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组合机床与自动化加工技术 2017年第3期 53-56页

作者：杨航朱正龙刘小雍何建国遵义师范学院工学院贵州遵义563006 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所四川绵阳621900

针对磁流变机床形式多样和不同加工工艺对磁流变机床联动要求不一的特点,文章提出了一种通用的磁流变抛光斑空间确定性创成方法,解决抛光斑创成控制系统难以移植的问题。首先通过研究得到单一部件运动表征方法,进而建立多部件联合运动... 详细信息

针对磁流变机床形式多样和不同加工工艺对磁流变机床联动要求不一的特点,文章提出了一种通用的磁流变抛光斑空间确定性创成方法,解决抛光斑创成控制系统难以移植的问题。首先通过研究得到单一部件运动表征方法,进而建立多部件联合运动分析方法;其次,利用低序体理论形成了方便计算机编程实现的通用抛光斑空间确定性控制方程;最后,通过仿真和工艺试验表明了所提方法的正确性。该方法可以为建立通用柔性抛光分析系统提供理论支撑。

关键词：磁流变抛光斑空间确定性通用创成方法

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抛光轮表面形貌对抛光斑质量影响

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机械工程师 2023年第1期 44-46页

作者：孟德琳金洙吉周平大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116024

探究小尺寸轮式抛光中轮面形貌对抛光斑的形状和底部粗糙度的影响。从修整速度方向和砂纸粒度大小两个方面研究修整的轮面形貌及抛光斑的质量,修整速度方向分为轮线速度与机床运动方向垂直和平行两种模式,砂纸粒度分为180#、400#和800#... 详细信息

探究小尺寸轮式抛光中轮面形貌对抛光斑的形状和底部粗糙度的影响。从修整速度方向和砂纸粒度大小两个方面研究修整的轮面形貌及抛光斑的质量,修整速度方向分为轮线速度与机床运动方向垂直和平行两种模式,砂纸粒度分为180#、400#和800#。比较不同的轮面粗糙峰分布和线粗糙度及其单点驻留的抛光斑的形状和底部粗糙度。实验结果表明,修整轮线速度和机床运动垂直时的抛光斑质量要优于平行时,180#、400#和800#砂纸修整轮面的线粗糙度分别为Ra7.77μm、Ra4.88μm和Ra2.89μm,所得抛光斑底部0.4 mm范围内粗糙度分别为Sa 0.953 nm、Sa 0.821 nm和Sa 0.551 nm,且抛光斑形状随着砂纸粒度变小更加顺滑。

关键词：轮面形貌修整抛光斑粗糙度

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正弦曲面磁流变抛光的收敛比与斑参数的关系研究

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制造技术与机床 2011年第3期 33-37页

作者：罗丽丽何建国王亚军张云飞吉方黄文中国工程物理研究院机械制造工艺研究所四川绵阳621900

以二维正弦曲面为加工对象,采用反转变换的加工方法,研究了磁流变抛光斑的长度、宽度以及峰值去除率等参数对周期面形收敛能力的影响。仿真结果显示,当抛光斑的宽度小于空间周期一半时,收敛比大于2,获得较好的加工效果。

关键词：磁流变抛光抛光斑二维正弦曲面空间周期

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磁流变抛光液性能及加工参数优化的研究

磁流变抛光液性能及加工参数优化的研究

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作者：顾勇兵南京航空航天大学

学位级别：硕士

磁流变抛光能够实现复杂形面确定性抛光，获得较小的亚表面损伤层。本文开展了磁流变抛光加工K9玻璃的磁流变液稳定性探索并优化了其抛光加工工艺，主要工作和研究成果如下：1.提高了磁流变液的抗沉降性分析了磁流变液沉降的现象，得出... 详细信息

