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脉冲极性对反铁电陶瓷电子发射特性影响
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科学通报 2008年 第11期53卷 1246-1250页
作者: 盛兆玄 冯玉军 崔洁 黄璇 徐卓 孙新利 西安交通大学电子材料研究所 西安710049 第二炮兵工程学院 西安710025
采用镧改性锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料,在10?1Pa真空环境下研究了正极性脉冲和负极性脉冲激励下陶瓷的电子发射特性.正极性脉冲激励时,较低激励电压下发射电流为双峰发射,较高激励电压下发射电流为三峰发射.负极性脉冲激励时,发... 详细信息
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光电发射、次级电子发射与光电倍增管
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2015年
作者: 周荣楣
本书系统介绍光电倍增管的理论及其制备技术。随着光电倍增管的快速发展,高校学生通过对光电倍增管的系统学习,开拓视野,丰富知识,拓宽自身的择业范围;广大光电倍增管用户通过对光电倍增管相关参数及性能的了解,能够更好的选择自... 详细信息
来源: 汇雅图书(南通市图书馆... 评论
O^(2+)离子穿过碳膜引起的前后表面电子发射
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原子核物理评论 2014年 第1期31卷 92-95页
作者: 虞洋 赵永涛 王瑜玉 王兴 程锐 周贤明 李永峰 刘世东 雷瑜 孙渊博 中国科学院近代物理研究所 兰州730000 中国科学院大学 北京100049
测量了入射能为1.9~11.3 keV/u的O^(2+)离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的能量和流强,系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明... 详细信息
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可用于铁电阴极电子发射的钛酸钡基瓷料
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电子元件与材料 2004年 第11期23卷 20-21页
作者: 郭曙光 陈忠道 张树人 周晓华 吴大鹏 电子科技大学微电子与固体电子学院 四川成都610054
为了扩大铁电阴极材料研究体系,寻求更高发射电流密度的阴极材料,对钛酸钡基铁电陶瓷开展了基于材料铁电性的电子发射初步研究。结果表明,该类瓷在外加脉冲12 kV高压下,电子发射电流密度约为23 A/cm2,有望作为铁电阴极材料,在真空器件... 详细信息
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掺镧锆钛酸铅铁电阴极电子发射(英文)
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纺织高校基础科学学报 2016年 第1期29卷 66-71页
作者: 王秋萍 张英堂 成鹏飞 凤飞龙 西安工程大学理学院 陕西西安710048 西安交通大学电子材料研究所 陕西西安710049
为了研究铁电阴极电子发射特性和阴极寿命,采用传统的氧化物固相合成法制备(Pb0.91La0.09)(Zr0.65Ti0.35)0.9775O3(PLZT 9/65/35)铁电陶瓷,利用丝网印刷技术制备阴极银电极.在38Hz的重复频率高压脉冲激励模式下研究铁电阴极发射电流随... 详细信息
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ThO_2粒子大小对W-ThO_2电极材料电子发射及其阴极斑点特性的影响
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热加工工艺 2006年 第12期35卷 11-13页
作者: 王国宏 王发展 原思聪 罗丹 西安建筑科技大学机电工程学院 陕西西安710055
用扫描电镜对具有不同大小ThO2粒子的阴极材料击穿后表面上阴极斑点的形貌进行了观察。结果表明,阴极斑点的几何特征和分布完全由ThO2的大小和形貌来决定。随着ThO2尺寸的减小,阴极材料的电子发射能力显著提高。分析认为,阴极斑点的击... 详细信息
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铁电阴极电子发射研究进展
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真空 2006年 第4期43卷 43-48页
作者: 杜晓阳 董树荣 王德苗 浙江大学信息与电子工程系 浙江杭州310027
铁电发射是一种新型强流受激电子发射,本文综述了铁电弱发射和强发射的研究现状及其发射机理,重点分析了不同的铁电体相结构、电压脉冲激励波形、铁电发射结构以及萃取电压的波形等对铁电阴极电子发射特性和工作机理的影响,总结了目前... 详细信息
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纳米复合W-氧化物电极材料的电子发射特性
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稀有金属材料与工程 2000年 第1期29卷 53-56页
作者: 张晖 丁秉钧 西安交通大学 西安710049
制备出了纳米复合WThO2电极材料,这种材料的成分与相组成与传统电极材料相同,但显微组织显著不同。采用真空电弧放电,观察了阴极斑点的分布特征,测定了电极材料的起弧电场强度。通过与传统电极对比,认为大幅度细化氧化物添加剂至纳米尺... 详细信息
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基于电子发射原理的场击穿型真空触发开关
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电气应用 2010年 第17期29卷 76-80页
作者: 周正阳 廖敏夫 董华军 邹积岩 大连理工大学电气工程与应用电子技术系
真空触发开关(Triggered Vacuum Switch,TVS)以其动作迅速、介质恢复快、体积小、触发系统灵活以及结构简单等优点,成为脉冲功率技术中的一种重要的控制器件。针对一种场击穿型TVS的开通原理,建立了电子发射模型。一方面是触发极电子发... 详细信息
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阴极电子发射模型及数值算法
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微波学报 2010年 第S1期26卷 448-451页
作者: 李飞 肖刘 刘濮鲲 李国超 易红霞 中国科学院电子学研究所 北京100190 中国科学院研究生院 北京100039
阴极特性的好坏对真空电子设备有着重要的影响,而在阴极特性中电子发射机制又非常重要,自从上个世纪早期的Child-Langmuir定律问世以来,阴极电子发射的问题就得到了各国学者持续的关注,对这个问题的研究主要集中在发展和改进阴极电子... 详细信息
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