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SiC埋层结构与C^+注入剂量关系

材料研究学报 1998年第3期12卷 299-302页

作者：严辉陈光华北京工业大学北京市100022

采用MetalVaporVacuumArc（MEVVA）离子源的离子束合成法，往Si衬底注入剂量为3．0×1017～1.6×1018cm-2的C+制成SiC埋层，C+离子束的引出能量为50keV．光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用MEVVA离子... 详细信息

采用MetalVaporVacuumArc（MEVVA）离子源的离子束合成法，往Si衬底注入剂量为3．0×1017～1.6×1018cm-2的C+制成SiC埋层，C+离子束的引出能量为50keV．光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用MEVVA离子源可以在平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的SiC埋层.

关键词： MEVVA离子源离子束合成注入剂量碳化硅埋层

MeV级Si^＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系

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核技术 1995年第6期18卷 348-351页

作者：李岱青万亚任廷琦朱沛然徐天冰烟台师范学院中国科学院物理研究所

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无... 详细信息

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关；在２×１０１５─１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的中等剂量区域内，在几乎无损伤的表面区域以下形成损伤埋层，晶格损伤积累随注入剂量的增加而迅速增加；在高于１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量区域内，晶格损伤积累随注入剂量的增加而缓慢增加．从级联碰撞和空位扩散迁移的角度分析了相关的物理过程．

关键词：砷化镓硅离子离子注入晶格损伤注入剂量

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SIMOX材料制备中注入剂量优化研究

电子学报 1996年第11期24卷 52-55,84页

作者：奚雪梅李映雪赵清太王阳元林成鲁北京大学微电子研究所中国科学院上海冶金所

本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ... 详细信息

本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂量低至０．６ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高结晶度的表面硅层，埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛；标准注入剂量（１．８ｘ１０１８Ｏ＋／ｃｍ２）形成的ＳＩＭＯＸ材料表层硅出现明显的缺陷，分析结果表明，注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留，成为最终材料表面缺陷的原因之一；形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。

关键词： SIMOX 制备注入剂量优化埋氧化层微结构

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离子注入剂量的均匀性检测和校正

微纳电子技术 2005年第10期42卷 484-486页

作者：王迪平伍三忠孙雪平孙勇王玮琪北京中科信电子装备有限公司北京100036

介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。

关键词：离子注入机注入剂量均匀性

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离子注入剂量对工程塑料表面纳米硬度的影响

中国表面工程 2005年第3期18卷 20-22,27页

作者：李佳丽伞金福王禹刘家浚大庆华科股份有限公司黑龙江大庆163316 清华大学机械工程系北京100084

研究了离子注入剂量和剂量率对工程塑料表面纳米硬度提高效果的影响,分别将不同剂量的C离子注入尼龙6和PET以及Al离子注入PPO,并将不同剂量率的Al离子注入PET。纳米硬度测量显示:随着注入剂量和剂量率的增加,尼龙6、PET、PPO的纳米硬度... 详细信息

研究了离子注入剂量和剂量率对工程塑料表面纳米硬度提高效果的影响,分别将不同剂量的C离子注入尼龙6和PET以及Al离子注入PPO,并将不同剂量率的Al离子注入PET。纳米硬度测量显示:随着注入剂量和剂量率的增加,尼龙6、PET、PPO的纳米硬度升高;未注入以及低剂量和剂量率注入塑料的载荷-位移曲线呈现弹塑性变形特征,而高剂量和剂量率注入的呈现出弹性变形特征。

关键词：工程塑料离子注入纳米硬度注入剂量

FP-JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响

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郑州大学学报（自然科学版） 1998年第1期30卷 43-47页

作者：武自录王行业罗晋生西安交通大学微电子工程系郑州七一三研究所西安交通大学

提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响，结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系，场板可减弱击穿电压对注入剂量的敏感性．

关键词：场板结终端扩展终端扩展区击穿电压注入剂量

80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁学改性和注入剂量的影响研究

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80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁学改性和注入剂量的影响研究

2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会

作者：姚淑德王坤丁志博陈迪陈田祥北京大学物理学院技术物理系

稀磁半导体的研究是当前材料科学研究的一个热点。本文表明用Ni和Mn离子注入ZnO半导体可以具有铁磁性。Ni、Mn离子注入能量为80keV,剂量为8×10～7×10/cm,注入后样品在0气氛中700℃快速退火5分钟。精确的掺杂浓度由质子激发特征X射线（... 详细信息

