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K~*(892)电磁质量反常(英文)

原子核物理评论 2001年第4期18卷 249-251页

作者：闫沐霖中国科学技术大学基础物理中心安徽合肥230026

电中性的 K* (892 )电磁质量可以大于带电荷的 K* (892 ) .这是异乎寻常的现象 ,将被称为K* -电磁质量反常 .评述了这个课题 ,并指出 K* 的质量劈裂可以在北京谱仪 (BES)上作精密测量 .

关键词： K^*(892) 电磁质量反常电磁质量劈裂 BES实验介子共振态电中性北京谱仪测量

钙钛矿氟化物ABF_3晶体中Gd^(3+)-V_B和Gd^(3+)-M^+中心的四角畸变研究

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四川大学学报（自然科学版） 2004年第4期41卷 884-886页

作者：梅杨郑文琛四川大学材料科学系成都610064

The tetragonal distortions of Gd 3+-VB and Gd 3+-M + centers in fluoroperovskites ABF3 （A=K,Rb,Cs;B= Cd,Ca） are studied by calculating the EPR zero-field splitting b 02. From the studies,an interesting trend is found,i.e., when the size of M + ion is close to that of the replaced host ion,the tetragonal distortion ΔR in Gd 3+-M + centers is smaller than that in Gd 3+-VB center,whereas when the size of M + ion is much smaller than that of the replaced host ion,the distortion ΔR becomes larger. The causes of the trend are discussed.

关键词：钙钛矿氟化物四角畸变 ABF3晶体电中性

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NHEs在腹泻中的研究进展

广东医学 2017年第6期38卷 963-966页

作者：陈洪浪宋丽军赵淑敏陈文锋赵文昌广东医科大学药学院广东东莞523808

生理状态下成人肠道每天吸收9 L左右的水和800 Eq的钠,肠道的吸收和分泌的平衡对维持肠道内环境的稳态发挥着重要的作用。当致泻物质,如细菌、病毒和毒素作用肠道时,相关离子通道及转运体的表达和（或）活性就会发生改变,大量的水、电... 详细信息

生理状态下成人肠道每天吸收9 L左右的水和800 Eq的钠,肠道的吸收和分泌的平衡对维持肠道内环境的稳态发挥着重要的作用。当致泻物质,如细菌、病毒和毒素作用肠道时,相关离子通道及转运体的表达和（或）活性就会发生改变,大量的水、电解质在肠腔内聚集,从而形成腹泻。目前认为,肠上皮细胞对Na^＋的吸收可分为3型：电中性、生电性和与有机物质偶联的NaCl吸收。

关键词：肠上皮细胞离子通道电中性结肠炎模型作用机制 NHEs 细菌病转运体回肠黏膜海马神经元细胞

高中迎考总复习练习(一)——(化学基本概念部分、中上难度)

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化学教育 1993年第1期8卷 10-15页

作者：陆禾黄儒兰北京奥林匹克学校北京奥林匹克学校 100053

一、选择题（每小题有1～2个选项符合题意） 1.下列叙述中正确的是（）（A）1摩CO2含有分子的准确数目是6.02×1023个（B）标准状况下0.1摩SO3体积为2.24升（C）含相同质子数的微粒属于同种元素（D）有单质参加的化学反应不一定是... 详细信息

一、选择题（每小题有1～2个选项符合题意） 1.下列叙述中正确的是（）（A）1摩CO2含有分子的准确数目是6.02×1023个（B）标准状况下0.1摩SO3体积为2.24升（C）含相同质子数的微粒属于同种元素（D）有单质参加的化学反应不一定是氧化还原反应 2.下面说法中不正确的是（）（A）胶体溶液是电中性的

关键词：化学基本概念总复习氧化还原反应饱和食盐水勒沙特列原理阿佛加德罗定律质子数热化学方程式金属钠电中性

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插层调控SiC基石墨烯电子结构的理论研究

插层调控SiC基石墨烯电子结构的理论研究

作者：罗兴云山东大学

学位级别：硕士

石墨烯作为新型二维碳材料,由于具有独特的能带结构、大的比表面积、高的载流子迁移率等优异的性质引起了广泛关注,在催化、储能、微电子器件、功能复合材料、高灵敏度传感器等领域中具有广阔的应用前景。目前,制备石墨烯的方法有很多,... 详细信息

