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BF_2^+注入对PMOS晶体管开启电压的影响

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微电子学与计算机 2001年第3期18卷 46-49页

作者：黄维柱王勇邱晓海清华大学微电子学研究所北京100084

文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子... 详细信息

文章研究了BF_2~＋注入对 PMOS晶体管开启电压的影响。试验发现，在我们的工艺条件下， BF_2~＋注入能量是影响 PMOS管开启电压的主要因素，能量高于 67.5Kev的 BF_2~＋注入可导致开启电压正漂。而退火对开启电压正漂没有影响， F离子也没有促进B穿透。

关键词： BF2^+注入 PMOS晶体管开启电压 CMOS器件

低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管

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Journal of Semiconductors 2003年第3期24卷 318-321页

作者：郑丽萍严北平孙海锋刘新宇和致经吴德馨中国科学院微电子中心北京100029

采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向... 详细信息

采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5～ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关 .

关键词：开启电压 GaAsSb 双异质结晶体管 DHBT

基于小波神经网络预测单个碳纳米管的场增强因子和开启电压

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真空科学与技术学报 2005年第3期25卷 168-171,188页

作者：保文星朱长纯崔万照西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

针对单个碳纳米管的场发射特性参数与几何结构之间的复杂非线性关系,构造了一种多输入多输出的小波神经网络结构来预测单个碳纳米管的场发射增强因子和开启电压,并采用BP算法和自适应的学习速率加快网络训练的收敛速度.网络的训练结果... 详细信息

针对单个碳纳米管的场发射特性参数与几何结构之间的复杂非线性关系,构造了一种多输入多输出的小波神经网络结构来预测单个碳纳米管的场发射增强因子和开启电压,并采用BP算法和自适应的学习速率加快网络训练的收敛速度.网络的训练结果和测试结果表明,预测输出值与实验值之间的误差在2.36%以内,充分说明小波神经网络可以较好地预测碳纳米管的场发射特性.

关键词：碳纳米管场发射小波神经网络场增强因子开启电压

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MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断

微电子学 2020年第5期50卷 659-663页

作者：严利人刘道广刘志弘梁仁荣清华大学微电子学研究所北京100084 清华大学核能技术研究院北京100084

在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入... 详细信息

在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重要的。文章采用贝叶斯统计推断工具用于器件输入曲线的处理,从中提取出与器件开启有关的更为精准和深入的信息。建立合适的分层模型,应用基于马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法的最大后验估计(MAP),求取目标量的后验分布。这类算法为目前概率与统计领域的最高级算法。将该先进算法引入到IC领域来分析处理所获取的大数据是后摩尔时代的一个发展方向。

关键词：贝叶斯统计推断开启电压最大后验估计后验分布

用于深亚微米埋沟 MOSFET 的开启电压模型

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清华大学学报（自然科学版） 1998年第3期38卷 24-26页

作者：张文良杨之廉清华大学微电子所

根据埋沟ＭＯＳＦＥＴ导电机理和开启特性，利用准二维分析，导出了一个适用于深亚微米埋沟器件的开启电压模型。它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。模型反应了较宽沟长范围内埋沟ＭＯＳＦＥＴ的开启电压与沟长及偏... 详细信息

根据埋沟ＭＯＳＦＥＴ导电机理和开启特性，利用准二维分析，导出了一个适用于深亚微米埋沟器件的开启电压模型。它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。模型反应了较宽沟长范围内埋沟ＭＯＳＦＥＴ的开启电压与沟长及偏置的关系，并预测了在深亚微米下衬偏效应随沟长减小而减小的特性。对模型计算结果与数值模拟结果进行了比较。

关键词：埋沟器件开启电压短沟道效应衬偏效应 MOSFET

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RF MEMS开关开启电压的计算方法研究

株洲师范高等专科学校学报 2004年第5期9卷 41-42页

作者：杨芳湖南广播电视大学直属分校计算机系长沙410004

对桥式RF MEMS开关开启电压的计算方法进行了研究，通过建立力电耦合模型，解联立方程组，得到了开启电压关于各项开关参数的表达式．同时分析了开关的各个参数对其开启电压的影响．

关键词： RF MEMS开关开启电压计算方法

用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法

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清华大学学报(自然科学版) 1988年第4期 70-77页

作者：余志平赵秀军微电子学研究所

提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强（Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳... 详细信息

提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强（Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ中实现，取代了原程序中不正确的部分。模拟和测试结果相比较得到的一致性证实了该算法是有效的。本文还对算法的理论基础进行了讨论。

关键词：开启电压耗尽型MOS 非均匀掺杂工艺模拟

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用人工神经网络预测场发射开启电压

用人工神经网络预测场发射开启电压

CdS纳米粒子掺杂的液晶显示器件的低开启电压和频率调制特性(英文)

中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会

作者：于丽娟朱长纯西安交通大学电信工程学院微电子系

本文首次利用前馈多层神经网络模型,结合薄膜场发射的特性,建立了场发射开启电压的神经网络预测模型,并用金刚石薄膜的开启电压数据样本进行验证。结果表明,该模型预测的相对误差小于6.2%,具有很好的预测性能。

关键词：神经网络薄膜场发射金刚石薄膜开启电压

来源： cnki会议评论

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电子器件 2008年第1期31卷 96-99页

作者：张天翼许军王莹杜玉扣复旦大学材料科学系上海200433 苏州大学化学与化工学院苏州215006

降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要。在本研究中,3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺杂浓度分别为0.1wt%和0.2wt%。掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低,最多可达... 详细信息

降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要。在本研究中,3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺杂浓度分别为0.1wt%和0.2wt%。掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低,最多可达到25%。并且,相比于前期报道的金属纳米粒子掺杂的液晶显示器件,CdS纳米粒子显示出稍弱的频率调制特性。

关键词： CdS纳米粒子液晶显示器件开启电压频率调制