咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 269 篇 期刊文献
  • 7 篇 学位论文
  • 4 篇 会议

馆藏范围

  • 280 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 231 篇 工学
    • 149 篇 电子科学与技术(可...
    • 134 篇 材料科学与工程(可...
    • 84 篇 电气工程
    • 10 篇 机械工程
    • 10 篇 信息与通信工程
    • 8 篇 交通运输工程
    • 6 篇 光学工程
    • 5 篇 动力工程及工程热...
    • 3 篇 仪器科学与技术
    • 3 篇 控制科学与工程
    • 2 篇 建筑学
    • 1 篇 冶金工程
    • 1 篇 水利工程
    • 1 篇 核科学与技术
    • 1 篇 软件工程
  • 20 篇 经济学
    • 20 篇 应用经济学
  • 4 篇 管理学
    • 4 篇 管理科学与工程(可...
  • 1 篇 文学
    • 1 篇 新闻传播学
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 数学
    • 1 篇 统计学(可授理学、...
  • 1 篇 农学

主题

  • 280 篇 电力半导体器件
  • 37 篇 功率半导体器件
  • 32 篇 电力电子器件
  • 22 篇 电力电子技术
  • 17 篇 晶闸管
  • 16 篇 变频器
  • 15 篇 应用
  • 12 篇 电力电子学
  • 11 篇 igbt
  • 11 篇 电力电子
  • 10 篇 逆变器
  • 9 篇 控制装置
  • 9 篇 门极换流晶闸管
  • 8 篇 mosfet
  • 8 篇 功率器件
  • 6 篇 发展
  • 6 篇 晶体闸流管
  • 6 篇 交流电机
  • 6 篇 变频调速
  • 5 篇 igct

机构

  • 19 篇 西安理工大学
  • 16 篇 西安电力电子技术...
  • 12 篇 西安交通大学
  • 9 篇 清华大学
  • 6 篇 北京电力电子新技...
  • 5 篇 哈尔滨工业大学
  • 5 篇 浙江大学
  • 5 篇 西安石油学院
  • 4 篇 西安整流器研究所
  • 3 篇 北京交通大学
  • 2 篇 华中科技大学
  • 2 篇 ieee电力电子学会...
  • 2 篇 东南大学
  • 2 篇 西安派瑞功率半导...
  • 2 篇 株洲电力机车研究...
  • 2 篇 西安石油大学
  • 2 篇 复旦大学
  • 2 篇 兰州大学
  • 2 篇 上海整流器总厂
  • 2 篇 同济大学

作者

  • 13 篇 王彩琳
  • 8 篇 高勇
  • 7 篇 李宏
  • 7 篇 王正元
  • 6 篇 徐传骧
  • 5 篇 郑媛
  • 3 篇 童宗鉴
  • 3 篇 罗晋生
  • 3 篇 马丽
  • 3 篇 黄立培
  • 3 篇 张晓辉
  • 3 篇 张秀澹
  • 2 篇 陈永真
  • 2 篇 李恩花
  • 2 篇 张娜
  • 2 篇 吴济均
  • 2 篇 张如亮
  • 2 篇 钟力生
  • 2 篇 弓小武
  • 2 篇 吴天云

语言

  • 279 篇 中文
  • 1 篇 英文
检索条件"主题词=电力半导体器件"
280 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
电力半导体器件和装置的功率损耗研究
收藏 引用
清华大学学报(自然科学版) 2000年 第3期40卷 5-8页
作者: 许德伟 朱东起 黄立培 姜新建 卢海惟 清华大学电机工程与应用电子技术系 北京100084
为了提高电力电子装置和电力半导体器件的运行可靠性 ,提出了估算电力半导体器件损耗和结温的热 -电联合计算方法。基于电力半导体器件的瞬态开关特性的测量 ,构造了器件精确的损耗数学模型 ,同时考虑了器件的结温对器件损耗的影响。在... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电力半导体器件的低温特性
收藏 引用
电力电子技术 1996年 第2期30卷 67-70页
器件的实验结果和二维模拟结果为依据,讨论了MOSFET、IGBT。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
电力半导体器件的发展趋势
收藏 引用
电力电子技术 1992年 第1期 65-69页
作者: 王允中 冶金部自动化研究院
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
电力半导体器件的现状及发展趋势
收藏 引用
电力电子技术 1995年 第3期29卷 77-83页
作者: 吴济均 西安电力电子技术研究所
电力半导体器件的现状及发展趋势PresentStatusandDevelopmentTendencyofPowerSemiconductorDevices西安电力电子技术研究所吴济均(西安710061)1前言电力半导... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电力半导体器件的现状及发展趋势
收藏 引用
半导体技术 1996年 第4期12卷 33-39页
作者: 陈烨 吴济钧 西安电力电子技术研究所
叙述了电力半导体器件电力电子装置中的作用,略述了各种双极型电力半导体器件和MOS结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率IC,新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电力半导体器件的发展
收藏 引用
半导体技术 2001年 第6期26卷 20-21,24页
作者: 李柏龄 西安建筑科技大学 陕西西安710055
介绍了电力半导体器件的发展,指出了该器件由高频化走向智能化的发展趋势。本文还展望了不断开拓的电力半导体器件应用领域。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电力半导体器件的发展及现状
收藏 引用
机车电传动 1996年 第4期 1-6页
作者: 童宗鉴 国家变流技术工程研究中心
讨论变流技术中采用的几种电力半导体器件的发展及现状,指出在今后几年中对我国交流技术影响最大的电力半导体器件是品闸管、IGBT和MOSFET。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电力半导体器件的低温特性
收藏 引用
电力电子技术 1996年 第2期 69-72+87页
器件的实验结果和二维模拟结果为依据,讨论了MOSFET、IGBT、SCR和电力二极管在高于液氮温度(77K)时的特性
来源: 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
电力半导体器件快中子辐照的安全评价
收藏 引用
电力电子技术 2002年 第3期36卷 69-71页
作者: 张斌 王均平 清华大学电力电子厂 北京102201
介绍了快中子辐照降低电力半导体器件少子寿命与中子活化的机理及区别 ,为避免活化所采取的工艺措施 ,活化分析及安全评价。结果表明 ,对于快速晶闸管或整流管 ,现有的快中子辐照及后处理工艺对人体是绝对安全的。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
保护电力半导体器件的大容量熔断器参数分析
收藏 引用
低压电器 1997年 第3期 9-14页
作者: 王季梅 卜小玉 西安交通大学 710049 西安熔断器厂 710061
介绍了我国保护电力半导体器件大容量熔断器的发展方向和要求;讨论和分析了保护电力半导体器件大容量熔断器的额定电压、额定电流、I2t、开断电流的安秒特性、截流电流峰值、电弧电压、频率、温升等主要参数。
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论