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生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置

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表面技术 2007年第3期36卷 24-24页

本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷... 详细信息

本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷却，在生长室设有由电机带动旋转的水平样品架、样品加热器、氧源进气管、锌源进气管和排气口。工作时，将清洗后的衬底通过进样室输送到生长室，样品生长面水平朝下固定在样品架上，输入不同的反应气体生长不同性能的晶体薄膜，同时，将经原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室，可以获得厚度均匀、高质量的n型和P型ZnO半导体晶体薄膜。

关键词：金属有机化合物半导体薄膜沉积装置氧化锌生长汽相水冷结构晶体薄膜

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移动坩埚自动化控制增强颗粒喷射共沉积装置

科技开发动态 2003年第3期 55-55页

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简易控制的无缝钢管沉积装置

钢管 2019年第3期48卷 44-44页

作者：王元荪不详

涉及喷射沉积领域,尤其涉及一种钢管沉积装置。一种简易控制的无缝钢管沉积装置,包括钢液包、雾化喷嘴、沉积盘和驱动电机。钢液包内装有钢液;雾化喷嘴安装在钢液包底部出口处,并将钢液喷射成为雾化颗粒;沉积盘位于雾化喷嘴的下方,雾化... 详细信息

涉及喷射沉积领域,尤其涉及一种钢管沉积装置。一种简易控制的无缝钢管沉积装置,包括钢液包、雾化喷嘴、沉积盘和驱动电机。钢液包内装有钢液;雾化喷嘴安装在钢液包底部出口处,并将钢液喷射成为雾化颗粒;沉积盘位于雾化喷嘴的下方,雾化颗粒沉积在沉积盘的边缘;沉积盘底部轴心处固定连接有螺杆,螺杆与固定支架构成螺杆副;驱动电机的输出轴与螺杆底部相连带动螺杆转动。该新型简易控制的无缝钢管沉积装置利用螺杆副在旋转的同时实现升降的需求,简化了沉积盘支架的结构,方便了生产控制,降低了设备成本,并降低了能耗。

关键词：沉积装置无缝钢管简易控制雾化喷嘴喷射沉积驱动电机颗粒沉积沉积盘

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专利名称：卧式多层陶瓷薄膜气相沉积装置

表面技术 2005年第6期34卷 27-27页

作者：吕建治朱纪伍

本实用新型公开了一种用于气相沉积的卧式多层陶瓷薄膜气相沉积装置。它包括沉积室、支架以及设置在内支架内的蝶阀、罗茨泵、机械泵，在支架的上部横置有沉积室，沉积室的两端设有封头，在沉积室内部对应设有长方形的上极板和下极板，... 详细信息

本实用新型公开了一种用于气相沉积的卧式多层陶瓷薄膜气相沉积装置。它包括沉积室、支架以及设置在内支架内的蝶阀、罗茨泵、机械泵，在支架的上部横置有沉积室，沉积室的两端设有封头，在沉积室内部对应设有长方形的上极板和下极板，沉积室上设有观察窗，沉积室的下部通过蝶阀和管道分别连接有罗茨泵和机械泵。

关键词：沉积装置气相沉积陶瓷薄膜专利名称多层卧式沉积室实用新型罗茨泵机械泵

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沉积ZnO膜的MOCVD装置的研制

真空 2001年第6期38卷 23-25页

作者：易贵华尹洪禹沈阳市真空应用研究所辽宁沈阳110013 沈阳真空技术研究所辽宁沈阳110042

一种新型的 MOCVD(Mettalic Organism CVD)装置 ,既金属有机化合物 CVD沉积装置。该装置具有结构简单 ,在低温、低压条件下能够实现化学气相沉积反应。气路系统全部采用进口零部件 ,保证反应气体的纯度。等离子体在反应过程中起到辅助... 详细信息

一种新型的 MOCVD(Mettalic Organism CVD)装置 ,既金属有机化合物 CVD沉积装置。该装置具有结构简单 ,在低温、低压条件下能够实现化学气相沉积反应。气路系统全部采用进口零部件 ,保证反应气体的纯度。等离子体在反应过程中起到辅助和掺杂的作用。经实验表明该装置能够较好地完成氧化锌薄膜的研究工作。

关键词： ZnO MOCVD 等离子体薄膜氧化锌膜半导体薄膜沉积装置化学气相沉积

磁流体动力学电沉积法制备^(241)Am α放射源

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原子能科学技术 2018年第1期52卷 8-13页

作者：张鹏林敏徐利军陈细林夏文张卫东贾雪文陈义珍崔莹罗瑞中国原子能科学研究院计量与校准技术国防科技重点实验室北京102413

针对目前核电站安全运行实时监测中对高分辨率241 Am作为稳峰源的需求,建立了一种高分辨率α放射源制备方法——磁流体动力学电沉积法,并设计了磁流体动力学电沉积法制备放射源的装置和流程。以241 Am为研究对象,对磁流体动力学电沉积... 详细信息

针对目前核电站安全运行实时监测中对高分辨率241 Am作为稳峰源的需求,建立了一种高分辨率α放射源制备方法——磁流体动力学电沉积法,并设计了磁流体动力学电沉积法制备放射源的装置和流程。以241 Am为研究对象,对磁流体动力学电沉积法制备放射源的工艺条件进行了优化选择:在沉积槽单侧施加磁场使沉积源片中心处的磁感应强度B=0.193T、(NH_4)_2SO_4电解液浓度0.5mol/L、电流密度180mA/cm^2、沉积液pH=2.0~2.5、电极间距5mm、沉积时间1h。结果显示,241 Am可定量沉积在不锈钢阴极源片上,沉积效率近100%,且所制源的能量分辨率较不加磁场时提高了15.0%。所制源的牢固性和均匀性检验结果表明,磁流体动力学电沉积法所制备的241 Amα放射源的牢固性和均匀性均良好。

关键词：磁流体动力学电沉积法 α放射源高分辨率 241Am 沉积装置