检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种温度不敏感的高线性功率放大器

固体电子学研究与进展 2020年第1期40卷 7-11,22页

作者：蓝焕青张志浩曾凡杰李嘉进章国豪广东工业大学信息工程学院广州510000

设计了一种温度不灵敏的高线性度的射频功率放大器芯片,采用新颖的带温度反馈环路的有源片上自适应偏置电路,该电路降低了温度引起的放大器集电极直流电流分量的变化量,补偿了由温度变化而引起的性能偏差,进而有效提高了放大器的线性度... 详细信息

设计了一种温度不灵敏的高线性度的射频功率放大器芯片,采用新颖的带温度反馈环路的有源片上自适应偏置电路,该电路降低了温度引起的放大器集电极直流电流分量的变化量,补偿了由温度变化而引起的性能偏差,进而有效提高了放大器的线性度。基于这个温度不灵敏的偏置结构采用InGaP/GaAs HBT工艺设计了一个工作在2110~2170 MHz频段的功率放大器。测试结果表明,该功放在工作频段内的增益大于等于35.3 dB;在中心频率2140 MHz处,1 dB功率压缩点大于33 dBm,功率附加效率在输出功率24.5 dBm时为18%;使用LTE_FDD调制信号,获得邻信道功率比为-47 dBc。在环境温度为-40℃、+25℃和+80℃条件下,功放的增益平坦度较好,增益变化量小于1.5 dB,输出级集电极电流基本不变,有效降低了功放对温度的敏感性。

关键词：功率放大器有源偏置高线性度温度不敏感

1~9 GHz超宽带温度补偿低噪声放大器的设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

南京大学学报（自然科学版） 2020年第6期56卷 892-899页

作者：周守利吴建敏张景乐陈伟王志宇浙江工业大学信息工程学院杭州310023 浙江大学航空航天学院杭州310027

超宽带低噪声放大器是可重构射频前端、宽带相控阵雷达必需的芯片,其性能直接影响系统的灵敏度.展示一款集成温度补偿有源偏置电路的超宽带低噪声放大器,该放大器采用新型温度补偿有源偏置电路,能有效地降低工作环境温度变化导致的增益... 详细信息

超宽带低噪声放大器是可重构射频前端、宽带相控阵雷达必需的芯片,其性能直接影响系统的灵敏度.展示一款集成温度补偿有源偏置电路的超宽带低噪声放大器,该放大器采用新型温度补偿有源偏置电路,能有效地降低工作环境温度变化导致的增益波动;同时,通过带宽扩展技术提高晶体管高频增益,实现9倍频程的工作带宽.该款芯片基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计制造,尺寸为2 mm×1.2 mm.测试结果表明,该低噪声放大器在5 V工作电压下,功耗为125 mW;工作频率为1~9 GHz,频带内噪声系数小于1 dB,增益大于25 dB,输入输出回波损耗小于-10 dB,输出1 dB压缩点大于10 dBm;在-55~125℃工作环境下,芯片增益波动小于1 dB.

关键词：超宽带温度补偿有源偏置低噪声放大器负反馈

基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子元件与材料 2022年第1期41卷 83-88页

作者：陈仲谋张博西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流。同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构。基于2μm... 详细信息

为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流。同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构。基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放大器。电磁仿真结果表明:在5 V电压供电下,静态功耗为0.17 W,本放大器在0.05~10 GHz频率范围内,小信号增益最大为21 dB,输出功率三阶交调点最大为31.1 dBm,输出功率1 dB压缩点最大为16.1 dBm,回波损耗均小于-10 dB,高低温下静态电流波动±1.5 mA。

关键词：超宽带高线性度放大器 GaAs HBT 动态偏置有源偏置达林顿结构

基于SiGe HBT的38GHz功率放大器设计

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子技术应用 2016年第2期42卷 36-38,45页

作者：邸士伟刘昱李志强张海英中国科学院微电子研究所"新一代通信射频芯片技术"北京市重点实验室北京100029

功率放大器(Power Amplifier,PA)是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积,针对毫米波频段下,晶体管可获得最大增益较低,采用堆叠晶体管提... 详细信息