稀磁半导体的研究是当前材料科学研究的一个热点。本文表明用Ni和Mn离子注入ZnO半导体可以具有铁磁性。Ni、Mn离子注入能量为80keV,剂量为8×10～7×10/cm,注入后样品在0气氛中700℃快速退火5分钟。精确的掺杂浓度由质子激发特征X射线（PIXE）方法测得,X射线衍射（XRD）稀磁半导体的研究是当前材料科学研究的一个热点。本文表明用Ni和Mn离子注入ZnO半导体可以具有铁磁性。Ni、Mn离子注入能量为80keV,剂量为8×10～7×10/cm,注入后样品在0气氛中700℃快速退火5分钟。精确的掺杂浓度由质子激发特征X射线（PIXE）方法测得,X射线衍射（XRD）

关键词： keV Ni 注入剂量 ZnO

来源： cnki会议评论

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循环密闭挥发性麻醉药注入剂量的研究

中华麻醉学杂志 1993年第3期13卷 166-169页

作者：于建设盛卓人内蒙古医学院第一附属医院麻醉科，呼和浩特市，010050 中国医科大学第一附属医院麻醉学教研室

本文对80例成年病人用循环密闭环路内注入挥发性麻醉药维持麻醉，用CAPNOMAC气体分析仪连续监测呼吸道内吸入及呼气末浓度。分四组观察：按呼吸末浓度维持异氟醚1%及安氟醚1%、1.5%、2%。根据时间平方根计量原则计算每组间隔注药量，并... 详细信息

本文对80例成年病人用循环密闭环路内注入挥发性麻醉药维持麻醉，用CAPNOMAC气体分析仪连续监测呼吸道内吸入及呼气末浓度。分四组观察：按呼吸末浓度维持异氟醚1%及安氟醚1%、1.5%、2%。根据时间平方根计量原则计算每组间隔注药量，并同时监测平均动脉压和心率。结果，除一分钟内注药量较大外，在开始半小时间隔注药量少于半小时后间隔注药量。注药量与浓度成正比，在一定浓度下也与平均动脉压成正比。开始半小时间隔量减少可能与平均动脉压下降，心排血量减少有关。

关键词：循环密闭挥发性麻醉药注入剂量

不同剂量氮离子注入对小麦生长发育及光合特性的影响

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北方农业学报 2019年第1期47卷 18-23页

作者：郭明明樊继伟陈凤李强孙中伟王康君张广旭赵雪君浦汉春代丹丹徐淮地区连云港农业科学研究所/连云港市农业科学院江苏连云港222000 灌云县植物保护站江苏灌云222200 连云港市农业委员会江苏连云港222006

以该地区主栽品种连麦7号和烟农19为试验材料,采用盆栽试验方法,研究不同剂量N+注入对2个小麦品种生长发育及旗叶光合特性的影响。结果表明:不同剂量N+注入,连麦7号和烟农19种子发芽率、苗高、株高、旗叶SPAD值及净光合速率等均呈下降趋... 详细信息

以该地区主栽品种连麦7号和烟农19为试验材料,采用盆栽试验方法,研究不同剂量N+注入对2个小麦品种生长发育及旗叶光合特性的影响。结果表明:不同剂量N+注入,连麦7号和烟农19种子发芽率、苗高、株高、旗叶SPAD值及净光合速率等均呈下降趋势,且生育进程推迟;随着剂量的增加,N+注入对2个小麦品种的生长发育及光合特性的影响不断加大,其中N+注入对连麦7号的抑制作用要小于烟农19。而在灌浆后期,当N+注入剂量达到3×1016N+/cm2时,烟农19旗叶净光合速率显著降低;继续加大剂量到4×1016N+/cm2,连麦7号旗叶净光合速率开始显著下降。连麦7号对N+注入剂量的敏感度要小于烟农19。得出不同剂量N+注入会在一定程度上影响2个小麦品种的生长发育,进而影响高产的形成,且在品种间存在差异,其中连麦7号对于N+注入剂量的敏感度要小于烟农19。

关键词： N+ 注入剂量小麦生长发育光合特性