检索结果-南通市图书馆

多芯片并联IGBT内部动态电流主动均匀分布机理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2022年第12期47卷 991-998,1008页

作者：孙帅陈中圆崔梅婷魏晓光北京智慧能源研究院北京102209

多芯片并联的IGBT器件由于芯片本身参数和封装寄生参数的差异,各芯片电流分布并不完全一致。采用理论推导和仿真分析的方法论证了电流主动均匀分布机制。首先建立了包括内部寄生参数的多芯片并联IGBT器件模型,利用准静态方法推导出开关... 详细信息

多芯片并联的IGBT器件由于芯片本身参数和封装寄生参数的差异,各芯片电流分布并不完全一致。采用理论推导和仿真分析的方法论证了电流主动均匀分布机制。首先建立了包括内部寄生参数的多芯片并联IGBT器件模型,利用准静态方法推导出开关过程中芯片集电极电流与器件驱动电压的关系;其次指出并联IGBT内部存在发射极寄生电感自均流及输入电容自均压两种负反馈机制,利用瞬时极性法分析了两种负反馈机制的作用原理;最后借助仿真软件搭建电感负载的开关电路,验证了在并联芯片支路参数差异条件下,两种负反馈机制对集电极电流不均匀分布的抑制作用。研究结果可为器件封装设计及可靠性分析提供参考。

关键词： IGBT 并联均流寄生电感负反馈自均压

数十兆赫兹级DC-DC变换器关键技术研究进展

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电源学报 2023年第1期21卷 45-54页

作者：曾利彬陈艳峰张波丘东元华南理工大学电力学院广州510641

随着变换器工作频率从以往的数十千赫兹级跃至数十兆赫兹级,在显著减小系统无源元件体积、降低整体重量及成本、提高系统瞬态响应速度的同时也面临许多新的挑战。首先简要阐述数十兆赫兹级DC-DC变换器典型拓扑、驱动和控制方式,随后针... 详细信息

随着变换器工作频率从以往的数十千赫兹级跃至数十兆赫兹级,在显著减小系统无源元件体积、降低整体重量及成本、提高系统瞬态响应速度的同时也面临许多新的挑战。首先简要阐述数十兆赫兹级DC-DC变换器典型拓扑、驱动和控制方式,随后针对寄生电感抑制、提升宽输入宽输出能力及功率密度等关键技术展开介绍,希望能为后续相关研究提供参考。

关键词：数十兆赫兹 DC-DC变换器寄生电感宽输入电压功率密度

高压eGaN HEMT开关行为及其影响因素研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电工电能新技术 2020年第4期39卷 17-26页

作者：彭子和秦海鸿张英修强储师舜多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室南京航空航天大学江苏南京211106 苏州华碧微科检测技术有限公司江苏苏州215021

为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEM... 详细信息

为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEMT高速开关行为的影响规律进行验证,探究了实际电路中存在寄生电感对开关行为的影响。实验结果表明,调整驱动电路参数可以提高开关速度,降低开关损耗,但不可避免地会引起电压、电流的振荡和过冲,设计驱动电路时需要折衷考虑,工况对开关时间影响较大,桥臂电路应用需要根据不同的工况调整死区时间以达到最优的效果,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,实验结果为eGaN HEMT驱动电路的设计和应用提供了有益的帮助。

关键词： eGaN HEMT 驱动电路开关行为工况驱动电路参数寄生电感

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

风电机组变流器雷电浪涌防护实验研究

电瓷避雷器 2018年第1期 40-45,57页

作者：周歧斌程彧赵洋上海电力学院电气工程学院上海200090 上海市防雷中心上海201615 南京信息工程大学大气物理学院南京210044

为了对风电机组变流器进行雷电浪涌防护,设计两组实验对变流器两侧防雷装置浪涌保护器(SPD)接地方式及参数要求进行研究。实验结果表明SPD经变流器框架与电缆共同接地对雷电浪涌过电压防护效果最好;SPD接入点的电压与其电压保护水平呈... 详细信息

为了对风电机组变流器进行雷电浪涌防护,设计两组实验对变流器两侧防雷装置浪涌保护器(SPD)接地方式及参数要求进行研究。实验结果表明SPD经变流器框架与电缆共同接地对雷电浪涌过电压防护效果最好;SPD接入点的电压与其电压保护水平呈正相关,当浪涌电流幅值为25k A时,电压保护水平取2.5k V的SPD能满足变流器绝缘配合的要求;实验中发现,变流器正常工作时,近发电机转子侧会产生高频谐波电压。为了防止SPD频繁导通而导致热保护误动作,应选取最大持续工作电压幅值大于谐波电压的SPD型号。实际情况中,SPD接入点与变流器之间连接线路的寄生电感会抬升变流器入口侧电压而严重削弱保护效果,应尽可能减小连接线路长度。

关键词：风电机组变流器 SPD 雷电浪涌寄生电感谐波过电压

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于GaN的并联反激均衡器的设计分析

电源学报 2019年第3期17卷 72-77页

作者：张卫平段亚东毛鹏北方工业大学节能照明电源集成与制造北京市重点实验室

分析寄生电感与结温对GaN并联电路的性能影响。首先理论分析寄生电感与结温的影响情况,得出这些因素与电路损耗的关系式;并且结合仿真,测试出该变换器的电压电流图像。基于并联反激均衡器理论分析与仿真电路的结果进行研究分析,得出了电... 详细信息

