检索结果-南通市图书馆

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种紧凑型毫米波IPD片上滤波功分器

微波学报 2023年

作者：沈光煦徐鹏涵冯文杰车文荃华南理工大学电子与信息学院南京邮电大学电子与光学工程学院柔性电子学院

针对毫米波片上滤波电路所面临的大尺寸与高损耗问题，本文提出一种基于外部品质因素以及MIM电容加载的小型化片上滤波功分器。提出由两种集总电容和分布式传输线电感构成的片上谐振器实现结构小型化，并基于输入外部品质因数提出小型... 详细信息

针对毫米波片上滤波电路所面临的大尺寸与高损耗问题，本文提出一种基于外部品质因素以及MIM电容加载的小型化片上滤波功分器。提出由两种集总电容和分布式传输线电感构成的片上谐振器实现结构小型化，并基于输入外部品质因数提出小型化滤波功分器拓扑。为提高滤波功分器的输出隔离，提出基于复数阻抗和表面波抑制条带的高隔离电路结构。最后，基于砷化镓衬底的集成无源器件(IPD)工艺设计一款两路等功分28 GHz片上滤波功分器，插入损耗仅为0.9 dB(不考虑功分)，尺寸仅为0.7 mm2，全频段输出隔离大于17 dB。

关键词：集成无源器件毫米波片上滤波器功分器

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

低噪声高电源抑制比片上LDO的研究与设计

低噪声高电源抑制比片上LDO的研究与设计

作者：李亮电子科技大学

学位级别：硕士

随着集成电路设计和工艺制程的不断进步,越来越多的电路被集成在一起。通常一个大规模数模混合芯片中包含了多个不同的数字、模拟电路模块,它们对电源有着不同的要求,因此需要多个不同的电源管理电路对其进行供电。在大规模数模混合芯... 详细信息

随着集成电路设计和工艺制程的不断进步,越来越多的电路被集成在一起。通常一个大规模数模混合芯片中包含了多个不同的数字、模拟电路模块,它们对电源有着不同的要求,因此需要多个不同的电源管理电路对其进行供电。在大规模数模混合芯片的应用中采用传统LDO则需要占用多个芯片引脚,并且应用工程师还需选用具有特定ESR(Equivalent Series Resistance)值范围和容值范围的外接电容以保证LDO稳定工作,这些外接电容也将占用一定的印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)面积,这将极大地增加应用成本和产品面积。另外,由于芯片引脚以及PCB板上的寄生电感,片外电容无法对芯片中的高速高精度电路模块产生及时有效的响应。但是,片上LDO在稳定性、高频电源抑制比、噪声以及瞬态响应等方面通常都具有较差的性能。本文对传统LDO和片上LDO的环路稳定性以及电源抑制比进行了深入的对比研究和分析。在此基础上,采用40 nm CMOS工艺,针对大规模高速高精度数模混合电路,在能够接受的面积开销下,通过功率管类型和误差放大器类型的配合,采用了电源纹波抵消技术并对电路进行了低噪声设计,设计了一款高性能的片上LDO,具有良好的环路稳定性,并且在极宽的频率范围内都具有很低噪声和优异的电源抑制比。在1.8 V(±10%)的电源电压下,本文设计的LDO的输出电压为1.1 V,在0 m A的负载电流范围内均能稳定工作。值得强调的是,本文设计的LDO仅有189.3μV的等效输出噪声(频率范围为1 KHz0 GHz),并且在空载时:电源抑制比在全频段范围内均大于30.78 d B,在直流下达到54.97 d B,在满载时:电源抑制比在全频段范围内均大于31.08 d B,在直流下达到58.2 dB。

关键词： LDO 片上电源抑制比噪声稳定性 CMOS工艺

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

太赫兹片上化相位调控机理的基础研究

太赫兹片上化相位调控机理的基础研究

作者：谷绍康电子科技大学

学位级别：硕士

近些年来,由于新材料、新技术不断地涌现,太赫兹调控器件得到了长足的发展。其中,太赫兹相位调控器件可作为通信系统以及相控阵雷达的核心部件,具有极高的研究与应用的价值,已成为当前的研究热点。但是在太赫兹频段,现有相位调控器件的... 详细信息

