检索结果-南通市图书馆

一种能提高煤炉取暖效果的装置——火墙式散热器

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暖通空调 1992年第2期21卷 36-39页

作者：吴康宁武汉市长江水利委员会

一、概述我国目前仍有许多分散住户或无集中供暖的居民楼,冬季使用小型普通煤炉供暖(或兼用于烧水、做饭),靠铁皮烟筒散热并将烟气引出室外。这种传统设备取暖效果很差。一般使用的烟道为两节垂直接若干节水平的铁皮烟筒通至室外,垂直... 详细信息

一、概述我国目前仍有许多分散住户或无集中供暖的居民楼,冬季使用小型普通煤炉供暖(或兼用于烧水、做饭),靠铁皮烟筒散热并将烟气引出室外。这种传统设备取暖效果很差。一般使用的烟道为两节垂直接若干节水平的铁皮烟筒通至室外,垂直段散热表面积不大,尚有大部分热量靠水平段散发,然而水平段位于空间的上层,不易形成对流条件。因此室温有明显分层现象。

关键词：集中供暖散热量冬季使用自然对流垂直段强迫对流对流散热肋片散热面积散热问题

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“38度机箱”确立机箱选购新标准？

微型计算机 2004年第22期24卷 83-85页

作者：孟庆飞

新一代处理器和显卡既带来了明显的性能提升，也令机箱内的散热状况无法乐观，如果不能从整体上改善系统散热效率，散热问题将愈发严峻……

关键词：机箱显卡处理器散热问题散热效率新一代性能提升热状况新标准改善

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精心打造机箱智能散热系统

微型计算机 2006年第22期26卷 128-130页

作者：张歌

高功率的CPU和曼示核心让PC散热问题已不仅仅局限在局部，而是面向机箱整体．整体散热已经得到越来越多DIYer的章视。然而，机箱风扇越多噪音越大，如何在散热和噪音之间做到平衡昵）

关键词：散热系统机箱风扇智能散热问题 CPU 高功率噪音 PC

数据中心设计与管理解决方案——6Sigma DC

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电气应用 2014年第15期33卷 18-19页

作者：杨超北京瑞思博创科技有限公司

6SigmaDC软件是由英国Future Facilities公司开发,专门用于数据中心的设计与管理及电子产品散热分析,适合数据中心设计人员、机房维护人员、IT人员、结构工程师、应用工程师和项目经理使用。借助6SigmaDC的分析和模拟,用户可以减少产品... 详细信息

6SigmaDC软件是由英国Future Facilities公司开发,专门用于数据中心的设计与管理及电子产品散热分析,适合数据中心设计人员、机房维护人员、IT人员、结构工程师、应用工程师和项目经理使用。借助6SigmaDC的分析和模拟,用户可以减少产品设计成本,降低数据中心基础设施的运行和维护成本,降低PUE数值,提高数据中心的可用性和延长数据中心的使用寿命。6SigmaDC软件可以解决不同级别的散热问题。

关键词：数据中心 igma DC 设计成本机房维护应用工程师结构工程师电子产品机柜散热问题基础设施

简易的静音散热方案——酷冷至尊Aquagate Mini 120迷你水冷散热器

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微型计算机 2005年第11期25卷 23-25页

作者：梁顺敏修罗猫

处理器功耗的飙升，使得散热问题日益严峻，尤其是散热器恼人的噪音问题一直得不到很好的解决，为了创造宁静，舒适且性能卓著的工作平台，高端用户已经开始采用新式的一体化迷你水冷散热器，究竟这种散热器的效果如何呢？

关键词：水冷散热器散热方案 Mini 迷你静音散热问题噪音问题工作平台处理器一体化高端

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导热塑料领域艾有重大进展

绝缘材料 2017年第8期50卷 121-122页

如果先进塑料能更好的解决散热问题，那么它们就可以带来包括用于汽车、LED和计算机这些领域的更轻、更便宜、更节能的产品组件。当前一种可以改变塑料分子结构的新技术正在朝着这个方向发展。

