国产化率低,该领域存在着“卡脖子”的问题,制约了我国光通信产业的发展。因此,本文聚焦10G PON系统光网络单元侧的跨阻放大器展开研究,面向千兆光纤网络应用场景,基于65nm CMOS工艺设计了一款无电感、低功耗的10-Gb/s跨阻放大器。CMOS跨阻放大器设计面临的挑战之一是雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)在跨阻放大器光电接口处会引入大的寄生电容,严重限制芯片带宽,降低芯片灵敏度。另一个重要挑战是相较于Si Ge工艺,CMOS工艺的单位电流跨导较小,因此要实现与Si Ge跨阻放大器相当的性能,会导致CMOS跨阻放大器的功耗急剧增加。为了克服上述挑战,本文提出了以下创新解决方案。针对光电接口瓶颈难题,本文通过融合均衡技术和电流注入技术,提出了一种全新的TIA架构。将TIA输入级的带宽设置得较低,再利用均衡技术进行高频补偿,不仅将带宽扩展至所需标准,而且增加了反馈电阻,明显改善跨阻放大器噪声性能。采用电流注入技术有效缓解了跨阻放大器的跨阻增益和带宽之间的权衡。为了实现无电带宽扩展,本文提出一种栅极-漏极消除(Gate–drain cancelation,GDC)技术将跨阻放大器主通道带宽提高了37.5%。以上技术使本文设计的跨阻放大器可驱动低成本的窄带APD实现千兆光纤网络高速应用。针对功耗设计难题,本文提出了一种新颖的尾电流复用电路,将输出缓冲级的尾电流复用并注入跨阻放大器输入级,为跨阻放大器提供了更大的输入晶体管跨导,并通过电路设计层面解决了尾电流复用电路可能带来的耦合问题。该电路使芯片实现了更大的带宽和更低的噪声,并节省了20%的功耗,为突破CMOS跨阻放大器功耗极限提供了一种新思路。本文完成了跨阻放大器的电路、版图设计和流片测试工作,并实现了优异的性能指标。实测整体芯片面积为0.56mm,在3.3V电源电压下功耗约86m W。芯片跨阻增益为66d BΩ,带宽为6.8GHz,平均输入参考噪声电流为11.9p A/√Hz,在误码率为1e时,多颗芯片的平均灵敏度为-22.4d Bm,综合品质因数(FOM)为6.63。以上结果表明,本文提出的创新解决方案实现了一款高性能、低成本的新型跨阻放大器,为实现千兆光纤领域的高速、高效、低成本传输提供了新的思路和方向。

关键词：跨阻放大器无源光网络光接收器电流复用低噪声

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面向IoT的低功耗射频接收前端设计

面向IoT的低功耗射频接收前端设计

作者：杨小艳东南大学

学位级别：硕士

5G技术与物联网技术的发展使得低功耗无线收发系统成为研究的热点,而射频接收前端作为射频接收链路中的关键模块,其性能在很大程度上决定了整个射频接收链路的性能,且其同样也是主要的耗能模块。因此,在保证射频接收前端性能的前提下降... 详细信息

5G技术与物联网技术的发展使得低功耗无线收发系统成为研究的热点,而射频接收前端作为射频接收链路中的关键模块,其性能在很大程度上决定了整个射频接收链路的性能,且其同样也是主要的耗能模块。因此,在保证射频接收前端性能的前提下降低其功耗至关重要,具有重要的科研价值与工程意义。本文设计了一款面向IoT的低功耗射频接收前端,在实现了低功耗设计的同时得到了低的噪声系数与高的转换增益,确保射频接收机高灵敏度的实现。本文提出了一种具有自适应偏置电路的电流复用低噪声放大器的改进设计,不引入多个片上电感,通过NMOS跨导管与PMOS跨导管间的电流复用,在低功耗下得到大的等效输入跨导、较高的增益与低的噪声系数,同时相比于传统的电流复用低噪声放大器,同时电路性能不受电源电压、温度与工艺角变化的影响;混频器采用单平衡无源混频器结构,设计了电阻自偏置的推挽式跨导放大器,在低功耗下得到大的等效跨导值与较高的线性度;跨阻级采用基于超级源跟随器结构的共栅电路,设计了模拟并联负反馈结构的直流失调消除电路,实现了对直流失调电压的抑制。论文基于TSMC 55nm RFCMOS工艺,完成了原理图与版图设计,进行前后仿真验证后进行了流片,测试结果表明,在1.2V的电源电压下,本文设计的射频接收前端在4.44m W的功耗下实现了32d B的转换增益与-16d B的输入反射系数,整个射频接收机在10.5m W的功耗下实现了-104d Bm的灵敏度与6.5d B的噪声系数,基本达到了设计指标要求。