分析寄生电感与结温对GaN并联电路的性能影响。首先理论分析寄生电感与结温的影响情况,得出这些因素与电路损耗的关系式;并且结合仿真,测试出该变换器的电压电流图像。基于并联反激均衡器理论分析与仿真电路的结果进行研究分析,得出了电路PCB的布局方案和电路的控制策略,能够更好地解决电路的延迟、振荡和不均衡的现象。最后通过设计出来的样机,与Si的电路和不同负载情况,对比分析电路的稳定性能与均衡性能,验证所得到的布局方法与控制策略能够降低寄生电感与结温对于电路的影响情况。

关键词：氮化镓(GaN) 寄生电感温度均衡控制

6英寸8 kA/6.5 kV IGCT器件特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电力电子技术 2023年第6期57卷 134-136,140页

作者：徐焕新陈勇民陈芳林蒋谊株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001 新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001

集成门极换流晶闸管(IGCT)具有电压等级高、电流关断能力大和通态损耗低等优势,在电网领域的应用越来越广泛。为了进一步提升器件的关断能力,IGCT器件尺寸扩展至6英寸,在此介绍了6英寸8 kA/6.5 kV非对称IGCT器件的研制,通过优化阴极梳... 详细信息

集成门极换流晶闸管(IGCT)具有电压等级高、电流关断能力大和通态损耗低等优势,在电网领域的应用越来越广泛。为了进一步提升器件的关断能力,IGCT器件尺寸扩展至6英寸,在此介绍了6英寸8 kA/6.5 kV非对称IGCT器件的研制,通过优化阴极梳条排布和管壳设计,将IGCT元件寄生电感降到2 nH以下,降低了40%。通过优化N基区的选型,器件具备了稳健的4 kV直流阻断能力和8 kA的关断能力,并在高温8 kA下通态电压低于2.8 V,最后在直流断路器拓扑中进行了应用,这为研究更大功率等级的IGCT器件奠定了基础。

关键词：集成门极换流晶闸管直流断路器寄生电感

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

SiC固态功率控制器关断电压尖峰抑制方法

电力电子技术 2021年第8期55卷 136-140页

作者：杜泽霖周洁敏洪峰李嘉琪南京航空航天大学民航学院江苏南京211106 南京航空航天大学电子信息工程学院江苏南京211106

随着碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关速度的提高,针对SiC固态功率控制器(SSPC)在关断初期产生电压尖峰的问题,提出了一种抑制方法。首先以双脉冲测试电路为平台,利用Saber软件,探究寄生电感对SiC MOSFET开关特性... 详细信息

随着碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关速度的提高,针对SiC固态功率控制器(SSPC)在关断初期产生电压尖峰的问题,提出了一种抑制方法。首先以双脉冲测试电路为平台,利用Saber软件,探究寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响。接着在此基础上通过建立SiC SSPC开关模型并进行仿真,重点研究了线路产生的寄生电感对SiC MOSFET关断特性的影响。其次,利用电容储能、放能的方式将线路中寄生电感产生的能量先存储在电容中,再经过功率二极管将存储的能量释放给机内电源的思想,在分析其工作模态的前提下提出了基于能量吸收电路抑制关断电压尖峰的方法。最后,通过仿真分析和搭建硬件电路进行了验证。结果表明,与传统SiC SSPC相比,所提方法可有效抑制由线路寄生电感引起的关断电压尖峰。

关键词：固态功率控制器碳化硅寄生电感吸收电路

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

压接式SiC MOSFET模块

电源学报 2020年第6期18卷 179-191页

作者：朱楠陈敏徐德鸿浙江大学电气工程学院杭州310027

介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性... 详细信息

介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性能的微通道散热器。介绍了研制的压接式SiC MOSFET样品,并通过仿真和实验评估了样品的电、热特性,验证了所提出封装方案的可行性。

关键词：功率半导体封装压接式器件 SiC MOSFET 寄生电感热管理

一种基于对称PCB结构的GaN器件高带宽电流检测方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电工电能新技术 2021年第8期40卷 60-65页

作者：梅杨付强北京市电力节能关键技术协同创新中心北方工业大学北京100144

针对氮化镓器件高频开关动作,开关电流难以准确测量的难题,提出了一种基于对称印制电路板结构的高带宽电流检测方法。该方法利用电流分流器原理检测氮化镓器件电流,基于磁感应原理对印制电路板进行了优化设计,通过控制电流在印制电路板... 详细信息

针对氮化镓器件高频开关动作,开关电流难以准确测量的难题,提出了一种基于对称印制电路板结构的高带宽电流检测方法。该方法利用电流分流器原理检测氮化镓器件电流,基于磁感应原理对印制电路板进行了优化设计,通过控制电流在印制电路板上的流通路径,使分流电阻的寄生电感部分被抵消,并配合适当的补偿网络和前置放大器,实现在宽频带测量范围内具有平整的幅频特性。同时,本文提出的电流检测方法所需印制电路板结构紧凑,较商用同轴分流器易于安装。搭建了一套适用于氮化镓器件的宽频带双脉冲测试电路,将本文提出的电流检测方法与商用同轴分流器检测方法进行了对比测试。测试结果验证了所提出电流检测方法的有效性和准确性。

关键词：氮化镓器件电流检测寄生电感双脉冲测试