磁流变抛光能够实现复杂形面确定性抛光，获得较小的亚表面损伤层。本文开展了磁流变抛光加工K9玻璃的磁流变液稳定性探索并优化了其抛光加工工艺，主要工作和研究成果如下：1.提高了磁流变液的抗沉降性分析了磁流变液沉降的现象，得出了铁粉颗粒团聚是磁流变液沉降的主要要原因，减少铁粉颗粒团聚是提高磁流变液抗沉降性的有效途径。基于单点防沉降模型，乙酸钠能够抑制铁粉颗粒团聚，静置6小时后的沉降比是0.27;铁粉表面改性、超分散剂以及硅烷偶联剂均可以提高锚固基团的吸附力，静置6小时后的沉降比在0.15～0.2之间。在单点防沉降模型基础之上，提出多点防沉降模型，包括线防沉降模型、面防沉降模型以及球面防沉降模型，实验证明六偏磷酸钠(面防沉降模型)的防沉降效果最佳，6小时的沉降比是0.08。之后研究又提出链状防沉降模型，实验表明链状防沉降模型的防沉降效果不及面防沉降模型。2.研究了PH值和防锈剂对磁流变液抗氧化性能的影响实验探索了PH值与磁流变液抗氧化性的关系，提高PH能够减缓磁流变液氧化。实验又探索了不同类型的防锈剂对磁流变液抗氧化性的影响，发现三乙醇胺能有效抑制磁流变液氧化，而且几乎不影响其零场粘度和磁剪切屈服应力。最终得出了磁流变液添加三乙醇胺调节值至11可以提高磁流变液的防锈性。3.探索了不同加工参数对去除函数形状影响探索了加工压量、磁流变液流量、铁粉粒度、氧化铈浓度、氧化铈粒度与抛光斑形状的关系，为磁流变抛光参数选择提供参考。实验发现磁流变液流量在40～50ml/min之间、铁粉粒度在2.5～4μm之间、氧化铈粒度在1.2～1.8μm之间时，抛光斑形状变随上述参数的影响较小，具有较优的鲁棒特性，适合长时间加工或面形修整。4.抛光工艺参数的正交优化实验以材料去除率和表面粗糙度为优化目标，以加工压量、磁流变液流量、氧化铈浓度和氧化铈粒度为优化参数进行了正交实验。探索各个因素和表面粗糙度以及去除率的关系，通过灰色关联法对工艺进行了优化。

关键词：磁流变液沉降磁流变抛光抛光斑工艺优化

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基于磁流变抛光的中频误差控制工艺算法与策略

基于磁流变抛光的中频误差控制工艺算法与策略

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作者：贾阳中国工程物理研究院

学位级别：硕士

磁流变抛光技术被誉为是光学制造界的革命性技术,能快速实现超高精度面形(数十纳米以下)、超光滑表面质量(1纳米以下)且近无亚表面缺陷,可使光学企业的制造水平与生产效率有突破性的提升。但是磁流变抛光在快速去除光学表面低频误差同时... 详细信息

磁流变抛光技术被誉为是光学制造界的革命性技术,能快速实现超高精度面形(数十纳米以下)、超光滑表面质量(1纳米以下)且近无亚表面缺陷,可使光学企业的制造水平与生产效率有突破性的提升。但是磁流变抛光在快速去除光学表面低频误差同时,还会引入较多的中高频误差。其中的中频误差也是一个严重影响光学元件光学性能的因素,必须进行有效控制。国外对磁流变抛光中频误差工艺的研究已经比较成熟,但加工工艺作为技术秘密并未公开,国内在中频误差控制工艺上还存在若干问题,论文通过理论分析、仿真与工艺实验结合,对以下几个部分进行了研究：(1)中频误差评价方法研究。通过调研了国内外常见的光学元件面形误差评价方法,对功率谱密度分析法进行了深入的探讨,为之后的工艺优化过程中光学元件的中频误差分析提供理论基础及理论指导。(2)光学元件的中频误差算法与软件开发。从软件工程角度,设计了面形分析软件的总体架构,完成各模块算法设计与功能开发,为后续的面形分析进行辅助。(3)探索了去除函数形态对加工面形的影响规律。通过仿真,研究了去除函数表面形态对加工面形的影响规律,并初步获得去除函数的选取规律。(4)驻留时间算法进行了优化。提出了通过滤波算法使驻留时间矩阵沿抛光轮进给方向更加平滑,即相邻两点的速度更加接近,从而降低这种速度的波动性对中频误差造成的影响。(5)抛光轨迹进行了优化。首先研究了常规轨迹和伪随机轨迹的优缺点,并在光栅线轨迹的基础上,提出了基于聚类离散思想的自适光栅线轨迹,不仅去除了常规光栅线轨迹的特征误差问题,而且实现了中频误差的高效收敛。本文通过对磁流变抛光过程中中频误差控制技术中若干关键问题的细致研究,确定了一条能够有效控制中频误差的工艺路线,期望能实现全口径抛光的中频误差控制。

关键词：磁流变抛光中频误差抛光斑驻留时间抛光轨迹

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