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不同氮化温度下h-BN对Al_(2)O_(3)-C耐火材料显微结构与性能的影响

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硅酸盐学报 2022年第12期50卷 3305-3313页

作者：陈韬王杏刘正龙邓承继余超丁军祝洪喜武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室武汉430081

以电熔白刚玉、鳞片石墨、活性α-Al_(2)O_(3)微粉、金属Al粉和Si粉为主要原料、h-BN(质量分数0%、3%)为添加剂,制备低碳Al_(2)O_(3)-C耐火材料,研究了不同氮化温度下添加h-BN对Al_(2)O_(3)-C耐火材料显微结构、物理性能以及抗氧化性能... 详细信息

以电熔白刚玉、鳞片石墨、活性α-Al_(2)O_(3)微粉、金属Al粉和Si粉为主要原料、h-BN(质量分数0%、3%)为添加剂,制备低碳Al_(2)O_(3)-C耐火材料,研究了不同氮化温度下添加h-BN对Al_(2)O_(3)-C耐火材料显微结构、物理性能以及抗氧化性能的影响。结果表明:添加h-BN促进了SiC晶须的生成,在1400℃氮化后添加h-BN样品的常温耐压强度和常温抗折强度较未添加h-BN样品分别提高了6%和10%;添加h-BN样品的抗氧化性能得以显著提升,其中1500℃氮化后添加h-BN样品的抗氧化性能较未添加h-BN样品提高了21%。

关键词：六方氮化硼氮化温度低碳铝碳耐火材料抗氧化性能物理性能

氮化温度对直接氮化法制备氮化硅纤维材料显微结构的影响

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耐火材料 2019年第6期53卷 414-418页

作者：赵鑫王刚韩建燊张琪中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室

用工业硅粉为原料,首先通过发泡法结合凝胶注模制备硅的多孔坯体,然后高温氮化制备氮化硅纤维材料,借助XRD和SEM研究氮化温度对该材料显微结构的影响。结果表明:在1400℃氮化5 h,已经基本完全氮化,并且坯体在1375℃发生了剧烈的反应。... 详细信息

用工业硅粉为原料,首先通过发泡法结合凝胶注模制备硅的多孔坯体,然后高温氮化制备氮化硅纤维材料,借助XRD和SEM研究氮化温度对该材料显微结构的影响。结果表明:在1400℃氮化5 h,已经基本完全氮化,并且坯体在1375℃发生了剧烈的反应。氮化硅纤维主要在气孔中生长,生成的氮化硅纤维均为纳米纤维,其直径在50~250 nm,长度约10μm。随着氮化温度的升高,氮化硅纤维逐渐增多,泡沫孔壁趋于消失,孔壁的消失是由于SiO的生成。氮化硅纤维生长遵循VS和VLS机制。

关键词：氮化硅纳米纤维直接氮化法发泡法氮化温度

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氮化温度对ZnO薄膜结构特性的影响

河北大学学报（自然科学版） 2009年第2期29卷 150-152页

作者：张丽于威许贺菊张锦川傅广生河北大学物理科学与技术学院河北保定071002 华北煤炭医学院基础部河北唐山063000

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在蓝宝石（001）衬底上制备不同氮化温度的ZnO薄膜.结果表明,在200~600℃内,不同的氮化温度对薄膜的表面形貌和晶格结构有显著影响.

关键词： ZnO薄膜氮化温度晶格结构

GaN/TiO2-x异质结的制备以及氮化温度对其光电化学性能的影响

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太原理工大学学报 2019年第5期50卷 549-555页

作者：钱凯薛晋波胡兰青太原理工大学材料科学与工程学院太原030024 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室太原030024

采用溶胶凝胶法,以硝酸镓为镓源、二氧化钛纳米粉末为钛源,制备出Ga2O3/TiO2粉末材料。将样品置于不同温度下氮化,得到GaN/TiO2-x粉末。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光分光光度... 详细信息

采用溶胶凝胶法,以硝酸镓为镓源、二氧化钛纳米粉末为钛源,制备出Ga2O3/TiO2粉末材料。将样品置于不同温度下氮化,得到GaN/TiO2-x粉末。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光分光光度计(PL)、表面光电压谱仪(SPV)、电化学工作站等对样品进行表征和性能测试,研究了氮化温度对样品的物相组成、微观形貌以及光电性能的影响。结果表明,氮化温度越高,Ga2O3被氮化的程度越高,GaN的结晶度越好。700℃下氮化时,TiO2保持原有状态,不发生相变和还原反应;当氮化温度达到750℃时,样品中的TiO2开始逐渐被还原为TiO2-x,且随着温度的升高,二氧化钛被还原的程度增大,TiO2-x量增多;从800℃开始,样品中几乎不含TiO2.紫外-可见光吸收数据显示,700℃氮化的样品吸收范围最大,900℃氮化的样品带隙最窄,而吸光度则大致随着氮化温度的升高而增大。电化学测试结果表明,850℃氮化的样品导电性最好,载流子浓度最高,且分离效率高,在-0.8V(***/AgCl)偏压条件下,850℃和800℃氮化的样品瞬态光电流密度最高。

关键词： Ga2O3/TiO2 溶胶凝胶法氮化温度 GaN/TiO2-x 光电化学性能

氮化温度对24Cr2Ni4MoV钢离子氮化显微组织的影响

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理化检验（物理分册） 2016年第10期52卷 725-728页

