检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 1992年第6期13卷 327-332页

作者：康俊勇黄启圣林虹陈朝唐文国李自元厦门大学物理系厦门361005 红外物理国家实验室上海200083

用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.

关键词： AlCaAs混晶杂质施主能级 Te

组分和热历程对LEC GaAs中深施主能级(EL2)的影响

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固体电子学研究与进展 1991年第4期11卷 318-323页

作者：杨瑞霞李光平河北工学院天津300130 天津电子材料研究所 300220

用红外吸收的方法测量了不同组分的原生未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度([EL2]),并用热处理后快速冷却的方法模拟晶体生长后冷却过程中的不同阶段,测量分析了各阶段[EL2]的变化.在实验结果的基础上对EL2生成过程及影响其生成的因素... 详细信息

用红外吸收的方法测量了不同组分的原生未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度([EL2]),并用热处理后快速冷却的方法模拟晶体生长后冷却过程中的不同阶段,测量分析了各阶段[EL2]的变化.在实验结果的基础上对EL2生成过程及影响其生成的因素进行了讨论.

关键词： GaAs LEC 施主能级热处理相关性

ZnSe_(1-x)S_x中3d过渡金属杂质施主能级

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Journal of Semiconductors 1989年第1期10卷 1-7页

作者：顾一鸣黄明竹汪克林中国科学技术大学物理系

本文用一个自旋极化的自洽紧束缚格林函数方法预言了ZnSe_(1-x)S_x合金系统中Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni和Cu等9个3d过渡金属杂质引入的施主能级.文中还就与施主能级变化趋势有关的物理问题进行了讨论.

关键词： ZnSe1-xSx 3d杂质施主能级

硅掺杂MOCVD氧化镓中的非故意掺杂效应:浅施主态

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Science China Materials 2023年第2期66卷 748-755页

作者：向学强李立恒陈陈徐光伟梁方舟谭鹏举周选择郝伟兵赵晓龙孙海定薛堪豪高南龙世兵 School of Microelectronics University of Science and Technology of ChinaHefei 230026China School of Optical and Electronic Information Huazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China

本文利用MOCVD外延生长了不同载流子浓度的高质量β-Ga_(2)O_(3)薄膜并通过变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)分析研究了薄膜中的浅施主态.通过拟合提取出薄膜中存在的两个电离能分别为~36和~140 meV的施主能级.进一步研究发现非故意掺... 详细信息

本文利用MOCVD外延生长了不同载流子浓度的高质量β-Ga_(2)O_(3)薄膜并通过变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)分析研究了薄膜中的浅施主态.通过拟合提取出薄膜中存在的两个电离能分别为~36和~140 meV的施主能级.进一步研究发现非故意掺杂(UID)效应对这两个能级都有影响:第一个施主能级不仅来源于硅掺杂也来源于非故意碳掺杂取代Ga位,第二个施主能级主要来源于与非故意掺杂氢相关的双电荷缺陷.通过分析生长条件与施主态之间的关系结合密度泛函理论计算我们发现在生长过程中降低氧分压可能有助于降低UID效应.该工作为硅掺杂MOCVDβ-Ga_(2)O_(3)薄膜载流子浓度的精确控制奠定了基础.

关键词：载流子浓度施主能级非故意掺杂 MOCVD 外延生长霍尔测量氧化镓密度泛函理论计算

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Ⅲ、Ⅴ族杂质对硅中热施主性质的影响

Journal of Semiconductors 1986年第1期 48-58页

作者：高小平周洁许振嘉中国科学院半导体研究所

首次利用导纳谱技术研究了450℃处理后的CZ-Si.导纳谱、DLTS和霍耳测量的结果表明:热施主有四个施主能级,即 E;-（330～280）meV、E;- 120meV、E;-52meV和E;- 30 meV.同时证明:Ⅲ族和Ⅴ族杂质对这些能级的影响不同.对Ⅲ族杂质增强热施... 详细信息

首次利用导纳谱技术研究了450℃处理后的CZ-Si.导纳谱、DLTS和霍耳测量的结果表明:热施主有四个施主能级,即 E;-（330～280）meV、E;- 120meV、E;-52meV和E;- 30 meV.同时证明:Ⅲ族和Ⅴ族杂质对这些能级的影响不同.对Ⅲ族杂质增强热施主形成的效应和目前已报道的有关热施主能级的分歧进行了详细研究和讨论.本文指出,用一个统一微观模型说明热施主的各种性质似乎不妥,并对这四个施主能级可能的缺陷结构进行了简单探讨.

