检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究

人工晶体学报 2015年第2期44卷 295-300页

作者：梁庆瑞宗艳民王希杰陈秀芳徐现刚胡小波山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 山东天岳晶体材料有限公司济南250111

研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响。选取粒径均为W0．5～1μm、粒径分布和形貌不同的3种金刚石微粉，配置3种SiC单晶片机械抛光液。通过纳米粒度仪和扫描电镜分别测试了金刚石微粉的粒度分布和微观形貌。使... 详细信息

研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响。选取粒径均为W0．5～1μm、粒径分布和形貌不同的3种金刚石微粉，配置3种SiC单晶片机械抛光液。通过纳米粒度仪和扫描电镜分别测试了金刚石微粉的粒度分布和微观形貌。使用原子力显微镜测试了SiC晶片机械抛光后表面粗糙度。金刚石微粉的微观形貌越圆滑，粒径分布越集中，抛光后晶片的表面质量越好。金刚石微粉中单个颗粒的表面棱角有利于提高材料去除率。

关键词：碳化硅金刚石微粉机械抛光表面粗糙度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化硅超声-电化学机械抛光试验研究

哈尔滨工业大学学报 2019年第1期51卷 16-21页

作者：翟文杰翟权哈尔滨工业大学机电工程学院哈尔滨150001

为探究超硬脆碳化硅(Si C)材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对Si C进行了超声-电化学机械研抛试验,得到以试件材料去除率和表面质量为... 详细信息

为探究超硬脆碳化硅(Si C)材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对Si C进行了超声-电化学机械研抛试验,得到以试件材料去除率和表面质量为评价指标的优化抛光工艺参数.试验结果表明:使用铸铁抛光盘时材料去除率高,但表面质量差;使用半固结磨粒抛光盘时表面质量最好,但材料去除率低;芬顿反应液对提高试件的材料去除率效果最好;在试件与抛光盘之间的电压为+10 V时,试件的材料去除率最高,比无电压时提高了55.1%;当试件保持环施加超声振动后,比无超声时材料去除率提高了91.7%,可见超声振动对Si C试件抛光起主要作用.

关键词：碳化硅超声电场机械抛光材料去除率表面粗糙度

大面积金刚石自支撑膜机械抛光的优化工艺研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2007年第7期38卷 1173-1175页

作者：郭世斌曲杨吕反修唐伟忠佟玉梅宋建华北京科技大学材料科学与工程学院功能材料研究所北京100083 沈阳科晶设备制造有限公司辽宁沈阳110168

研究了一种用于抛光等离子体溅射CVD法制备的金刚石自支撑膜的高效安全的抛光工艺。试验探索了转盘转速、金刚石粉颗粒尺寸、磨盘表面形状对金刚石自支撑膜磨抛速率的影响。研究表明:带槽盘对金刚石自支撑膜的粗研磨效果明显,速率较高,... 详细信息

研究了一种用于抛光等离子体溅射CVD法制备的金刚石自支撑膜的高效安全的抛光工艺。试验探索了转盘转速、金刚石粉颗粒尺寸、磨盘表面形状对金刚石自支撑膜磨抛速率的影响。研究表明:带槽盘对金刚石自支撑膜的粗研磨效果明显,速率较高,平面盘对提高金刚石自支撑膜的表面粗糙度有利;不同颗粒的金刚石粉对应着各自合适的能充分利用其磨削能力的转速,在这个转速下,金刚石自支撑膜的磨抛速率在12μm/h左右。本文通过对新的工艺参数的探索,为金刚石自支撑膜后续加工提供有力的技术支持。

关键词：金刚石自支撑膜机械抛光优化工艺

机械抛光后的时效工艺对0Cr25Al5电热合金拉拔性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

金属热处理 2022年第4期47卷 171-177页

作者：胡静陶科杨庆松李刚张德汉北京首钢吉泰安新材料有限公司北京102206

对机械抛光后的0Cr25Al5电热合金进行了不同温度(150、250、350℃)和不同时间(1、2、3 h)的时效处理,并与抛光前后的力学性能、显微组织以及析出相进行了对比。结果表明:0Cr25Al5电热合金机械抛光后有析出相Cr3C2析出,集中于晶界处分布... 详细信息

对机械抛光后的0Cr25Al5电热合金进行了不同温度(150、250、350℃)和不同时间(1、2、3 h)的时效处理,并与抛光前后的力学性能、显微组织以及析出相进行了对比。结果表明:0Cr25Al5电热合金机械抛光后有析出相Cr3C2析出,集中于晶界处分布,其形状以棒状、针状为主,并伴有少量球状析出相;机械抛光后再经250℃×1 h时效处理时的硬度下降,抗拉强度略有上升、伸长率略有下降,残余应力明显降低,晶粒度大小不变,析出相基本为球形,尺寸较小,分布较为集中且多分布于晶界,为析出相Cr3C2溶解并以离位析出的方式重新形成的Cr7C3,同时由于时效温度较低,氧化膜无再生现象,符合后续拉拔工艺要求。与未时效相比,经250℃×1 h时效处理的0Cr25Al5电热合金在后续拉拔过程的模具损耗、断丝率均明显下降,成材率上升。

