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带形离子束和轴对称离子束的相互转换

Chinese Physics C 1984年第2期30卷 191-198页

作者：郁庆长中国科学院高能物理研究所

本文研究带形离子束和轴对称离子束相互转换的理论,并且讨论利用薄透镜与偏转磁铁进行上述转换的方法。

关键词：轴对称相互转换庆长束径直线反射变换薄透镜组四极透镜偏转磁铁带形离子束粒子束

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一个优良的离子加工用离子源

微细加工技术 1984年第3期 32-38页

作者：安志超长沙半导体工艺设备研究所离子束蚀刻组

本文介绍束直径116毫米的电导磁多极离子源的设计及实验结果。采用变孔径匹配栅网的离子光学系统,改善束流密度均匀性,有效束径大于91毫米。

关键词：离子源多极电子轰击导磁性粒子源束流电流束流密度分布束径离子

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用工艺法校正邻近效应:理论与应用

微细加工技术 1983年第2期 80-90页

作者： P.里西曼,M.P.C.瓷茨,杨树芬美美

电子束曝光时,由于抗蚀剂层和衬底中电子散射的作用,使抗蚀剂产生不希望的曝光,这种现象就是邻近效应。它导致图形特征尺寸与设计值的差异。这是采用电子束曝光方法制作高分辨率集成电路器件的主要限制。我们采用计算机模拟法研究了邻... 详细信息

电子束曝光时,由于抗蚀剂层和衬底中电子散射的作用,使抗蚀剂产生不希望的曝光,这种现象就是邻近效应。它导致图形特征尺寸与设计值的差异。这是采用电子束曝光方法制作高分辨率集成电路器件的主要限制。我们采用计算机模拟法研究了邻近效应,并且探索了能改进图形保真度的工艺处理方法。有两种方法能使邻近效应大大减小,即小束径法和多层抗蚀剂技术。这两种方法已经在HP电子束曝光系统上实际试验过。

关键词：抗蚀剂束径线条国画技法电子束曝光超导隧道邻近效应

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板条马氏体研究的新进展

金属热处理 1982年第3期 1-13页

作者：贡海大连铁道学院

本文根据国内外的研究成果和作者本人的一些观察分析,总结了板条马氏体的形态、亚结构、晶体学及其机械性能方面的新近发展情况,其中包括板条马氏体的组织构成、板条马氏体光镜形态的分类、影响光镜组织的因素、板条马氏体的两种立体形... 详细信息

本文根据国内外的研究成果和作者本人的一些观察分析,总结了板条马氏体的形态、亚结构、晶体学及其机械性能方面的新近发展情况,其中包括板条马氏体的组织构成、板条马氏体光镜形态的分类、影响光镜组织的因素、板条马氏体的两种立体形态、板条马氏体的惯习面与位向关系、相邻马氏体板条的旋转位向、马氏体—奥氏体界面的台阶结构、板条马氏体的形成过程、板条马氏体的亚结构、板条间的残留奥氏体薄膜、板条马氏体的组织结构与机械性能间的关系。本文作者对一些问题提出了自己的分析意见。

关键词：板条马氏体光镜束径亚结构马氏体时效钢晶体不完整性高强度钢金相相组成奥氏体 γ固溶体惯习面

离子微探针分析在半导体器件问题上的一些应用

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微纳电子技术 1977年第2期 64-71页

作者： Hiroshi Doi 王家源

为了改善离子微探针质量分析仪的探测灵敏度、精确性及重复性,研究了增加二次离子的数量及降低本底噪声的方法。接着进行了硅片中的杂质(硼、磷、砷及锑)的定量分析。获得了最低的可探测浓度和束径的依赖关系。而且,为了在样品表面上任... 详细信息