近些年来,由于新材料、新技术不断地涌现,太赫兹调控器件得到了长足的发展。其中,太赫兹相位调控器件可作为通信系统以及相控阵雷达的核心部件,具有极高的研究与应用的价值,已成为当前的研究热点。但是在太赫兹频段,现有相位调控器件的调控原理与设计方法发展仍然滞后,制约了太赫兹技术的应用和发展。因此本文针对太赫兹相位调控器件的发展需求,开展了反射式相位调控技术、矢量合成原理的相位调控技术以及多类型结合的多位相位调控技术的研究,并进行了相关的理论分析、模拟优化以及实验验证。本文主要的研究工作和成果如下:1、研究了反射式相位调控的理论,设计了一种基于变容二极管的340GHz反射式移相器。首先开展了3dB定向耦合器、波导-微带过渡结构以及移相器整体模型的模拟优化。之后完成了移相器的加工及实验,实验测得该移相器在332.1GHz时,插入损耗最大为25dB,回波损耗整体大于12.6dB,可实现184°的连续相位调控。实验结果与仿真结果相比,实现的连续可调相移基本相同,但中心频率偏移且插入损耗过大。文中分析得出,其存在三个问题:一是二极管三维电磁模型及相关参数不准确;二是芯片粘贴时导电胶涂抹不均匀;三是金属腔体的设计不够合理。2、开展了基于矢量合成的相位调控原理的研究,设计了一种220GHz的矢量调制器。仿真结果显示,该器件可在频点220GHz处,实现了插入损耗9.2dB以内的正交相移键控（Quadrature Phase Shift Keying,QPSK）功能。实验结果显示,该器件的实际工作频段为204GHz到210GHz,且在频点206.5GHz附近,可实现的最大相移量约为277.9°,且S整体大于-28dB,S整体小于-15dB。实验测试结果与仿真结果相比,可实现的最大相移量类似,但中心频率发生偏移、幅度与相位偏差变大以及插入损耗过大。由于其与第一章340GHz反射式移相器同一批加工,且出现的问题类似,因此推断造成误差的原因是一样的。3、提出了一种将加载式相位调控原理与反射式相位调控原理相结合的太赫兹片上移相器结构,并根据此设计了一种多类型结合的220GHz多位移相器。仿真结果表明,该移相器可在以220GHz为中心的10GHz带宽内,实现最大328.6°的相位调控,带内插入损耗小于11dB,实现了8相移键控（Phase Shift Keying,PSK）功能。实验结果显示,该移相器在219GHz到225GHz的频段范围内,可实现最大339.3°的相位调控,插入损耗在13dB以内,且相移线性度良好。

关键词：太赫兹相位调控片上反射式矢量合成加载式

面向RFIC的片上及片外ESD防护设计研究

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

面向RFIC的片上及片外ESD防护设计研究

作者：彭宏伟江南大学

学位级别：硕士

随着集成电路(IC)工艺和射频(RF)技术的快速发展,RFIC芯片面积持续减小,运行速度不断加快,与此同时,芯片的静电放电(ESD)防护需求也越来越高,给ESD防护设计带来了新的挑战。虽然ESD对RFIC的影响已经引起业界的广泛关注,并提出了一些适用... 详细信息