关键词：铁铬铝合金机械抛光时效处理析出相

ECR等离子体刻蚀增强机械抛光CVD金刚石

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2015年第2期35卷 174-178页

作者：潘鑫马志斌高攀李国伟曹为武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室武汉430073

采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的... 详细信息

采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的影响,结果发现:金刚石经ECR等离子体刻蚀后非晶碳含量有一定程度降低,刻蚀过程在金刚石晶面形成的疏松表面有利于机械抛光,金刚石表面平均粗糙度更加快速降低。对比实验表明等离子体刻蚀对机械抛光前期的抛光效率的增强效果更为明显,在ECR等离子体刻蚀后的金刚石样品经10min机械抛光后粗糙度从7.284下降到1.054μm,而直接机械抛光30min时金刚石的表面粗糙度为1.133μm,在机械抛光的初始阶段,等离子体刻蚀后的机械抛光效率是单纯机械抛光效率的3倍。最终,经过三次重复刻蚀后机械抛光,金刚石表面粗糙度降为0.045μm。

关键词：刻蚀机械抛光电子回旋共振等离子体化学气相沉积金刚石

机械抛光作为后处理对AlCl_3–EMIC型离子液体电镀铝的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电镀与涂饰 2018年第8期37卷 323-327页

作者：易俊兰张骐詹中伟汤智慧孙志华秦锐上海飞机制造有限公司上海200436 北京航空材料研究院航空材料先进腐蚀与防护航空科技重点实验室北京100095

采用机械抛光对以AlCl_3-EMIC型离子液体电镀制备的铝镀层进行后处理。对比研究了镀态和机械抛光后的铝镀层的外观、微观形貌、厚度、结合力和耐蚀性。结果表明,对铝镀层进行机械抛光可以在不影响镀层结合力和耐蚀性的前提下,显著降低... 详细信息

采用机械抛光对以AlCl_3-EMIC型离子液体电镀制备的铝镀层进行后处理。对比研究了镀态和机械抛光后的铝镀层的外观、微观形貌、厚度、结合力和耐蚀性。结果表明,对铝镀层进行机械抛光可以在不影响镀层结合力和耐蚀性的前提下,显著降低其表面粗糙度,提高光泽度。

关键词：电镀铝 1-乙基-3-甲基咪唑氯化物离子液体机械抛光粗糙度光泽度耐蚀性结合力

铝合金轮毂曲面CNC机械抛光轮廓控制方法研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国机械工程 2009年第14期20卷 1673-1677页

作者：吴昌林丁和艳陈义华中科技大学武汉430074

研发了新型圆柱坐标式五坐标联动轮毂曲面CNC机械抛光专用机床,该机床能实现三个气动或电动抛光轮同步抛光轮毂表面。机床采用双层立式的主体机械结构。抛光轮运动轨迹数据源于轮毂CAD/CAM模型。机床控制系统采用抛光轮位姿和抛光力混... 详细信息

研发了新型圆柱坐标式五坐标联动轮毂曲面CNC机械抛光专用机床,该机床能实现三个气动或电动抛光轮同步抛光轮毂表面。机床采用双层立式的主体机械结构。抛光轮运动轨迹数据源于轮毂CAD/CAM模型。机床控制系统采用抛光轮位姿和抛光力混合控制策略。实验结果表明,轮毂CNC机械抛光后表面粗糙度与手工抛光的表面粗糙度相当,但抛光效率高10倍以上。

关键词：铝合金轮毂机械抛光位姿控制抛光力控制轮廓控制

微/纳米氧化铈的可控合成与机械抛光机理研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微/纳米氧化铈的可控合成与机械抛光机理研究

作者：陈月南华大学

学位级别：硕士

氧化铈作为一种稀土抛光材料,已被广泛应用于精密光学玻璃和超大规模集成电路硅单晶片的抛光。本文采用水热法合成了不同形貌的微纳米氧化铈,利用X-射线衍射仪和扫描电子显微镜对其物相组成和表面形貌进行了表征,并研究了其机械抛光性能... 详细信息