为了改善离子微探针质量分析仪的探测灵敏度、精确性及重复性,研究了增加二次离子的数量及降低本底噪声的方法。接着进行了硅片中的杂质(硼、磷、砷及锑)的定量分析。获得了最低的可探测浓度和束径的依赖关系。而且,为了在样品表面上任意所欲的面积上进行分析并改善纵向分析的准确性,研制了一种用一个掩模和高速扫描相结合的新方法,用以确定被分析的面积。对具有非常复杂管芯图形的功率晶体管衬底进行了表面分析,其结果证明这个方法是有效的。

关键词：离子电流微探针表面分析功率晶体管束径巨型晶体管电力电子器件半导体器件电子设备硅片杂质浓度纵向分布质谱线硅衬底掩模法

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板条马氏体研究的新进展

大连交通大学学报 1981年第4期 55-70页

作者：贡海大连铁道学院热处理教研室

本文根根国内外的研究成果和笔者本人的一些观察分析,总结了板条马氏体的形态、亚结构、晶体学及其机械性能方面的新近发展情况,其中包括板条马氏体的组织构成、板条马氏体光镜形态的分类、影响光镜组织的因素、板条马氏体的两种立体形... 详细信息

本文根根国内外的研究成果和笔者本人的一些观察分析,总结了板条马氏体的形态、亚结构、晶体学及其机械性能方面的新近发展情况,其中包括板条马氏体的组织构成、板条马氏体光镜形态的分类、影响光镜组织的因素、板条马氏体的两种立体形态、板条马氏体的惯习面与位向关系、相隣马氏体板条的旋转位向、马氏体—奥氏体界面的台阶结构、板条马氏体的形成过程、板条马氏体的亚结构、板条间的残留奥氏体薄膜、以及板条马氏体的组织结构与机械性能间的关系。笔者在马氏体束、马氏体块、马氏体板条及旋转位向组,板条马氏体两种立体形态,残留奥氏体薄膜的形成机理等十几个问题上还提出了自己的分析意见。

关键词：板条马氏体亚结构光镜束径晶体不完整性 γ固溶体金相相组成奥氏体惯习面

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用于反应离子束刻蚀的离子源

真空电子技术 1987年第6期 30-36页

作者：董谦无锡无线电元件三厂

本文介绍了几种在超大规模集成电路制造中,采用反应离子束刻蚀(RIBE)时所用的离子源。阐述了这些离子源的工作原理、设计参数和一些工艺试验结果,并比较了各种离子源的性能。

关键词：离子源反应离子束刻蚀磁控管束径鞍形场粒子源刻蚀速率束流密度

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聚焦离子束装置

微细加工技术 1984年第4期 63-70页

作者：穴沢纪道吴明华

聚焦离子束(Focused Ion Beam)技术作为制作光集成电路及三维器件等最新的高性能半导体器件的手段之一,令人注目。特别是利用它进行离子注入是很有前途的。常规的离子注入法是先形成杂质气体的等离子区,从中引出离子,经加速后注入硅或... 详细信息

聚焦离子束(Focused Ion Beam)技术作为制作光集成电路及三维器件等最新的高性能半导体器件的手段之一,令人注目。特别是利用它进行离子注入是很有前途的。常规的离子注入法是先形成杂质气体的等离子区,从中引出离子,经加速后注入硅或砷化镓基片内,由于这种方式的离子束直径大,所以需用掩模来限制离子注入的区域。随着半导体器件的高集成化,电路图形越来越缩小,1M位以上的存储器其图形尺寸要求在1μm以下,用掩模的方法制出亚微米图形是比较困难的,而聚焦离子束技术可实现无掩模注入,从而成为一项重要的新工艺。

关键词：聚焦离子束分析器励磁半导体器件束径激磁电子设备液态金属离子源离子注入法静电透镜离子光学系统装置

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高斯光束的判别和测量

中国激光 1987年第10期 599-602页

作者：朱延彬沈孝伟周和平中国科学院安徽光机所

提出一种判别和测量高斯光束的新方法。在截面内对任意等距四点采光测量,就可判别和测量此高斯光束。

关键词：高斯光束束径光束截面径向强度