石墨烯作为新型二维碳材料,由于具有独特的能带结构、大的比表面积、高的载流子迁移率等优异的性质引起了广泛关注,在催化、储能、微电子器件、功能复合材料、高灵敏度传感器等领域中具有广阔的应用前景。目前,制备石墨烯的方法有很多,例如机械剥离法、化学气相沉积法(CVD)、碳化硅(SiC)热解法、化学自组装方法等。其中,SiC热解法制备的石墨烯能够与现代半导体工艺相兼容,避免石墨烯转移工艺对石墨烯完整性和电学性能的破坏,更利于制备热稳定性好、晶圆级尺寸的均匀石墨烯,被认为是实现大规模集成电路的理想途径,是最适合于微电子器件应用和最有潜力的制备方法之一。SiC热解法的基本原理是,高温分解碳化硅导致Si原子挥发,剩余的C原子重构形成石墨烯。然而,由于SiC衬底暴露的Si原子悬挂键与石墨烯形成强相互作用的共价键,导致石墨烯结构不平整并且产生褶皱,形成0层石墨烯或称之为缓冲层石墨烯。缓冲层石墨烯由原始的sp2杂化变成sp2、sp3杂化共存,破坏了石墨烯特有的线性色散关系。缓冲层的存在势必会使石墨烯的电学特性下降,这将严重影响石墨烯在器件中的应用。因此,如何去除缓冲层,解除缓冲层石墨烯与SiC衬底之间的相互作用,对于获得电学性能优良的准自由态石墨烯至关重要。目前最有效的方法之一是在衬底和缓冲层之间插入一层物质,钝化衬底暴露的Si悬挂键,从而解除缓冲层与衬底之间的相互作用,并实现对外延石墨烯电子结构的调控。其中,研究最为广泛的是氢原子插层,该插层方法已经证实可以使缓冲层石墨烯从衬底上解耦合,缓冲层石墨烯变为自由态石墨烯,并具有石墨烯特有的线性色散关系。然而,氢原子插层存在温度稳定性比较差的弊端,低温情况下氢钝化不完全,而高温情况下石墨烯容易被氢腐蚀或者氢容易解吸附,从而影响石墨烯电子特性,制约了 SiC基石墨烯在后续器件中的应用。本论文采用第一性原理计算方法,研究了不同插层物质对于解除缓冲层石墨烯与SiC衬底之间耦合作用的影响,以及对SiC衬底上石墨烯电子结构的调控规律和内在机理。本论文研究明确了插层与外延石墨烯、SiC衬底之间的相互作用及电荷转移情况,能够通过插层物质种类和结构来调节石墨烯的载流子类型和输运特性,并获得电中性的准自由态石墨烯,从而为SiC衬底上制备不同导电类型的准自由态石墨烯奠定了理论基础。由于目前大多数研究集中在气体插层和金属单质插层,而对化合物插层的研究较少,因此本论文的研究重点侧重于化合物插层对SiC基石墨烯电子结构的调控及微观机理。主要研究内容及结论如下:第一章绪论部分,主要介绍本论文的研究背景和意义。首先介绍石墨烯的基本晶格结构、性质、制备方法和研究现状,然后针对SiC衬底上制备石墨烯的研究意义和应用背景进行阐述,最后阐明本论文的选题意义和研究思路。第二章理论研究方法部分,介绍了密度泛函理论的基本原理、交换相关泛函及广义梯度近似,并在此基础上介绍本论文所使用的VASP量化软件包。第三章基于密度泛函理论,针对不同晶型、晶面的SiC衬底上的石墨烯结构和电子结构特征开展研究,研究对象为单层石墨烯和具有不同堆垛结构的双层石墨烯。研究表明,SiC衬底的晶型(4H-SiC和6H-SiC)对石墨烯电子结构的影响较小,不同的暴露面(Si面和C面)则对石墨烯电子结构的影响较大。对于Si暴露面,石墨烯与Si悬键形成强的共价键,破坏了第一层石墨烯特有的线性能带色散关系,形成缓冲层。由于衬底与石墨烯的功函数不匹配,并且衬底自身具有极化特征,导致电子从衬底转移至石墨烯,因此石墨烯被电子掺杂,狄拉克点低于费米能级呈现n型掺杂特性;而对于C暴露面,石墨烯呈现出弱的p型空穴掺杂特性,石墨烯电子结构特征与Si面截然不同。第四章,Si和C原子均属于第Ⅳ主族元素,同为第Ⅳ主族的Sn和Ge元素更容易沉积在SiC衬底和缓冲层石墨烯之间形成插层物质,这在实验上已经得到证实。且实验发现,通过控制温度能够形成Sni-xGex插层化合物,丰富的插层物质种类更有利于实现石墨烯导电类型的调控。因此,本章节采用第一性原理计算方法探索了第Ⅳ主族单质及化合物插层调节石墨烯电子结构的规律和内在机制。研究表明,Ge、Sn以及Sn1-xGex能够将石墨烯和SiC衬底之间的相互作用去除,但是,无论是Ge、Sn单质插层,还是调控Sn1-xGex化合物的Sn:Ge比例,均只能够得到n型石墨烯,无法获得电中性和p型石墨烯。第五章,为了进一步调控石墨烯电子结构,我们研究了 Fe单质及FeSi化合物插层与外延石墨烯、SiC衬底之间的电荷转移情况,探明了该类插层物质对解耦缓冲层的作用,以及对石墨烯电子结构进行调控的规律,并与传统的氢插层效果进行了对比。研究表明,Fe单质插层可以使缓冲层从衬底上解耦合,但是由于功函数的差异,电子由Fe插层转移到石墨烯上,导致石墨烯被电子掺杂。同时,由于Fe 3d电子态与

