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作者

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检索条件"主题词=热击穿"
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频率对半导体器件热击穿影响的理论模型
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物理学报 2017年 第1期66卷 334-339页
作者: 张存波 闫涛 杨志强 任伟涛 朱占平 西北核技术研究所 高功率微波技术重点实验室西安710024
针对半导体器件中的热击穿,通过分析已有的理论模型,把频率对器件热区热产生和热传导的影响引入理论模型.利用格林函数求解热传输方程,同时对余误差函数进行近似处理,求解得到热区温度以及器件烧毁功率与频率和脉冲宽度的表达式.通过数... 详细信息
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单晶硅太阳电池组件的热击穿
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太阳能学报 2011年 第5期32卷 690-693页
作者: 李剑 汪义川 李华 周豪浩 温建军 施正荣 尚德电力控股有限公司 无锡214028
论述了单晶硅太阳电池组件中存在的热击穿现象,这是不同于组件热斑效应的另一种物理现象,它对组件的寿命可靠性会构成威胁。对引起太阳电池组件热击穿的原因进行了分析,并提出相关解决方法。
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静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理
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西安电子科技大学学报 2006年 第6期33卷 911-916页
作者: 朱志炜 郝跃 方建平 刘红侠 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071
基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究,考虑了源/漏寄生串连电阻的影响,建立了源/漏接触区的电流集中模型.由模型分析表明,不同的温度和掺杂条件下,源/漏寄生串连电阻会引起器件源/漏接触前端边缘附近产生不同程... 详细信息
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高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究
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高技术通讯 2015年 第12期25卷 1076-1082页
作者: 周涛 陆晓东 吴元庆 李媛 渤海大学新能源学院 锦州121000
基于非等温能量平衡传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(IBC)单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射... 详细信息
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GaAs光导开关的热击穿实验研究
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光电子.激光 1994年 第5期5卷 305-307,277页
作者: 牛燕雄 谭吉春 石家庄军械工程学院 长沙国防科技大学
基于光导开关的热效应,本文对GaAs光导开关的热击穿现象进行了实验研究。
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超导腔的热击穿和超导铌材料RRR值的无损测量
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低温与超导 2000年 第3期28卷 15-19页
作者: 赵升初 孙虹 李少鹏 温华明 李会东 关颖 中科院高能物理研究所 北京100039 中科院电工研究所 北京100080
介绍超导腔热击穿原理 ;讨论了超导体热击穿磁场与超导材料 RRR值之间的定量关系 ;同时介绍一种非常实用的超导腔体 RRR值的测量方法涡流法无损测量原理及其实现方法 ;最后给出了国内外两种典型超导铌材料
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多重雷击下ZnO避雷器热击穿机理研究
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电瓷避雷器 2022年 第4期 162-168页
作者: 毕洁廷 江苏电子信息职业学院 江苏淮安223003 广西大学电气工程学院 南宁530004
全国的平均雷击事故率超过50%,在南方地区更是高达70%。造成雷害事故多发的一个重要原因是由ZnO避雷器的热击穿造成的。自然界中75%的雷击过程具有多重性,在多重雷击作用下,ZnO避雷器阀片会持续的流过雷电流和工频短路电流,避雷器阀片... 详细信息
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高压电器中层压绝缘材料热击穿的计算
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高压电器 1981年 第4期 21-27页
作者: 杨世权 四川电器厂
指出了在设计高压电器中层压材料绝缘件时考虑热击穿的重要性,对绝缘拉杆一类层压绝缘件进行热击穿近似工程计算作了探讨,计算中从简化计算出发,作了一些简化假定,从而得出了比传统热击穿计算公式更为简单的结果。
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如何克服电除尘器绝缘子的热击穿和绝缘老化
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硫酸工业 2006年 第2期 32-41页
作者: 周宝山 龙涛 徐键 南京泰龙特种陶瓷有限责任公司 江苏南京210038
电除尘器绝缘子一般都是在一定温度的高压电场中工作,在电场和温度场的复合作用下,绝缘子的热击穿和绝缘老化是造成其绝缘失效的主要形式。在以固体电介质为中心的绝缘组合中,当受电场和温度场复合作用注入的能量大于散热量时,绝缘子本... 详细信息
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高压电器中层压绝缘材料热击穿的计算
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机械 1981年 第4期 20-25页
作者: 杨世权 四川电器厂
高压电器中大量采用层压材料作为绝缘,这种材料的最大缺陷是分层、多孔、受潮、易受环境温度的影响。过去在设计中只考虑电的击穿(沿面闪络或内部打穿),但大量的实例却是热的击穿。为此,本文提出热击穿的计算方法,定量地求解热击穿与时... 详细信息
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