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一种CMOS低噪声有源下变频混频器

微电子学与计算机 2022年第1期39卷 101-106页

作者：张超权郭本青李珂李磊周婉婷成都信息工程大学通信工程学院四川成都610225 电子科技大学电子科学技术研究院四川成都611731

提出了一种采用电流源开关的低噪声开关跨导有源下变频混频器.使用正弦波本振大信号驱动可以避免因为脉冲本振谐波诱发的噪声叠加效应;利用LC谐振结构来缓解尾节点寄生电容充电和放电对电路高频工作时的限制.提出的混频器采用65 nm CMO... 详细信息

提出了一种采用电流源开关的低噪声开关跨导有源下变频混频器.使用正弦波本振大信号驱动可以避免因为脉冲本振谐波诱发的噪声叠加效应;利用LC谐振结构来缓解尾节点寄生电容充电和放电对电路高频工作时的限制.提出的混频器采用65 nm CMOS工艺实现,工作在5.2 GHz的RF频段下,最大转换增益为11.6 dB,输入三阶交调截取点(IIP3)为5.5 dBm。对于5.2 GHz的LO频率点,分别在fIF=10/200 MHz时测得4.3/3.3 dB的双边带噪声系数(NF).在1.2 V的供电电压下,所设计芯片功耗仅为8.4 mW.

关键词： CMOS 混频器噪声系数混频器共模抑制比

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超低压CMOS混频器比较设计及特性分析

电子器件 2005年第1期28卷 114-117,121页

作者：魏莹辉朱樟明杨银堂西安电子科技大学微电子研究所西安710071

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的... 详细信息

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为 33.2 dB和 28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB和-21.8 dB,三阶输入截止点的值为35.9 dB和34.6 dB。仿真结果比较显示,衬底驱动混频器具有更高的转换增益,而准浮栅混频器具有更好的频域特性和低压特性。而且它们在频率较低时的性能更好。

关键词：超低压准浮栅衬底驱动混频器转换增益频域特性

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一种数控射频双路同步下混频器设计

电子器件 2006年第4期29卷 1061-1064,1070页

作者：孙曜郭春生杭州电子科技大学自动化学院杭州310018

双路同步下混频器是双路同步接收机的一个核心部件,讨论了一种基于MAX2116芯片设计的数控射频双路同步下混频器。其硬件电路简单,可根据设计要求,通过I2C总线迅速灵活地完成本振频率、通道增益和带宽等参数的设置,且具有性能在线优化功... 详细信息

双路同步下混频器是双路同步接收机的一个核心部件,讨论了一种基于MAX2116芯片设计的数控射频双路同步下混频器。其硬件电路简单,可根据设计要求,通过I2C总线迅速灵活地完成本振频率、通道增益和带宽等参数的设置,且具有性能在线优化功能。实际使用结果表明该双路同步下混频器调试方便、性能良好。

关键词：混频器同步 I^2C MAX2116

基于MEMS技术的新型太赫兹混频器设计与制作

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传感技术学报 2015年第1期28卷 9-12页

作者：李建华徐立新陈和峰王凤芹付博北京理工大学机电动态控制重点实验室北京100081 淮海工业集团有限公司MEMS中心山西长治046012

混频器是太赫兹器件中传输信号的基本元件,具有重要的研究价值。介绍了一种以MEMS工艺为基础的新型的太赫兹混频器设计和加工工艺。该太赫兹混频器采用具有高介电常数SU-8光刻胶作为介质层,然后在SU-8胶介质层上进行光刻、电镀微带线,... 详细信息

混频器是太赫兹器件中传输信号的基本元件,具有重要的研究价值。介绍了一种以MEMS工艺为基础的新型的太赫兹混频器设计和加工工艺。该太赫兹混频器采用具有高介电常数SU-8光刻胶作为介质层,然后在SU-8胶介质层上进行光刻、电镀微带线,实现了采用正负胶结合的牺牲层工艺加工制作出了太赫兹混频器。

关键词：混频器太赫兹 MEMS 微带线牺牲层工艺

用于超宽带无线通信系统的CMOS射频混频器的设计

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电子器件 2005年第4期28卷 747-750页

作者：刘高辉余宁梅董怀玉西安理工大学电子工程系西安710048

基于射频CMOS集成电路技术,设计出用于超宽带无线通信系统的CMOS下变频器。讨论了利用电容电感网络进行窄带电路阻抗匹配和电阻网络进行宽带电路阻抗匹配的思想和方法。调用SMIC的0.25μm射频工艺库在HSPICE仿真平台上对混频器电路进行... 详细信息

