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高分辨率光致抗蚀剂的试用

微电子学与计算机 1972年第2期1卷 28-40页

作者：沈文正

为了缩小晶体管的几何尺寸,以改进其特性,要求在氧化物上刻出1到5微米左右的线条。为了保证这些器件有较高的成品率,光刻工艺的严格操作规程及检验工艺失效的简易方法都变得更加迫切需要。本文研究考察了柯达薄膜抗蚀剂(K.T.F.R.)及其... 详细信息

为了缩小晶体管的几何尺寸,以改进其特性,要求在氧化物上刻出1到5微米左右的线条。为了保证这些器件有较高的成品率,光刻工艺的严格操作规程及检验工艺失效的简易方法都变得更加迫切需要。本文研究考察了柯达薄膜抗蚀剂(K.T.F.R.)及其电子级溶剂的性能,并讨论了曝光时间与线条清晰度的关系,以及抗蚀剂的化学抗蚀性、粘度和针孔密度随光致抗蚀剂厚度变化等问题。所有的实验都是用标准的实验室设备进行测量的。

关键词：光致抗蚀剂厚度针尖涂复针孔密度光刻胶抗腐蚀甩胶高分辨率高分辨力

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用于高记录密度的磁性薄膜介质

信息记录材料 1985年第3期 17-22页

作者：沈德芳中国科学院上海冶金研究所

磁盘作为计算机外存,在信息处理中占据重要地位。磁盘的记录密度约每两年翻一番。1981年美国 IBM3380计算机的磁盘面记录密度已达1×10;位/时;。磁记录介质记录密度的理论值可由下式表示:D∞[(（a+h）;+（g/2）;);];（1）a 为磁化反转... 详细信息

磁盘作为计算机外存,在信息处理中占据重要地位。磁盘的记录密度约每两年翻一番。1981年美国 IBM3380计算机的磁盘面记录密度已达1×10;位/时;。磁记录介质记录密度的理论值可由下式表示:D∞[(（a+h）;+（g/2）;);];（1）a 为磁化反转过渡区,它与介质磁参数的关系为:a=2cBr/mHc （2）c 是膜的厚度;Br 和 Hc 分别为剩余磁化强度和矫顽力;m 是和磁滞回线的矩形度有关的因子。式（1）中的 h 和 g 分别是磁头

关键词：薄膜介质记录密度磁性矫顽力矫顽场磁化非晶态薄膜磁记录介质磁记录材料溅射真空沉积反应蒸镀甩胶

200A可控硅元件研制中几个问题的讨论和体会

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机车电传动 1972年第3期 70-81页

在毛主席革命路线的指引下,我们于七○年七月份甩掉了合金——扩散法制200A可控元件的工艺,开始采用双扩散法试制。在不到一年的时间内就边试制、边总结提高,搞出了电力机车上用的200A 800V以上的可控硅元件机组一台,接着就开始批量生... 详细信息

在毛主席革命路线的指引下,我们于七○年七月份甩掉了合金——扩散法制200A可控元件的工艺,开始采用双扩散法试制。在不到一年的时间内就边试制、边总结提高,搞出了电力机车上用的200A 800V以上的可控硅元件机组一台,接着就开始批量生产。较之合金——扩散法既节约了大量黄金,又大大提高了元件的上车合格率。如71年四季度200

关键词：硅片硫酸氢氟酸表面浓度硫化合物氟化物结深二氧化硅薄膜化学机械抛光高斯分布曲线甩胶抛光液杂质分布

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200A可控硅整流器扩散法制造工艺

机车电传动 1972年第2期 18-31页

在毛主席革命路线的指引下,在工厂党委和所党委重視和关怀下,我們于70年7月份甩掉了合金扩散法制造200A可控硅元件工艺,开始采用双扩散法试制,在试制中我們認真学习了毛主席“实践論”“矛盾論”等光輝著作,狠抓了政治思想領域里的阶级... 详细信息

在毛主席革命路线的指引下,在工厂党委和所党委重視和关怀下,我們于70年7月份甩掉了合金扩散法制造200A可控硅元件工艺,开始采用双扩散法试制,在试制中我們認真学习了毛主席“实践論”“矛盾論”等光輝著作,狠抓了政治思想領域里的阶级斗爭和路线斗爭,促进了人的思想革命化,大大加速了