随着集成电路(IC)工艺和射频(RF)技术的快速发展,RFIC芯片面积持续减小,运行速度不断加快,与此同时,芯片的静电放电(ESD)防护需求也越来越高,给ESD防护设计带来了新的挑战。虽然ESD对RFIC的影响已经引起业界的广泛关注,并提出了一些适用于RFIC的ESD设计方案,但是,由于IC工艺和应用领域的多样性,一些已有方案难以满足日新月异的RFIC芯片对ESD防护方案的低触发电压、高开启速度以及低电容的应用需求。因此,本文以基本的ESD防护器件单元为基础,针对RFIC的片上及片外不同的应用需求,分别设计了合适的片上及片外ESD防护方案,并利用传输线脉冲测试(TLP)系统和网络矢量分析仪对设计的实验器件进行了测试,分析了它们的ESD防护性能参数,并结合TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真,深入研究了防护器件的内部工作机理。首先,阐述了RFIC的工作特性、ESD防护需求及ESD防护设计窗口,概述了TLP测试方法,介绍了TCAD仿真软件Sentaurus的操作流程;重点分析了二极管、双极型晶体管(BJT)、栅接地N型MOS(GGNMOS)、可控硅(SCR)等基本ESD防护单元的工作原理,利用Sentaurus仿真并分析了它们在ESD脉冲作用下的内部物理机制。其次,针对RFIC的片上ESD防护设计需求与工作特性,设计并制备了若干改进型器件,包括跨桥型SCR器件(MLSCR)、低触发SCR器件(LVTSCR)、内嵌PMOS双向SCR器件,RC触发内嵌PMOS双向SCR器件以及内嵌NMOS二极管触发SCR器件(NMOS-DTSCR)。经Sentaurus仿真与TLP测试,发现MLSCR与LVTSCR器件均可有效地降低器件的触发电压,但维持电压较低、电压回滞幅度较大。与前述两器件相比,内嵌PMOS双向SCR器件的电压回滞幅度较小,但由于栅极电位的不可控性,器件存在漏电现象。通过引入RC触发电路,控制栅极电位,RC触发内嵌PMOS双向SCR器件的漏电流可控制在10 A,电压回滞幅度可减至1.33 V,开启时间可降至12.60 ns,且具有强ESD鲁棒性等特点,其不足之处是器件面积较大。通过在二极管触发SCR器件中引入NMOS而设计的NMOS-DTSCR器件,触发电压与维持电压均较小,电压回滞幅度仅为0.20 V,导通电阻从2.84Ω降至2.36Ω,失效电流从1.85 A升至3.13 A,且器件面积较小,寄生电容也较低。上述实验器件的ESD防护特性可为RFIC的片上ESD防护设计提供参考。最后,针对RFIC的片外ESD防护设计需求与工作特性,设计并制备了改进型瞬态电压抑制器(TVS)器件。经TLP测试与3D TCAD仿真,发现改进型TVS器件具有约2.20 V的低触发电压、302 fF的低寄生电容以及3.80 A的高失效电流等优点。为了进一步提高器件的开启速度,在改进型TVS中优化了Pwell中N+注入区的版图,使开启速度提高了17.8%。此外,通过在改进型TVS中引入浮空栅,可进一步减小导通电阻。通过Sentaurus仿真分析了器件在ESD脉冲作用下的工作机理,验证了电学性能的可靠性。

关键词：射频集成电路静电放电防护片上片外可控硅瞬态电压抑制器

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

低功耗高PSR的片上LDO研究与设计

低功耗高PSR的片上LDO研究与设计

作者：金禹铮上海交通大学

学位级别：硕士

低压差线性稳压器（LDO）是当今便携电子设备中广泛使用的一类电源管理单元（PMU），而片上LDO也成为了混合信号电路中不可替代的一类电源管理模块。因为LDO具有结构简单、成本低廉、功耗小和噪声小等特点，所以成为各种便携设备和混合... 详细信息

低压差线性稳压器（LDO）是当今便携电子设备中广泛使用的一类电源管理单元（PMU），而片上LDO也成为了混合信号电路中不可替代的一类电源管理模块。因为LDO具有结构简单、成本低廉、功耗小和噪声小等特点，所以成为各种便携设备和混合信号电路中极具竞争力的电源管理方案之一，也越来越受到人们的关注。本文针对嵌入式Flash芯片，设计了一款片上的提供稳定电源供电的LDO线性稳压器，不仅达到了非常低的静态电流，使它的静态功耗非常小，而且还有效地提高了LDO的电源抑制比（PSR），使它所能提供的电压中包含的输入噪声非常小，有效地抑制了输入电源噪声。使它不只适用于嵌入式Flash芯片，同时也适用于像DRAMs，PLLs和EPROMs等对电源噪声比较敏感的电路。本文设计的LDO应用了TSMC0.18um CMOS混合信号工艺模型库，通过Hspice模拟软件对设计的LDO进行验证。所得到的仿真结果说明所设计LDO的电源抑制比较高，比改进之前的结构提升了约20dB左右。在不同的负载情况下，PSR最差情况也能达到-20dB，直流下能达到-45dB，起到了对输入电源电压纹波噪声比较的好的抑制作用。

关键词：低压差线性稳压器(LDO) 电源电压抑制(PSR) 低功耗片上嵌入式Flash