功率放大器(Power Amplifier,PA)是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积,针对毫米波频段下,晶体管可获得最大增益较低,采用堆叠晶体管提高了功率放大器的增益,同时通过优化有源器件参数,提高了功率放大器的输出功率和效率。仿真结果显示,在4 V的供电电压下,工作在38 GHz的功率放大器1 dB压缩点输出功率为17.8 d Bm,功率增益为19.0 dB,功率附加效率为32.3%,功耗为252 mW。

关键词：功率放大器 38 GHz HBT 有源偏置

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

超短波低噪声放大器的设计

电子元件与材料 2021年第5期40卷 474-478页

作者：张博肖宝玉西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121

采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10~1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器。该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能... 详细信息

采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10~1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器。该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作。仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm。

关键词：高线性度有源偏置共源共栅结构低噪声放大器输出三阶交调点

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

低功耗单片低噪声放大器芯片

浙江工业大学学报 2016年第6期44卷 624-627页

作者：周守利俞俊学陈伟熊德平浙江工业大学信息工程学院浙江杭州310023 浙江大学航空航天学院浙江杭州310027 广东工业大学物理与光电学院广东广州510006

基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯... 详细信息

基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动.供电电压为5V的条件下,芯片的工作带宽为19~24GHz,增益和噪声系数分别为（24.7±0.2）,（1.4±0.1）dB,电路总电流仅为5mA.芯片尺寸为2mm×1mm.与其他相同工作频率、使用传统技术的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势.

关键词：低噪声放大器电流复用低功耗有源偏置鲁棒性

基于GaAs HBT工艺的宽带高线性度功率放大器研究与设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于GaAs HBT工艺的宽带高线性度功率放大器研究与设计

作者：黄文涛杭州电子科技大学

学位级别：硕士

为了满足人们对通信速率、容量和稳定性的发展需求,第五代移动通信网络(5G)应运而生。通信基站作为5G通信网络的关键组成部分,正朝着高信息吞吐量和高数据传输速率方向发展。这对射频前端的设计提出了更高的要求,主要体现在提高发射功... 详细信息

为了满足人们对通信速率、容量和稳定性的发展需求,第五代移动通信网络(5G)应运而生。通信基站作为5G通信网络的关键组成部分,正朝着高信息吞吐量和高数据传输速率方向发展。这对射频前端的设计提出了更高的要求,主要体现在提高发射功率和工作效率、增大工作带宽和改善线性度等方面。射频功率放大器作为基站射频前端的核心有源器件,同时也是发射机中最耗能的部分,其工作带宽、发射功率和效率直接决定了射频前端的性能,其线性度的好坏也直接决定着最终发射信号的失真程度。因此,设计一款宽带高线性度的功率放大器显得尤为重要,以应对不断增长的通信需求。本文首先介绍了当前国内外对射频功率放大器研究的现状,以确定本课题的研究内容。其次,从工作原理和器件特性的角度讨论了对本设计中所采用的半导体工艺。此外,还详细阐述了功率放大器的基本理论,并讨论了本设计中功率放大器的难点。根据上述的调研分析,本文基于GaAs HBT工艺设计了一款适用于5G通信基站的宽带高线性度功率放大器,主要研究工作如下:(1)提出了一种新型偏置电路,用于改善功率放大器的线性度。由于传统的偏置电路无法稳定HBT器件的静态工作点,使得功率放大器产生非线性。此外,传统偏置电路的温度稳定性较差,而且无法实现电流的精准控制。本文提出的新型偏置电路解决了以上的不足,能有效提升功率放大器的线性度,同时实现良好的热稳定性和电流的精准控制。(2)采用了等Q值匹配技术和多级放大器的结构实现带宽和增益的设计要求。根据带宽和增益波动的要求,在晶体管的基极和集电极之间加入负反馈网络保证设计频段具有良好的增益平坦度。为保证功率放大器芯片具有良好的静电防护性能,在设计的芯片加入了额外的静电保护电路。(3)设计了一款2.3～5GHz的宽带功率放大器,完成了功率放大器芯片的原理图与版图设计、基板和测试板的仿真设计以及芯片的联合仿真。所设计的功率放大器仿真结果满足预期指标,并经过了流片和后期的调试。测试结果表明:在2.3～5GHz频段内,小信号增益为35d B,饱和输出功率大于27d Bm,功率附加效率大于30%,芯片面积仅为0.576mm。与国内外相关设计对比,本文设计的功放在带宽、增益和芯片面积上具有明显的优势。