关键词：射频前端低功耗电流复用高灵敏度

多模多标准收发机频综中宽带压控振荡器的设计

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多模多标准收发机频综中宽带压控振荡器的设计

作者：张宇辰东南大学

学位级别：硕士

无线通信领域在过去的数十年中实现了迅速发展,已经成为了当今社会中不可缺少的一部分。射频电路集成度的不断增加,性能的不断增强,功耗的不断降低有力地推动了无线通信领域的发展。为了进一步提高射频芯片的集成度,设计一款支持多模式... 详细信息

无线通信领域在过去的数十年中实现了迅速发展,已经成为了当今社会中不可缺少的一部分。射频电路集成度的不断增加,性能的不断增强,功耗的不断降低有力地推动了无线通信领域的发展。为了进一步提高射频芯片的集成度,设计一款支持多模式多标准的射频收发机已经成为了当今的研究热点。频率综合器作为收发机中的关键模块,为收发机提供了本振信号。压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)作为频率综合器中的核心模块,决定了频率综合器的频率范围以及相位噪声等关键性能。本文介绍了 VCO的理论基础,并采用不同模型对VCO的相位噪声进行了分析。在对不同的宽带VCO实现方案进行比较之后,本文基于TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一款应用于多模多标准收发机频率综合器中的宽带压控振荡器。本文使用ADS Momentum设计了由三模电感组成的六阶谐振腔作为宽带压控振荡器的核心单元,在此基础上,完成了三模宽带CMOS压控振荡器的设计。设计的三模压控振荡器负阻部分采用电流复用结构,降低了功耗。本次设计中使用了可变电容和5比特开关电容阵列进一步拓展了频率范围。后仿真结果表明设计的宽带压控振荡器频率覆盖1.36-5.92GHz,在1MHz频偏处的相位噪声小于-110.2dBc/Hz,功耗小于12mA,版图面积为1688μm×1191μm,各项指标均满足设计指标要求。

关键词：多模多标准频率综合器压控振荡器宽带三模电感电流复用

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面向低电压蓝牙的射频前端设计

面向低电压蓝牙的射频前端设计

作者：冯世雄东南大学

学位级别：硕士

随着短距离无线通信和物联网通信的发展,消费电子等通讯制造商致力于低功耗蓝牙技术的开发和研究。作为接收机的重要模块,射频前端由低噪声放大器和混频器组成,是主要的耗能模块,因此,低功耗射频前端的设计在降低蓝牙接收机功耗方面具... 详细信息

随着短距离无线通信和物联网通信的发展,消费电子等通讯制造商致力于低功耗蓝牙技术的开发和研究。作为接收机的重要模块,射频前端由低噪声放大器和混频器组成,是主要的耗能模块,因此,低功耗射频前端的设计在降低蓝牙接收机功耗方面具有重要意义。为进一步降低功耗,同时为适应越来越先进的制造工艺,低电压设计已经成为当下的研究热点。为缓解电源电压和增益、功耗的制约关系,也为了大幅度地降低功耗,改进设计了电流复用的低电压射频前端。改进设计了基于源级电感负反馈的推挽式电流复用结构的低噪声放大器,在低电源电压下完成了电流复用,保证了小噪声系数、高增益指标的同时达到了低功耗目的。优化设计了基于主从结构等效跨导提升的共栅结构的无源混频器的跨阻放大器,用稳定的线性区电流源提供偏置,缓解了低电源电压下电压裕度不足、摆幅不够的制约关系,保证了射频前端的线性度指标。此外,设计了基于并联负反馈结构的跨阻放大器,抑制了直流失调。射频前端采用片内匹配,通过对阻抗匹配网络的优化设计,实现了更好的带外抑制功能。论文基于TSMC 40nm CMOS工艺进行了原理图设计和版图设计,并进行了前后仿真验证。后仿真结果表明,在0.8V电源电压下,本文所设计的射频前端在小于3mA的偏置电流下实现了56dB的最大转换增益和2.7dB的噪声系数,并且具有大于-20dBm的带内线性度,达到了设计要求。本文设计的电流复用的低电压射频前端,具有高转换增益、低噪声系数、抑制直流失调、抑制带外干扰的特点。

关键词：射频前端低电压主从电路电流复用

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具有高增益低噪声系数的低噪声放大器设计

具有高增益低噪声系数的低噪声放大器设计

作者：张锐电子科技大学

学位级别：硕士

随着无线技术迈入5G时代,新一代高性能射频收发系统提出更苛刻的要求,在高增益低噪声系数的基础上,由于低噪声放大器位于整个射频系统最前端,其性能的好坏直接整个系统的噪声系数以及接收灵敏度,是射频系统最为关键的部分之一。本论文... 详细信息

