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文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 4 篇 栅挖槽
  • 2 篇 场板
  • 2 篇 高电子迁移率晶体...
  • 2 篇 难熔栅
  • 2 篇 铝镓氮/氮化镓
  • 1 篇 电子束光刻
  • 1 篇 离子注入
  • 1 篇 内匹配
  • 1 篇 phemt
  • 1 篇 掺杂浓度
  • 1 篇 厚度
  • 1 篇 栅压
  • 1 篇 成品率
  • 1 篇 fet
  • 1 篇 离子掺杂
  • 1 篇 电子束加工
  • 1 篇 饱和电流
  • 1 篇 平均失效时间
  • 1 篇 器件
  • 1 篇 gaas

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 河北工业大学
  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 2 篇 陈堂胜
  • 2 篇 任春江
  • 1 篇 吴小帅
  • 1 篇 g.e.brehm
  • 1 篇 何大伟
  • 1 篇 焦刚
  • 1 篇 蒋浩
  • 1 篇 杨瑞霞
  • 1 篇 杨克武
  • 1 篇 张斌
  • 1 篇 邱旭
  • 1 篇 肖德坚
  • 1 篇 魏淑清
  • 1 篇 余旭明

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=栅挖槽"
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基于76.2mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估
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固体电子学研究与进展 2011年 第2期31卷 115-119,140页
作者： 蒋浩 任春江 陈堂胜 焦刚 肖德坚 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器件肖... 详细信息
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GaN HEMT的温度特性及其应用
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固体电子学研究与进展 2011年 第3期31卷 226-232页
作者： 任春江 陈堂胜 余旭明 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成模块和电路国家重点实验室南京210016
对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC... 详细信息
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内匹配型Ku波段8W功率器件
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电子器件 2007年 第4期30卷 1252-1254页
作者： 吴小帅 杨瑞霞 何大伟 邱旭 杨克武 河北工业大学信息工程学院 天津300130 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄050051
已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时,在f=14.0-14.5 GHz频段内,输出功率Po≥39.18dBm,功率增益Gp〉7 dB,功率附... 详细信息
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微波GaAs场效应晶体管的高成品率、可重复的制造技术
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微纳电子技术 1981年 第1期 47-49页
作者： G.E.Brehm 魏淑清
一、引言未来的微波系统需要高重复性的低成本的 GaAs 场效应管。这些严格的性能要求和这样的系统的苛刻的工作环境使得用目前的制造技术难于大量生产这些器件。为满足性能和成本的要求曾采用了一些材料生长和器件制造上的改革,本文将... 详细信息
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