关键词：施主能级热处理时间热施主导纳谱

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直拉硅单晶中的新施主

材料研究学报 1988年第4期 56-60页

作者：林兰英王占国钱家骏葛惟锟万寿科林汝淦中国科学院半导体研究所

直拉硅单晶中新施主（ND）的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为 E;（Ⅰ）=50±5meV,E;（Ⅱ）=100±10meV（对于 P 型单晶）以及 E;（Ⅲ）=25meV（对... 详细信息

直拉硅单晶中新施主（ND）的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为 E;（Ⅰ）=50±5meV,E;（Ⅱ）=100±10meV（对于 P 型单晶）以及 E;（Ⅲ）=25meV（对于 N 型单晶）。

关键词：施主 ND 光致发光谱电子 Hall 轻子直拉硅单晶施主能级

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n型GaN的蓝光发射研究

中山大学学报（自然科学版） 2002年第1期41卷 105-107,109页

作者：李欣彭林峰黄绮雯赖天树林位株中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室∥物理系广东广州510275

使用光谱表征技术研究了非掺杂n型GaN的蓝光发射机理 ,给出了 42 7～ 496nm (2 5～ 2 9eV)范围的蓝光的发光模型。蓝光发射为施主型发射。

关键词： GaN 蓝光发射光电子材料 n型氮化钙发光机制施主能级施主型发射

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光谱增感作用的双电子交换理论

感光材料 1988年第2期 8-13页

作者： J.W.Mitchell 路红旗

一、引言近年来,对光谱增感机理的讨论都是以单电子或正穴从染料分子转移到卤化银为依据的。这些讨论认为,电子的传递过程,取决于位于卤化银导带底部和价带顶部的光激发染料分子的最高占有能级和最低空位能级的位置。这种直接电子传递... 详细信息

一、引言近年来,对光谱增感机理的讨论都是以单电子或正穴从染料分子转移到卤化银为依据的。这些讨论认为,电子的传递过程,取决于位于卤化银导带底部和价带顶部的光激发染料分子的最高占有能级和最低空位能级的位置。这种直接电子传递理论在禁带能域中既未引入电子施主能级,也未引入电子受主能级,而是认为吸附了染料的高纯度和完整的卤化银单晶在吸收了1. 5～3eV 能量的光电子后就会形成潜影。但是这一结论是与热力学第一定律相违背的,因为在卤化银表面位置形成分离的Ag 和Br 原子至少要吸收

关键词：卤化银增感施主能级电子交换染料分子受主能级电子传递正穴禁带导带底

HCl气氛制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料

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发光学报 1987年第3期 216-225页

作者：宣丽罗晞中国科学院长春物理研究所

本文首次较系统报导了HCl气氛中制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料的特性。指出HCl气氛的主要作用,一是使材料结晶更好,二是引进Cl施主能级,使得PL和DCEL亮度提高。本实验还研究了ZnS粉在HCl气氛中灼烧时的相转换特点,以及晶相比对抗老化性能的... 详细信息

本文首次较系统报导了HCl气氛中制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料的特性。指出HCl气氛的主要作用,一是使材料结晶更好,二是引进Cl施主能级,使得PL和DCEL亮度提高。本实验还研究了ZnS粉在HCl气氛中灼烧时的相转换特点,以及晶相比对抗老化性能的影响。讨论了晶相比与颗粒表面Cu;S导电相性质的关系,认为这是晶相比影响老化的原因。

关键词： ZnS 光致发光六角相灼烧焙烧材料特性施主能级 DCEL HCl Mn

In-Si(111)界面上的电荷转移及铟原子的表面电致迁移现象

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物理学报 1983年第5期 640-647页

作者：周均铭中国科学院物理研究所

用反射式高能电子衍射仪首次观察到在Si(111)面上的一部分铟吸附原子在直流电场下,沿电场方向发生迁移的现象——表面电致迁移。根据所观察到的表面电致迁移过程,可以把吸附在Si(111)面上的铟原子的结合状态分成两类:紧靠着硅表面的一... 详细信息

用反射式高能电子衍射仪首次观察到在Si(111)面上的一部分铟吸附原子在直流电场下,沿电场方向发生迁移的现象——表面电致迁移。根据所观察到的表面电致迁移过程,可以把吸附在Si(111)面上的铟原子的结合状态分成两类:紧靠着硅表面的一个单原子层铟与硅表面结合牢固,几乎不受电场影响,称为紧固层;在紧固层以上的铟层易受电场影响而发生表面电致迁移,称为迁移层。从铟原子的表面电致迁移率与温度的关系,求得表面质量迁移的激活能为0.43eV。用表面电导测量研究了In-Si(111)界面形成过程中的电荷转移现象。结果表明,吸附在硅表面的铟原子形成表面深施主能级。导致表面电致迁移的力是离化了的铟原子在电场中所受到的库仑力。

关键词：施主能级超结构标准全域电致迁移 In-Si 表面电导电荷交换电荷转移 Si