关键词：石英舟丙酮氢氟酸厚度脂肪族酮氟化物去离子水离子交换水硅片石英管甩胶二氧化硅膜有机溶剂铝片无水乙醇扩散法卡赞采夫法清洁处理真空烘箱金属化制造工艺

关于掺As二氧化硅乳胶用于集成电路埋层扩散的实验总结

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半导体技术 1978年第1期 18-28页

作者：天津半导体器件厂四车间、天津大学73届工农兵学员、河北工学院72届工农兵学员乳胶扩散试制小组

遵照毛主席“七·二一”光辉指示,我们实践小组与天津半导体器件厂工人相结合,在厂各级党组织领导下,在工人师傅和技术人员的具体指导下,对掺As二氧化硅乳胶进行了一系列实验,经过一年多来的工作取得了初步成果,现将工作总结如下。

关键词：甩胶 AS 氧化硅乳胶胶体扩散片表面质量埋层杂质分布方片扩散浓度扩散工艺高温处理均匀性 As 扩散结深杂质浓度

3CT200/800元件生产中光刻工艺总结

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机车电传动 1972年第1期 49-54页

1971年10月,我所组織了3CT200/800元件生产的会战。在战无不胜的毛泽东思想指引下,在所党核心小组的正确领导下,經过同志们的艰苦努力,在不长的时间里出色地完成了任务。为了总结相交流陘验,現将我们在生产3CT 200/800元件中光刻部分的... 详细信息

1971年10月,我所组織了3CT200/800元件生产的会战。在战无不胜的毛泽东思想指引下,在所党核心小组的正确领导下,經过同志们的艰苦努力,在不长的时间里出色地完成了任务。为了总结相交流陘验,現将我们在生产3CT 200/800元件中光刻部分的一些体会和我们現在昕使用的工艺进行了总结,供从事这方面工作的同志们参考。

关键词：光刻工艺甩胶硅片光致抗蚀剂辅料 CT

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两步腐蚀法制作印制线路板工艺

电子工艺技术 1981年第1期 37-39页

作者：梁志立林显忠四机部1907所制板组

一、概述随着电子工业的发展,对印制线路板提出了新的要求,基本是:1.线路板上线条越来越精细、紧密;2.电镀铅锡合金以获得良好的可焊性及三防性能,以免浸银镀层太薄,日久易变黄发黑,可焊性变差,可能产生银离子迁移引起精细线间短路的缺... 详细信息

一、概述随着电子工业的发展,对印制线路板提出了新的要求,基本是:1.线路板上线条越来越精细、紧密;2.电镀铅锡合金以获得良好的可焊性及三防性能,以免浸银镀层太薄,日久易变黄发黑,可焊性变差,可能产生银离子迁移引起精细线间短路的缺点;3.双面板进行孔金属化以确保线路板的高质量,增加整机或仪器仪表的可靠性。为达到上述要求,可以采用多种途径和方法。过去,我们用工艺导线法制双面孔化

关键词：金属化孔固膜胶膜双面板光亮镀铜工艺导线孔金属化线路板电路板甩胶镀铅锡合金化学沉铜铜箔腐蚀液烘板干膜

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半导体生产线专用局部空气净化设备

暖通空调 1976年第1期 3-10页

作者：一○九厂蚌埠绝缘材料厂国家建委建筑科学研究院空调所一○九厂蚌埠绝缘材料厂国家建委建筑科学研究院空调所

半导体器件(特别是集成电路)的生产要求有洁净的生产环境。国内多数生产厂是由非生产性建筑改建而成,一般都没有净化措施。为了适应生产发展的急需,闯出我国净化的道路,我们几个单位在上级党组织的关怀和领导下组成了三结合的局部净化... 详细信息

半导体器件(特别是集成电路)的生产要求有洁净的生产环境。国内多数生产厂是由非生产性建筑改建而成,一般都没有净化措施。为了适应生产发展的急需,闯出我国净化的道路,我们几个单位在上级党组织的关怀和领导下组成了三结合的局部净化设备研制小组,经过73～75年的几年工作,研制成十种局部净化设备,配用在一○九厂六车间生产线的主要关键工序上。一九七五年三月进行的工艺考核表明,成效显著,用局部净化手段可以达到洁净的操作环境(即空气

关键词：净化工作台尘粒气体净化设备粒状污染物废水处理设备净化设备局部空气净化甩胶半导体生产线操作区域洁净度含尘浓度

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砷乳胶源扩散技术

半导体技术 1985年第3期 10-15页

作者：郑大恒邮电部半导体所

本文简要评述砷乳胶源的应用技术,讨论了控制表面损伤及获得浅结高浓度砷的某些重要因素,介绍该技术在高频功率器件上应用的实例.

关键词：薄层电阻乳胶膜甩胶发射区膜厚度扩散工艺