作者：刘业超张忠和陈炜陈丽娟王思倩程亮沈阳鼓风机集团股份有限公司沈阳110869

为了提高24Cr2Ni4MoV钢零件的表面硬度和耐磨性,对24Cr2Ni4MoV钢进行了离子氮化工艺试验研究,应用光学显微镜和扫描电子显微镜等仪器对520,550,570℃共3个温度离子氮化试样的显微组织、氮化层深度、表面硬度、表面渗氮层脆性、脉状组织... 详细信息

为了提高24Cr2Ni4MoV钢零件的表面硬度和耐磨性,对24Cr2Ni4MoV钢进行了离子氮化工艺试验研究,应用光学显微镜和扫描电子显微镜等仪器对520,550,570℃共3个温度离子氮化试样的显微组织、氮化层深度、表面硬度、表面渗氮层脆性、脉状组织等进行了检测分析,并应用能谱仪对渗氮层中氮化物成分进行了分析。结果表明:24Cr2Ni4MoV钢具有良好的氮化效果,其最佳离子氮化温度为550℃;试样在550℃氮化后,不仅氮化层的各项性能均满足标准技术要求,而且提高了渗氮速率,缩短了渗氮时间。

关键词：离子氮化 24Cr2Ni4MoV钢氮化温度显微组织

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钢的成份对氮化层Ac1-温度位置的影响

热处理技术与装备 1981年第3期 33-38页

作者： B.Edenhofer H.Trenkler 蔡慰望

1.导言合金元素碳和氮明显地降低铁的铁素体—奥氏体转变温度,而氮的作用比碳更为强烈。在铁—氮合金中,转变温度（Ac1—温度）下降到590℃;在铁—碳合金中,下降到723℃[1]。纯铁（911℃）和铁—氮合金（590℃）的不同转变温度,使得在... 详细信息

1.导言合金元素碳和氮明显地降低铁的铁素体—奥氏体转变温度,而氮的作用比碳更为强烈。在铁—氮合金中,转变温度（Ac1—温度）下降到590℃;在铁—碳合金中,下降到723℃[1]。纯铁（911℃）和铁—氮合金（590℃）的不同转变温度,使得在氮化时（例如在600℃）铁的含氮表层就已部分地

关键词：氮化层化合物层扩散层插页表面层氮化温度 Ac1 渗氮离子氮化

β-Mo_2N_(0.78)的合成及其对噻吩加氢脱硫反应的催化性能

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催化学报 2003年第9期24卷 687-690页

作者：龚树文陈皓侃李文李保庆中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室山西太原030001

以N2 H2 混合气为反应气 ,与三氧化钼进行多段程序升温反应制得了氮化钼 .考察了反应气组成和氮化温度等条件对氮化钼结构组成的影响 .结果表明 ,在n(N2 ) /n(H2 ) =0 2 5～ 1,θ =6 5 0～ 75 0℃的条件下 ,生成的氮化钼结构组成为 β... 详细信息

以N2 H2 混合气为反应气 ,与三氧化钼进行多段程序升温反应制得了氮化钼 .考察了反应气组成和氮化温度等条件对氮化钼结构组成的影响 .结果表明 ,在n(N2 ) /n(H2 ) =0 2 5～ 1,θ =6 5 0～ 75 0℃的条件下 ,生成的氮化钼结构组成为 β Mo2 N0 78.其生成机理与γ Mo2 N有类似之处 .β Mo2 N0 78催化噻吩加氢脱硫反应的结果表明 ,β Mo2 N0 78催化剂对该反应有较高的催化活性 ,在 36 0℃下 ,其活性比硫化钼催化剂高一倍左右 .

关键词：氮化钼噻吩加氢脱硫程序升温反应氮化温度

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粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究

稀有金属材料与工程 2005年第9期34卷 1411-1414页

作者：肖洪地马洪磊薛成山胡文容马瑾宗福建张锡健山东大学山东济南250100 山东师范大学半导体研究所山东济南250014

在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm。X射线光电子能谱(X... 详细信息

在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35min制备出粒状GaN微晶。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191nm和0.5192nm。X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1。

关键词： GaO2H粉末粒状GaN微晶氮化温度

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晶体硅金刚线切割废料氮化反应的研究

耐火材料 2019年第3期53卷 214-216页

作者：孙钰杰金星邢鹏飞董开朝孔剑东北大学冶金学院

为了综合利用晶体硅金刚线切割废料,以其为原料,使用卧式氮化炉进行氮化反应,研究了氮化温度(1300、1350、1400、1450和1500℃)、氮化保温时间(1、1.5、2、2.5和3h)以及α-Si3N4外加量(外加质量分数分别为0、5%、10%、15%和20%)对氮化... 详细信息

为了综合利用晶体硅金刚线切割废料,以其为原料,使用卧式氮化炉进行氮化反应,研究了氮化温度(1300、1350、1400、1450和1500℃)、氮化保温时间(1、1.5、2、2.5和3h)以及α-Si3N4外加量(外加质量分数分别为0、5%、10%、15%和20%)对氮化反应的影响。结果表明:在一定范围内,氮化温度的升高有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成;氮化时间的延长有利于α-Si3N4、β-Si3N4和Si2N2O三种物相的生成,但氮化时间过长会导致α-Si3N4转变为β-Si3N4,以及Si2N2O转化为Si3N4;以α-Si3N4为添加剂,有利于α-Si3N4的生成以及氮化反应的进行。综合考虑切割废料的氮化程度,较优氮化条件为1400℃保温3h,α-Si3N4添加剂外加量10%(w)。

关键词：晶体硅金刚线切割废料 Si3N4 氮化反应氮化温度氮化时间