关键词：导热塑料散热问题分子结构计算机 LED 新技术组件

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三维封装TSV新结构及热力耦合特性分析

三维封装TSV新结构及热力耦合特性分析

作者：樊梦莹江苏师范大学

学位级别：硕士

近年来,贯穿硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为主流的三维封装技术,通过在芯片或者晶圆之间制作硅孔,在硅孔内填充金属实现多层芯片间电气和机械的直接互连,因其鲜明的工艺特点得到业界的关注。然而,三维封装TSV技术封装密度的提高... 详细信息

近年来,贯穿硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为主流的三维封装技术,通过在芯片或者晶圆之间制作硅孔,在硅孔内填充金属实现多层芯片间电气和机械的直接互连,因其鲜明的工艺特点得到业界的关注。然而,三维封装TSV技术封装密度的提高导致芯片功率密度急剧上升,TSV面临着严重的散热问题,温度的急剧升高产生的热应力问题也更加突出,严重的热应力失配将会造成整个TSV封装结构的互连失效。因此,TSV的散热和热应力失配问题是制约该技术发展的关键问题之一。本文针对上述三维封装TSV结构面临的问题开展研究。首先,建立多层芯片堆叠的三维封装TSV有限元模型,分析在不同载荷作用下整体温度场和热应力分布情况,采用正交试验法分析芯片高度、TSV直径和间距对散热性能和热应力的影响。其次,针对新节点下TSV面临的问题,利用碳纳米材料良好的热力学、机械和材料特性,提出将碳纳米材料作为TSV结构的过渡层,并使用有限元分析方法研究三维封装TSV新结构在提高散热能力和降低热应力方面的效果,解决TSV技术发展的关键难题。最后,根据提出的三维封装TSV新结构,研究新结构的制备方法,包括硅孔的刻蚀、阻挡层金属的沉积、碳纳米材料的生长方法和硅孔的电镀填充工艺等,为新技术节点下TSV结构的设计,工艺制造和性能分析提供新的思路。

关键词：三维封装硅通孔散热问题热应力碳纳米材料

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大功率LED封装的散热分析

大功率LED封装的散热分析

作者：唐开远扬州大学

学位级别：硕士

发光二极管(LED)因其无污染、高效率、体积小等诸多优点,被认为是21世纪最有价值的新光源,将取代白炽灯和日光灯成为照明市场的主流,有着巨大的市场前景。随着近年来LED芯片的功率密度越做越大,导致在芯片上产生大量的热,热量的聚集将... 详细信息

发光二极管(LED)因其无污染、高效率、体积小等诸多优点,被认为是21世纪最有价值的新光源,将取代白炽灯和日光灯成为照明市场的主流,有着巨大的市场前景。随着近年来LED芯片的功率密度越做越大,导致在芯片上产生大量的热,热量的聚集将会导致芯片结温升高和发光效率降低等一系列不良后果,进而缩短LED的正常工作寿命。因此,对大功率LED进行散热研究具有一定的实际意义。本课题主要围绕大功率LED的散热问题进行研究,利用有限元法对LED封装结构、封装材料进行分析与设计。首先系统的介绍了LED的发光原理、特性参数等一些基础知识。接着介绍了传热学的相关理论,提出了LED的热阻网络模型,并对大功率LED的热阻进行理论计算。本文采用有限元法对大功率LED封装进行三维热力学分析,得到其稳态时的温度分布,分布显示塑料封装与芯片之间的温差较大,而散热基板和芯片之间的温差则较小,从中可以看出芯片产生的绝大部分热量主要通过基板传递到空气中。接着利用有限元法分析了不同封装结构、封装材料、散热条件等对LED散热性能的影响。论文对条形齿散热器进行模拟分析,得到了不同的散热器材料、尺寸等因素对散热器散热性能的影响。结果表明：散热器鳍片的个数越多、间距越小、高度越高,散热器的散热性能越好,但鳍片的厚度变化对散热性能影响较小。此外本文还对墩形齿散热器的散热性能进行了分析,结果表明：当鳍片间距小于特定值时,墩形齿散热器的散热性能就会优于条形齿散热器。