关键词：碳化硅插层石墨烯电中性第一性原理

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施特恩—格拉赫实验其人其事

物理 2021年第2期50卷 125-129页

作者：林志忠台湾交通大学物理研究所及电子物理系

如果你想从整体吸取力量,必须从细微之中看到整体。——歌德1引言1922年2月7日晚上至8日清早,德国中部城市气温低寒,下雪,法兰克福大学施特恩—格拉赫实验(Stern—Gerlach experiment)首次成功测量到了电中性银原子束在非均匀磁场中的... 详细信息

如果你想从整体吸取力量,必须从细微之中看到整体。——歌德1引言1922年2月7日晚上至8日清早,德国中部城市气温低寒,下雪,法兰克福大学施特恩—格拉赫实验(Stern—Gerlach experiment)首次成功测量到了电中性银原子束在非均匀磁场中的双重分裂现象,明确印证了微观尺度世界的量子化特性本质,这是近代物理学史上的重大一笔!

关键词：近代物理学电中性格拉赫量子化非均匀磁场微观尺度其人其事法兰克福

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三乙烯四胺阻锈剂双向电渗数值分析

混凝土 2016年第11期 90-94页

作者：郭柱张建东金伟良刘朵许晨中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司湖北武汉430071 苏交科集团股份有限公司江苏南京211112 浙江大学结构工程研究所浙江杭州310058

沿海、盐碱地电厂等混凝土建、构筑物受盐害作用,导致其使用寿命降低。故建立二维模型,以理想溶液中离子的质量守恒方程、Nernst-Plank方程、电流平衡方程、电中性方程这4个方程为理论基础,结合溶液和试块中离子初始含量以及溶液-试块... 详细信息

沿海、盐碱地电厂等混凝土建、构筑物受盐害作用,导致其使用寿命降低。故建立二维模型,以理想溶液中离子的质量守恒方程、Nernst-Plank方程、电流平衡方程、电中性方程这4个方程为理论基础,结合溶液和试块中离子初始含量以及溶液-试块交界处的边界条件,求解偏微分方程得出三乙烯四胺阻锈剂双向电渗技术处理后溶液、试块中离子浓度等理论解,然后和试验数据进行对比。结果表明,在趋势上,理论解较好的拟合了试验结果,采用合适的理论分析模型可以很好的指导双向电渗技术在实际工程中的应用。