基于射频CMOS集成电路技术,设计出用于超宽带无线通信系统的CMOS下变频器。讨论了利用电容电感网络进行窄带电路阻抗匹配和电阻网络进行宽带电路阻抗匹配的思想和方法。调用SMIC的0.25μm射频工艺库在HSPICE仿真平台上对混频器电路进行了仿真,并对输出信号进行了频谱分析,仿真了该电路的关键技术参数。模拟结果和仿真参数验证了该混频器电路的正确性和可实现性。

关键词：射频混频器 UWB 阻抗匹配

0.38 THz混频器关键器件设计和仿真优化

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强激光与粒子束 2017年第5期29卷 40-44页

作者：马毅超赵妍吴卫东陕西科技大学电信学院西安710021 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900

太赫兹混频器是太赫兹波收发系统中的关键器件,是将信号频率从一个量值变换为另一个量值的电路器件,其中肖特基二极管是太赫兹混频器中的核心器件,除了肖特基二极管以外,低频滤波器、本振端口等也属于太赫兹混频器中的关键器件。对0.38... 详细信息

太赫兹混频器是太赫兹波收发系统中的关键器件,是将信号频率从一个量值变换为另一个量值的电路器件,其中肖特基二极管是太赫兹混频器中的核心器件,除了肖特基二极管以外,低频滤波器、本振端口等也属于太赫兹混频器中的关键器件。对0.38THz混频器中的关键组件包括波导管、肖特基二极管、滤波器等在HFSS中进行了建模、仿真,最后通过对仿真结果的分析,实现了可以满足0.38THz太赫兹混频器的各个关键模块的模型,通过这些模型实现了混频器整体的优化。

关键词：太赫兹混频器肖特基二极管信号完整性

用于蓝牙收发机的低电压CMOS Gilbert混频器(英文)

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Journal of Semiconductors 2004年第9期25卷 1066-1073页

作者：崔福良马德群黄林叶菁华郭淦洪志良复旦大学集成电路设计实验室上海200433

对已报道的 Gilbert混频器工作在低电压时存在的问题进行了分析 ,在此基础上 ,描述了利用改进的低电压设计技术 ,用于 2 .4 GHz蓝牙收发机的上混频器 /下混频器的设计 .利用适用于低电压工作的负反馈与电流镜技术提高上混频器的线性度 ... 详细信息

对已报道的 Gilbert混频器工作在低电压时存在的问题进行了分析 ,在此基础上 ,描述了利用改进的低电压设计技术 ,用于 2 .4 GHz蓝牙收发机的上混频器 /下混频器的设计 .利用适用于低电压工作的负反馈与电流镜技术提高上混频器的线性度 ;而通过采用折叠级联输出 ,增加了低电压时下混频器的设计自由度 ,从而降低了噪声 ,提高了转换增益 .基于 0 .35μm CMOS工艺技术 ,在 2 V电源电压下 ,对电路进行了仿真 .结果表明 :上混频器消耗的电流为 3m A,输入三阶截距点达到 2 0 d Bm ,输出的信号幅度为 87m V;下混频器消耗的电流为 3.5 m A,得到的转换增益是 2 0 d B,输入参考噪声电压是 6 .5 n V/ Hz,输入三阶截距点为 4 .4 d Bm.

关键词：蓝牙收发机低电压混频器

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鳍线魔T及鳍线平衡混频器

电子科技大学学报 1991年第2期20卷 211-216页

作者：薛良金谢晋雄电子科技大学应用物理研究所

介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0G... 详细信息

介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0GHz,本振射频隔离大于20 dB。

关键词：混频器鳍线魔T 平衡混频器

工作于亚阈值区的低功耗高线性CMOS混频器

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压电与声光 2016年第6期38卷 983-987页

作者：别梅肖巍长春师范大学传媒与信息技术学院吉林长春130032

设计了一种采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的2.4GHz低功耗亚阈值有源混频器,已应用于射频卫星电视接收机中。为了取得较高的线性度,该混频器引入交叉耦合技术以及级间匹配技术,并引入电流注入技术以提高混频器的增益。最终芯片测试结果... 详细信息

设计了一种采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的2.4GHz低功耗亚阈值有源混频器,已应用于射频卫星电视接收机中。为了取得较高的线性度,该混频器引入交叉耦合技术以及级间匹配技术,并引入电流注入技术以提高混频器的增益。最终芯片测试结果表明,该混频器在仅消耗1.6mW功耗的状态下,输入三阶交调点IIP3高达5.41dBm,增益高达9.07dB,噪声系数为12.05dB。该混频器的版图尺寸为0.91mm×0.98mm。

关键词：混频器线性技术低功耗亚阈值偏置电流注入