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多胞牺牲层的抗爆炸分析

力学学报 2014年第6期46卷 825-833页

作者：丁圆圆王士龙郑志军杨黎明虞吉林中国科学技术大学中国科学院材料力学行为和设计重点实验室合肥230026 宁波大学力学与材料科学研究中心宁波315211

运用一维冲击波模型和三维细观有限元模型分析了多胞牺牲层的抗爆炸行为.基于刚性-塑性硬化(R-PH)的多胞材料模型,建立了一维冲击波模型,得到了多胞牺牲层中冲击波传播的控制方程.揭示了冲击波在多胞牺牲层中的传播特性,并阐述了附加质... 详细信息

运用一维冲击波模型和三维细观有限元模型分析了多胞牺牲层的抗爆炸行为.基于刚性-塑性硬化(R-PH)的多胞材料模型,建立了一维冲击波模型,得到了多胞牺牲层中冲击波传播的控制方程.揭示了冲击波在多胞牺牲层中的传播特性,并阐述了附加质量和爆炸载荷强度两个参数对牺牲层设计的重要影响.比较了基于刚性-理想塑性-锁定(R-PP-L)模型和基于刚性-塑性硬化(R-PH)模型的多胞牺牲层的结构设计,指出了两种模型的适用范围.通过基于三维Voronoi技术的细观有限元方法验证了基于R-PH模型的多胞牺牲层结构的设计准则.

关键词：多胞材料牺牲层有限元分析冲击波传播抗爆炸

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SiO_2牺牲层刻蚀实验的研究与分析

压电与声光 2008年第3期30卷 372-375页

作者：梁庆苑伟政虞益挺乔大勇西北工业大学陕西省微/纳米系统重点实验室陕西西安710072

氢氟酸(HF)刻蚀SiO2牺牲层受多种因素影响,其中刻蚀液的温度、组分、浓度、被刻蚀结构的形式及结构内部的残余应力等是最主要的。样品设计了多种测试结构,深入研究这些因素对刻蚀速率及结果的影响,并进行了详细的讨论与分析。通过实验... 详细信息

氢氟酸(HF)刻蚀SiO2牺牲层受多种因素影响,其中刻蚀液的温度、组分、浓度、被刻蚀结构的形式及结构内部的残余应力等是最主要的。样品设计了多种测试结构,深入研究这些因素对刻蚀速率及结果的影响,并进行了详细的讨论与分析。通过实验可观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经长时间的刻蚀,HF的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素。对于实验过程中观察到的"凸"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因。

关键词：微机电系统牺牲层刻蚀速率

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微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究

压电与声光 2008年第2期30卷 187-189页

作者：娄利飞李跃进杨银堂汪家友西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室陕西西安710071

采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨... 详细信息

采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。

关键词：多孔硅牺牲层 MEMS 双槽电化学腐蚀法

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LaB_6场发射阵列牺牲层制备工艺

强激光与粒子束 2009年第6期21卷 923-926页

作者：代令祁康成林祖伦陈文彬李东方电子科技大学光电信息学院成都610054

分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题,利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜,制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-A1复合牺牲层,并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明:ZnO一A1复合牺牲层能够有效地解决... 详细信息

分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题,利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜,制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-A1复合牺牲层,并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明:ZnO一A1复合牺牲层能够有效地解决电化学腐蚀的问题,所制备出的LaB6场发射阵列尖锥保持了完好的形貌,其发射特性也达到了最初制备场发射阵列的要求,说明ZnO-A1复合牺牲层是作为LaB6场发射阵列牺牲层的理想材料。

关键词：六硼化镧场发射牺牲层溅射 ZnO-Al

构筑晶格匹配牺牲层:制备高质量自支撑薄膜材料的有效途径

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科学通报 2024年第13期69卷 1666-1668页

作者：刘毅姜忠义大连理工大学化工学院大连116024 天津大学化工学院天津300354

自支撑型薄膜材料因其脱离衬底束缚而展现出物化性质均一、便于成型组装、避免界面缺陷等优异特性,在柔性电子器件、智能传感系统、能量储存转换、化学分离等领域表现出巨大应用潜力.目前已开发出的自支撑型薄膜的制备方法包括化学刻蚀... 详细信息

自支撑型薄膜材料因其脱离衬底束缚而展现出物化性质均一、便于成型组装、避免界面缺陷等优异特性,在柔性电子器件、智能传感系统、能量储存转换、化学分离等领域表现出巨大应用潜力.目前已开发出的自支撑型薄膜的制备方法包括化学刻蚀、物理/机械剥离、界面合成、原位转化等.

关键词：智能传感系统能量储存化学分离柔性电子器件化学刻蚀晶格匹配界面缺陷牺牲层

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牺牲层刻蚀实验的在线观察与研究

纳米技术与精密工程 2007年第3期5卷 169-172页

作者：梁庆苑伟政虞益挺乔大勇西北工业大学陕西省微/纳米系统重点实验室西安710072

设计了多种测试结构,采用在线实时观测的手段,深入研究了氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅牺牲层中,多种因素对刻蚀过程产生的影响,并对实验结果进行了详细分析.实验中可以明显观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经过长时间的刻... 详细信息

设计了多种测试结构,采用在线实时观测的手段,深入研究了氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅牺牲层中,多种因素对刻蚀过程产生的影响,并对实验结果进行了详细分析.实验中可以明显观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经过长时间的刻蚀,HF酸的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素.对于实验过程中观察到的"凹"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度以及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因.实验方法与结论对MEMS牺牲层释放工艺的研究具有一定的参考意义.

关键词：微机电系统牺牲层刻蚀速率

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退火对牺牲层腐蚀前端形状和腐蚀速率的影响

仪器仪表学报 2006年第7期27卷 765-768页

作者：吴昌聚郁发新金仲和马慧莲王跃林浙江大学信息与电子工程系杭州310027

从片子的生长工艺出发对腐蚀前端的形状进行了研究。提出了应力是产生腐蚀前端三角形的主要原因的推测,并通过退火实验验证了这一推测。在对退火处理影响腐蚀速率机制研究的基础上,得出了不同退火条件对腐蚀速率的影响规律。

关键词：退火牺牲层腐蚀形状腐蚀速率

不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

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中国机械工程 2005年第z1期16卷 449-450,453页

作者：王莎莎陈兢张海霞北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室北京100871 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室北京100871 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室北京100871

测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供... 详细信息

测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据.

关键词：微机械系统残余应力薄膜牺牲层氮化硅

用于MEMS的叠层光刻胶牺牲层技术(英文)

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传感技术学报 2006年第5A期19卷 1422-1425页

作者：张永华丁桂甫姜政蔡炳初赖宗声华东师范大学电子科学技术系上海200062 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

研究了用于制备悬空结构的叠层光刻胶牺牲层工艺.讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、龟裂、起皱、刻蚀电镀种子层时产生的絮状物和悬空结构释放时的粘附等问题,并提出了相应的解决办法.借助于分层刻蚀法和逐步替换法,用叠层光刻胶作牺牲层... 详细信息

研究了用于制备悬空结构的叠层光刻胶牺牲层工艺.讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、龟裂、起皱、刻蚀电镀种子层时产生的絮状物和悬空结构释放时的粘附等问题,并提出了相应的解决办法.借助于分层刻蚀法和逐步替换法,用叠层光刻胶作牺牲层并利用湿法释放技术,制备得到了长1400μm、厚6μm、宽40μm、悬空高为10μm的完好的悬臂梁结构.

关键词： MEMS 微结构光刻胶牺牲层