随着无线技术迈入5G时代,新一代高性能射频收发系统提出更苛刻的要求,在高增益低噪声系数的基础上,由于低噪声放大器位于整个射频系统最前端,其性能的好坏直接整个系统的噪声系数以及接收灵敏度,是射频系统最为关键的部分之一。本论文主要介绍了运用GaAs pHEMT工艺设计了一款工作在Sub 6G频段的低噪声放大器。首先,阐述了低噪声放大器的一些理论,针对本次课题结合常见的电路结构,设计了两种电路结构。运用共源共栅结构以得到较高的增益,在共源共栅的基础上对其结构进行优化设计以实现高增益平坦度、低噪声系数以及宽带的需求。其次,针对功耗问题,引入了电流复用结构,并对其进行优化,得到了低功耗的电路实现方式。最后,为满足LTE通信需要,设计并优化了偏置电路关断功能也即Shutdown模式,大幅提高了关断以及开启时间。在ADS仿真软件下,优化得到版图,并对其进行EM仿真,最后经过流片验证两种结构放大器均满足指标要求,工作在Sub 6G,驻波均在-10dB以下,实现了典型增益在16dB左右,获得了高的增益平坦度(带内2dB左右),小的噪声系数以及良好的Shutdown工作模式。在低噪声放大器的设计中,其各项指标是相互制约的关系,我们需要在各项指标中平衡以得到最优的性能。

关键词：低噪声放大器噪声系数增益平坦度电流复用 Shutdown模式

F类功率放大器与CHIREIX功率合成器研究与设计

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F类功率放大器与CHIREIX功率合成器研究与设计

作者：孙钰盛湖南大学

学位级别：硕士

随着无线通信系统的逐步演变和发展,人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂,因此在通信过程中对信号的带宽和峰均功率比提出了更高的要求。同时,现代的通信系统应该有着更加多变的应用场景,所以... 详细信息

随着无线通信系统的逐步演变和发展,人们对数据速率、信号调制方式也有了更加高的需求。通信系统变得更加庞大和复杂,因此在通信过程中对信号的带宽和峰均功率比提出了更高的要求。同时,现代的通信系统应该有着更加多变的应用场景,所以需要对通信系统进行持续的优化和改进,尤其是功率放大器方面,于是设计一款小型、高效、低功耗的功率放大器将对无线通信系统有着重要意义。本文主要阐述无线通信系统下射频功率放大器的分析和设计,首先介绍了功率放大器的研究背景和意义,以及讨论了目前国内外对功率放大器的研究现状和趋势。基于功率放大器的基本原理上,提出了F类功率放大器和异相功率放大器。本文具体研究成果如下:(1)提出一种适用于5G通信网络的F类功率放大电路,采用两级级联的形式。为了提高电路增益、增益平坦度以及减少直流功耗,首级采用两级共源管堆叠的电流复用结构,次级采用多次谐波控制的谐振输出包络。通过仿真实验,工作在1.8V,频率为3.5GHz下,可获得最大的饱和输出功率为13.5d Bm,44%的漏极效率(DE),43.9%的功率附加效率(PAE),首级增益为8.3d B,电路总增益为22.7d B,通过仿真实验结果可知该电路拥有良好的功率放大特性。(2)提出了一种非隔离的F类异相合成器结构,单支路沿用所提F类的功率放大器,整体采用双支路合成的方式。为了改善传统威尔金森合成器隔离电阻造成的功率损耗问题,本文使用的是LC补偿的非隔离的Chireix合成器,同时在传统的LC合成器的基础上增加了补偿电感,弥补了相位失衡造成功率和效率的损失。通过实验仿真,在1.8V电压,3.5GHz频率下,电路最大饱和输出功率20.5d Bm,PAE为42.8%。当最大输出效率对应的输入功率回退6d B和9d B时,回退效率提升效果比较明显。输入5MHz LTE的仿真调制信号时,可以得到在±5MHz时的相邻信号功率比为-20.5d Bc/-20.7d Bc,数字预失真后为-44.5d Bc/-44.7d Bc,相较于原来的线性度方面改善24d B,实验结果表明异相放大器有着良好的功率输出特性。本文提出的电路实验仿真和版图绘制均在cadence实验平台,并使用ADS辅助优化设计,以上所提电路工艺均采用Global Foundry(GF)0.13μm CMOS LP工艺,与同期已发表的电路相比,本文所提出的功率放大器有着较明显的优势,尤其是效率和输出增益方面。

关键词： 0.13μm CMOS 电流复用异相功率放大器 Chireix