关键词：发光二极管散热问题有限元法模拟分析

功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究

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功率电子器件封装用氮化铝陶瓷基板覆铜的研究

作者：陈科成中国计量大学

学位级别：硕士

近年来制造功率电子器件都以细微加工和MOS工艺为基础,从而推动了功率电子器件向集成化、模块化方向发展;高压大功率需求的不断增加以及工艺技术的飞速革新,推动着功率器件向着小体积、高性能、速度快的方向发展,在封装时通过多芯片连... 详细信息

近年来制造功率电子器件都以细微加工和MOS工艺为基础,从而推动了功率电子器件向集成化、模块化方向发展;高压大功率需求的不断增加以及工艺技术的飞速革新,推动着功率器件向着小体积、高性能、速度快的方向发展,在封装时通过多芯片连接从而实现模块化是大势所趋,由此而引发的电路发热量也迅速提高,这将导致功率模块器件单位体积内所生成的热量急剧累积,使得芯片寿命下降。解决器件散热问题的关键在于选择合适的封装基板,AlN陶瓷覆铜基板以其优良的导热和导电性能,在功率电子器件封装领域得到了广泛的关注与研究,具有非常广阔的应用前景。因此为了获得较高质量的AlN陶瓷覆铜基板,本课题采用厚膜金属化工艺和薄膜金属化工艺制备了AlN陶瓷金属化覆铜样品,通过对工艺的调节与研究,优化了AlN陶瓷金属化覆铜的工艺且获得了性能优良的金属化覆铜基板。本论文主要研究成果如下:(1)在AlN基板上通过丝网印刷的方式刷涂纯CuO浆料,然后在1000100℃下进行气氛热处理,成功获得了厚膜金属化覆铜样品。通过测试发现所获得金属化膜层厚度约为500μm,最优热处理温度为1075℃,在此温度下所获得的金属化样品性能最优,表面膜层孔隙率最低,膜层方阻为0.458mΩ/□,膜层附着力为15.315 MPa;经分析发现是由于结合界面处铜的氧化物和AlN基板在氧气气氛下发生化学反应,生成CuAlO和CuAlO,对金属化基板结合强度有着重要的影响。(2)通过在AlN基板上预先刷涂一层活性浆料,然后再刷涂CuO浆料的方式对AlN金属化基板金属化膜层进行加厚处理,然后经950050℃气氛热处理,成功获得了活性厚膜金属化覆铜基板。通过测试可知所获样品膜层厚度有了较大的提升,约为14580μm;最优热处理温度为1000℃,此时表面膜层孔隙率最低,膜层方阻为4.008 mΩ/□,膜层附着力为23.691 MPa;经分析发现,活性浆料中的Al粉和Ti粉在增强结合力的方面起着较为重要的作用,Al粉发生反应生成的AlO高温下可以和铜的氧化物发生反应,在相对较低温度时即可生成CuAlO,以及Ti粉和AlN基板反应生成TiN等物质均能够有效提高金属化覆铜基板的结合力。(3)通过调节不同金属靶材的工作气压和溅射功率,以台阶仪表征溅射薄膜层厚度,确定了各靶材的最优溅射工艺参数及相应的溅射速率;以最优工艺参数在AlN基板表面分别溅射2μm的W、Mo、Ti、Al膜层,然后将预溅射不同金属膜层的AlN基板再共同溅射金属铜膜层,经1000℃还原性气氛热处理实现了AlN基板薄膜法覆铜。通过测试发现所获得薄膜金属层厚度约为1μm,中间层为W的金属化基板表面膜层状态最优,W的存在可以促进表面铜膜呈现相对强烈的能有效降低膜层缺陷的(111)织构,其表面方阻为5.840 mΩ/□,膜层附着力达25.452 MPa;经分析可知,钨的热膨胀系数较低,可起到缓解热应力的作用,且在热处理时钨和氮可形成高晶格能化合物,从而增强金属化膜层在AlN表面的附着力。

关键词：功率器件散热问题封装基板陶瓷金属化 AlN覆铜