关键词：质量守恒定律电流平衡方程电中性静电势双向电渗理论分析模型

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基于过剩多子的PN结理论

基于过剩多子的PN结理论

作者：谌文杰兰州大学

学位级别：硕士

传统PN结理论过分强调了少子在电流输运中的作用,这易使人们误认为PN结的电流由少子主导,或者误认为多子对电流无贡献。并且,传统理论中著名的二极管方程所给的电流也不是根据电流的定义直接给出的。不仅如此,基于传统理论框架,PN结的... 详细信息

传统PN结理论过分强调了少子在电流输运中的作用,这易使人们误认为PN结的电流由少子主导,或者误认为多子对电流无贡献。并且,传统理论中著名的二极管方程所给的电流也不是根据电流的定义直接给出的。不仅如此,基于传统理论框架,PN结的电中性和电流连续性等基本器件和物理问题尚不能得到完整准确的解释,因而导致诸多自相矛盾甚至错误的理解。本论文回顾了传统PN结理论的核心要点,指出其存在的易使人误解的主要矛盾和不足。针对这些矛盾和不足,本论文明确提出PN结中“过剩多子”的概念,从理论上证明了PN结中过剩多子的存在性并证实其与模拟结果完全吻合。研究发现,准中性的P区和N区中过剩多子与过剩少子的分布相同(存在相同的浓度梯度),表明过剩多子参与扩散;首次提出并证明了与过剩载流子关联的“伴生电场”,给出了外加电场和伴生电场的解析表达式,指出多子也参与漂移,这从根本上消除了传统理论关于电中性和电流连续性的矛盾和误解。在此基础上,给出了PN结各处的四种电流成分的解析表达式,从而可以根据某处的四种电流成分(相加)直接得到通过PN结的总电流。研究还发现,对于工作在交流状态下的PN结,传统理论认为交流总电流仍是两个空间电荷区边界处的少子扩散电流之和,而不能给出位移电流的作用,因而不能准确反映PN结的电容特性和高频特性。本文考虑了传导电流和位移电流,给出了PN结交流工作状态下的全电流表达式和PN结各处传导电流和位移电流表达式,由此直接得到了PN结的总电容。所给的表达式不仅清晰地表明了扩散电容和势垒电容的并联关系,而且适用于正偏和反偏情形。论文对结型器件存在的若干器件物理效应给出了进一步分析和讨论。总之,本论文基于过剩多子存在性的证明,建立了关于PN结的新的理论体系,消除了传统理论中存在的矛盾和不足,对PN结直流性质、交流性质以及电容-电压特性给出了完整清晰的研究结果,从而对PN结理论具备了全新的理解和认识。

关键词： PN结多子过剩多子电中性电场电容

NiO-MgO系氧气敏感陶瓷材料的缺陷化学与电导

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仪表材料 1986年第2期 88-93页

作者：张中太清华大学化工系

一、前言近年来,世界各国对于氧气敏感器的开发研究日趋增加。除了继续研究ZrO2固体电介质氧气敏感器并进行改性外,新型半导体氧气敏感材料与器件的开发是一个重要动向。国外有人调查预测,在化学敏感器中氧气敏感器的研究,开发应用将居... 详细信息

一、前言近年来,世界各国对于氧气敏感器的开发研究日趋增加。除了继续研究ZrO2固体电介质氧气敏感器并进行改性外,新型半导体氧气敏感材料与器件的开发是一个重要动向。国外有人调查预测,在化学敏感器中氧气敏感器的研究,开发应用将居首位。特别是对于控制和检测内燃机和锅炉燃烧过程的氧气敏感器,应用它可综合考察燃烧过程中燃料的经济性,系统工程及排出废气的组成状况。以便节省能源,提高热效率,减少大气污染。鉴于发动机或锅炉燃料燃烧后排出的混合气体的平衡氧分压同空燃比（A/F）之间有直接的对应关系,因此,可以应用氧气敏感元件来控制和检测其燃烧过程。 NiO是一种具有3d电子轨道的过渡性金属氧化物,由于非化学计量配比的金属阳离子缺

关键词：缺陷化学 MgO 电导率电性杂质含量电中性结构缺陷氧分压固溶体载流子浓度载流子密度电导活化能氧气工业气体