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HgCdTe混合焦平面阵列
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激光与红外 1981年 第12期 14-18页
作者: 少川
前言近年来,HgCdTe已成为高密度焦平面阵列第二代红外成像系统的重要的半导体材料。为得到所需性能,提出一种采用HgCdTe光电二极管和硅电荷耦合器件的混合焦平面结构。异质结和薄基底二极管结构可保证在3~5微米和8~12微米两个波段制... 详细信息
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红外CCD焦平面阵列的军用前景
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应用光学 1992年 第3期13卷 29-32页
作者: 明空 西安应用光学研究所
评述近几年红外CCD焦平面阵列的进展情况及发展水平。简要介绍CCD焦平面阵列在导弹寻的头和瞄准具等方面的军用现状,并展望未来的发展趋势。
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MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第二部分)
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光电子技术 1989年 第1期9卷 23-27页
作者: 程开富 重庆光电技术研究所
四、MSSBIRCCID焦平面阵列的典型结构固体图象传感器的基本结构是约于七十年代前半期确立的,主要依靠超大规模集成电路技术的发展,使其实用化。可是,为实现小型化、高分辨率,若按以往的方式欲缩小象元尺寸是非常困难的,因此,目前有必要... 详细信息
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基于GaAs衬底的1280×1024 InAsSb双色焦平面阵列技术
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红外 2021年 第10期42卷 45-48页
作者: 张小华 不详
前几年,Ⅲ-Ⅴ族锑基探测器替代了HgCdTe探测器,主要因为其成本更低,均匀性和稳定性更好,易于扩展到更大的格式。与中红外波段的HgCdTe材料相比,Ⅲ-Ⅴ材料更容易加工成大尺寸、小间距的焦平面阵列焦平面阵列成像仪中的传统红外探测器... 详细信息
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两种APD模式焦平面阵列在非扫描激光三维成像雷达中的运用
两种APD模式焦平面阵列在非扫描激光三维成像雷达中的运用
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中国光学学会2011年学术大会
作者: 李潇 周红轮 覃文治 王鸥 西南技术物理研究所
本文对目前国际上的研究热点-基于焦平面阵列的非扫描激光三维主动成像雷达中的核心器件---APD焦平面阵列作了简要介绍。介绍了APD的两种工作模式:线性和盖革模式;分析了采取不同工作模式时,探测器性能的对比和信号读取方式的差别以及... 详细信息
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32×32InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列
32×32InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列
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国防光电子论坛第二届激光雷达成像探测技术及应用研讨会
作者: 张秀川 高新江 陈伟 奚水清 迟殿鑫 姚科明 王玺 重庆光电技术研究所
针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间... 详细信息
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红外焦平面阵列
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激光与红外 1977年 第10期 42-45页
作者: 文阳
红外焦平面使用电荷耦合器件(CCD)作传感和信息处理,可提高探测器的密度,并改进其性能。由电荷耦合概念制成的器件使用电荷耦合概念制成的器件有可能在红外成象中应用的有下列几种:InSb电荷注入器件(CID),累积型电荷耦合器件,非
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军用焦平面阵列技术的进展
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光电对抗与无源干扰 1995年 第1期 38-42页
作者: 付伟 电子部第53所
军用焦平面阵列技术的进展电子部第53所付伟1、引言焦平面阵列是兼具有红外辐射敏感和信号处理两种功能的新型红外探测器件。自1973年美国罗门空军发展中心提出硅化物肖特基势垒探测器阵列以来,经过二十年的发展,焦平面阵列已... 详细信息
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微测辐射热计焦平面阵列非均匀性及片上校正电路的研究
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红外 2010年 第12期31卷 7-11页
作者: 冷余平 吕坚 周云 王璐霞 蒋亚东 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054
非均匀性研究对于无温度稳定装置的微测辐射热计焦平面阵列极其重要。通过建立模型研究了各种因素对焦平面非均匀性的影响。在此基础上,提出了一种新的片上校正电路结构及其校正因子的计算方法,并采用为各像元提供不同暗电流的方法对输... 详细信息
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近红外混合式焦平面阵列
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激光与红外 1986年 第5期 54-56页
作者: K.Vural
采用CdTe透明衬底上液相外延的Hg1-xCdxTe(x=0.446)制成了λ0=2.5μm的32×32元HgCdTe焦平面阵列,以装备地球资源勘测用的机载成像分光仪。在外延片的一角取很小的面积来制作二极管,凡二极管具有良好光电性能的外延片便可用来制作阵... 详细信息
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