氧化铈作为一种稀土抛光材料,已被广泛应用于精密光学玻璃和超大规模集成电路硅单晶片的抛光。本文采用水热法合成了不同形貌的微纳米氧化铈,利用X-射线衍射仪和扫描电子显微镜对其物相组成和表面形貌进行了表征,并研究了其机械抛光性能;另外,利用Ansys软件建立了不同形貌微纳米氧化铈的机械抛光模型,进一步研究了微纳米氧化铈的形貌对单晶硅机械抛光性能的影响,并探讨了微纳米氧化铈机械抛光过程的抛光机理。分别以硝酸铈铵和尿素、硝酸铈和氢氧化钾、硝酸铈和醋酸铵为原料,采用水热法合成了圆球形、方块形和八面体形微纳米氧化铈。以这三种不同形貌的微纳米氧化铈为磨料制备抛光液,在相同的抛光条件下,对单晶硅片进行机械抛光,采用光学显微镜和扫描电子显微镜对单晶硅的表面质量进行表征。结果表明:圆球形微米氧化铈抛光质量最好,但抛光效率低;八面体形纳米氧化铈抛光质量较低,但抛光效率最高;而方块形纳米氧化铈介于两者之间。为了进一步研究微纳米氧化铈机械抛光过程中的抛光机理,本文以有限元软件为技术手段,分别建立不同形貌纳米氧化铈与单晶硅的压应力分布模型。仿真结果表明:在同种形貌下,不同接触形式的抛光模型,其接触应力完全不同,点接触模型的最大应力远大于线接触和面接触。而在同种接触形式下,不同形貌的氧化铈抛光模型,其接触应力也不相同。在点接触情况下,圆球形氧化铈抛光模型的接触应力和接触应变都最小,其机械抛光后的硅片表面仅出现小斑点和浅的划痕,说明圆球形氧化铈抛光质量好,抛光效率低;在线接触情况下,八面体形氧化铈机械模型的接触应力和接触应变都最大,其机械抛光后的硅片表面出现了较大的凹坑和很深的沟槽,说明八面体形氧化铈抛光质量低,抛光效率高;在面接触情况下,八面体形氧化铈机械抛光模型的接触应力和接触应变都大于方块形的,且与方块形氧化铈机械抛光后的硅片质量相比,八面体形氧化铈机械抛光后的硅片有更大凹坑和更深的沟槽,这说明八面体形氧化铈的抛光质量比方块形氧化铈的低,抛光效率却比它高。在机械抛光过程中,不同形貌微纳米氧化铈的抛光方式不尽相同,圆球形氧化铈为机械研磨,方块形和八面体形氧化铈在点接触和线接触情况下都为犁削而在面接触情况下为滑动切削。

关键词：微/纳米氧化铈水热法机械抛光有限元分析

碳化钨材料的电化学辅助机械抛光加工机理及工艺研究

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化钨材料的电化学辅助机械抛光加工机理及工艺研究

作者：林晓婷厦门大学

学位级别：硕士

碳化钨(WC)材料作为常用的硬质合金材料,具有硬度高、导电导热性好、化学性质稳定等优异的材料性能,被广泛应用于精密加工领域,如精密车床的刀具、玻璃模压加工技术的模仁等。在这些涉及的精密加工技术中,为了保证工件的加工精度,一方... 详细信息

碳化钨(WC)材料作为常用的硬质合金材料,具有硬度高、导电导热性好、化学性质稳定等优异的材料性能,被广泛应用于精密加工领域,如精密车床的刀具、玻璃模压加工技术的模仁等。在这些涉及的精密加工技术中,为了保证工件的加工精度,一方面要求碳化钨材料制造的刀具、模仁具有良好的耐高温、耐腐蚀和耐磨性能,另一方面也要求刀具、模仁本身具有优良的表面,包括较低的表面粗糙度、表面无裂缝点坑和亚表面损伤等。但碳化钨材料的高硬度、强稳定性等特点使得其精密加工也是一个不可回避的难题。本论文提出了一种将电化学加工和机械抛光相结合的复合加工方法,可以实现碳化钨材料的高效率、高质量加工。首先,对碳化钨材料进行机械抛光实验即磁流变抛光实验,分析加工参数对抛光加工结果的影响规律,得到较优抛光结果用于与复合加工结果作比对。其中,在主轴转速600rpm、工作间隙1.5mm时,碳化钨材料去除速率为16.8nm/min,连续抛光3.5h能够获得粗糙度Ra 7.1nm的碳化钨工件表面。接着,研究碳化钨材料的电解氧化特性,分析电解氧化产物和影响氧化物生成的因素,掌握碳化钨材料的电解氧化规律以便于通过改变电解参数来控制氧化物的生成速率。通过维氏硬度测量结果可以发现,碳化钨材料的氧化物硬度相较于碳化钨材料本身低了近12倍。最后,将电化学加工与机械抛光相结合开展加工实验。通过电解加工与磁流变抛光分步加工实验可以得到碳化钨材料的氧化物去除速率为200.3nm/min,该速率是同等抛光参数下碳化钨材料去除速率的12倍。分步加工实验得到的碳化钨工件表面粗糙度较纯磁流变抛光无显著优化,且总加工时长没得到缩短,因而进一步开展电解加工与磁流变抛光同步加工实验。在电压3V、电解液为3wt.%KOH溶液时,同步加工30min即可获得粗糙度Ra6.6nm的碳化钨工件表面,工件表面无明显氧化物残留。综上,本论文所提的电化学辅助机械抛光复合加工方法用于高效率、高质量的碳化钨材料加工是可行且有效的。该方法有利于缩短加工时长,节约加工成本,且便于控制材料去除量,是一个具有较好发展前景的加工技术。

关键词：碳化钨材料电解加工机械抛光磁流变抛光