检索结果-南通市图书馆

数学进展 2024年第3期53卷 588-598页

作者：相中启陈裕先林春霞新余学院数学与计算机学院新余学院教务处

本文给出了两个充分必要条件,使得当Hilbert C^(*)-模中的框架擦除一个元素后其剩余部分可构成一个新框架.此外给出了Hilbert C^(*)-模中框架的几个新刻画,与此同时,给出了关于该主题的一个已有结果的完整证明.

关键词： Hilbert C^(*)-模框架擦除 Moore-Penrose逆

Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜光学及擦除性能研究

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光子学报 2005年第4期34卷 577-581页

作者：张广军顾冬红干福熹中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室上海201800

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围... 详细信息

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态对于脉宽为60ns的蓝绿激光,擦除功率大于4. 49mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5 相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜的光谱特性,对比研究了780nm, 650nm, 514nm和405nm波长处的反射率和反射率对比度。

关键词：相变薄膜蓝绿激光 Ge2Sb2Te5 擦除反射率对比度光盘

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用FPGA实现PROM配置信息擦除的方法

计算机工程与设计 2007年第23期28卷 5745-5747,5764页

作者：王吕大张淑萍北京计算机技术及应用研究所北京100039

通过对边界扫描测试技术原理的分析理解,特别是测试访问接口控制器的16种状态的相互转换分析,总结出边界扫描测试的核心操作,归纳出相应的操作流程。并结合工具软件产生的SVF文件和产商提供的BSDL文件,用硬件描述语言设计了一种基于边... 详细信息

通过对边界扫描测试技术原理的分析理解,特别是测试访问接口控制器的16种状态的相互转换分析,总结出边界扫描测试的核心操作,归纳出相应的操作流程。并结合工具软件产生的SVF文件和产商提供的BSDL文件,用硬件描述语言设计了一种基于边界扫描测试标准的擦除PROM配置信息的方法,并用FPGA进行了该方法的验证和实现。

关键词：现场可编程门阵列边界扫面测试测试访问接口控制器配置信息擦除

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有机偶氮膜片实时和永久全息存储及擦除

光子学报 1996年第11期25卷 982-988页

作者：武鹏飞巩雄张桂兰汤国庆陈文驹南开大学现代光学研究所

用有机偶氮膜片实现了实时、永久全息存储以及光擦除和热擦除。对其微观机制进行了分析讨论。

关键词：偶氮全息存储擦除光存储

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非挥发存储产品紫外线擦除性能的研究

非挥发存储产品紫外线擦除性能的研究

作者：朱鸣上海交通大学

学位级别：硕士

本文以集成电路工程中日益常用的非挥发存储产品为研究对象,从其信息擦除过程中所实际遇到的工程问题切入,深入研究与擦除性能相关的工艺参数,并以此结论指导集成电路工艺调整,解决了信息擦除的问题,提升产品良品率。本文深入介绍集成... 详细信息

本文以集成电路工程中日益常用的非挥发存储产品为研究对象,从其信息擦除过程中所实际遇到的工程问题切入,深入研究与擦除性能相关的工艺参数,并以此结论指导集成电路工艺调整,解决了信息擦除的问题,提升产品良品率。本文深入介绍集成电路中非挥发存储器的应用背景与工作原理,包括信息写入,读取以及擦除操作。后引入实际生产实践中所遇到的良品率问题,进行失效分析与验证,确定为非挥发存储器紫外线擦除性能不佳后,创新地在生产流程末端紫外线照射操作之后引入一道晶圆炼选测试,并证明其能有效反映存储器的紫外擦除性能。以此测试的失效率为指标,针对可能影响信息擦除性能的工艺参数,特别是钝化层沉积工艺环节作深入讨论,并选取其中一些重要参数,如薄膜厚度与反射系数进行晶圆流片试验。从工艺拉偏试验测试结果中,细致分析各参数的影响,最终得到影响擦除性能的参数与紫外线照射时间,钝化层厚度,以及反射系数之间的敏感度关系。以此结论,指导制造工艺做出相应调整,将产品失效率从12%降低至0.1%以下,解决了信息擦除的工程问题,提升产品良品率。本文所作研究与结论亦可为其他集成电路制造工艺领域工程课题参考。

关键词：非挥发存储擦除紫外线钝化层反射系数