关键词： GaAs HBT 功率放大器有源偏置线性化

应用于WLAN的5GHz-6GHz低噪声放大器设计与实现

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

应用于WLAN的5GHz-6GHz低噪声放大器设计与实现

作者：李菘西安理工大学

学位级别：硕士

随着无线通信技术的发展,WLAN 802.1 1ac(5GHz频段)的数据传输速率越来越高,对射频接收系统提出了新的挑战,而低噪声放大器(LNA)作为接收机的关键模块,具有重要的工程应用价值。论文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款应用于W... 详细信息

随着无线通信技术的发展,WLAN 802.1 1ac(5GHz频段)的数据传输速率越来越高,对射频接收系统提出了新的挑战,而低噪声放大器(LNA)作为接收机的关键模块,具有重要的工程应用价值。论文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款应用于WLAN的5GHz～6GHz低噪声放大器。主要工作如下:首先,对国内外WLANLNA的主流产品性能指标归纳总结,分析其设计重点以及存在的问题。其次,基于SiGe BiCMOS工艺完成了 5GHz～6GHz LNA的设计,主要包括主体放大电路、偏置电路、匹配电路和Bypass通路。主电路采用两级共射级联来提高LNA增益,并通过调整晶体管内部并联数目(m)改变输入实部阻抗,提升噪声性能且简化输入匹配,缩小最大功率传输阻抗点与最佳噪声匹配点的距离;偏置电路中提出了一种新型结构的有源偏置,该结构相较于传统的有源偏置电路,具有优异的温度稳定性,对应的工作电流温漂系数由8.91e-4/℃降低为17.4e-6/℃;输入/输出匹配采用L型网络,该网络结构简单,对电路噪声影响较小且稳定性高;加入Bypass通路有效阻挡了大信号对电路造成影响。再次,对LNA版图中的重要元器件分模块布局设计,使射频信号通路尽可能为直线,并对SiGe HBT采用3×2分布,由M4～M6金属布线。最后,测试结果显示在3.3V的工作电压下,LNA在5GHz～6GHz频段内稳定,中心频点5.5GHz处,高增益模式下的噪声系数约为2.18dB,对应的增益约为23.5dB;Bypass模式下的增益约为-10.4dB;直流功耗约为20.79mW,所有指标均满足了设计要求。

关键词：低噪声放大器 WLAN SiGe HBT 有源偏置

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器电路

通讯世界 2016年第4期22卷 272-274页

作者：俞俊学陈伟浙江工业大学信息工程学院浙江杭州310023 浙江大学航空航天学院浙江杭州310027

基于0.15um GaAs pHMET工艺技术,采用电流复用偏置结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性紧凑型低功耗单片低噪声放大器芯片。该款放大器具有两级拓扑结构,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动,同时通过改进匹配网络... 详细信息

基于0.15um GaAs pHMET工艺技术,采用电流复用偏置结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性紧凑型低功耗单片低噪声放大器芯片。该款放大器具有两级拓扑结构,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动,同时通过改进匹配网络结构进一步优化芯片的噪声系数和缩小电路尺寸。在偏置电压为5V的条件下,放大器的工作带宽为2~8GHz,增益和噪声系数分别为24.7±0.7d B和1.18±0.1d B,电路总电流仅为20m A。芯片尺寸为2.5mm×1mm。与常规工艺和技术所设计的低噪声芯片和其他类型工作频率的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势。

关键词：电流复用紧凑型低功耗有源偏置鲁棒性