检索结果-南通市图书馆

关键物理结构对逆变器叠层母排寄生电感的影响

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太阳能学报 2018年第11期39卷 3106-3112页

作者：於少林张兴王佳宁合肥工业大学电气与自动化工程学院

该文系统化地研究关键物理结构对叠层母排电感的影响,主体包括母排的三维物理尺寸、安装孔和端子。通过三维有限元法电磁仿真,全方位分析上述关键因素对电感的影响,并在研究中探讨内在的电磁机理,凝练出寄生电感与关键结构的简单数学关... 详细信息

该文系统化地研究关键物理结构对叠层母排电感的影响,主体包括母排的三维物理尺寸、安装孔和端子。通过三维有限元法电磁仿真,全方位分析上述关键因素对电感的影响,并在研究中探讨内在的电磁机理,凝练出寄生电感与关键结构的简单数学关系,并对现有的一些结论进行修正。同时提出对母排电感影响的核心因素,并提出优化设计方案。

关键词：叠层母排逆变器寄生电感三维有限元分析电磁机理

压接式IEGT寄生电感对其内部并联支路均流特性的影响研究

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中国电机工程学报 2021年第22期41卷 7793-7805页

作者：代思洋赵耀王志强刘征李杰森李国锋大连理工大学电气工程学院辽宁省大连市116024

压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片所在空间位置的差异会导致封装内寄生电感的分布不均,引发并联芯片间的电流分布不一致及热分布不均和芯片... 详细信息

压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片所在空间位置的差异会导致封装内寄生电感的分布不均,引发并联芯片间的电流分布不一致及热分布不均和芯片热失效。为准确分析PP-IEGT封装内寄生电感对并联芯片电流均衡性的影响,文中首先利用串联谐振曲线,提取单芯片子模组、凸台和驱动回路等组件的寄生电感,利用S参数法对测量的电感值进行验证。搭建双脉冲测试平台,结合实验数据和有限元仿真,研究寄生电感对并联芯片电流均衡性和电磁特性的影响。结果表明,寄生电感是影响电流分布的重要因素,驱动回路的寄生参数与距离栅极信号入口的长度成正比。随着PP-IEGT额定容量的增大,并联支路数量的增多,芯片间电参数不均问题更加严重;改变凸台的栅极豁角结构有助于提高电磁参数分布的均衡性。

关键词：多芯片压接式注入增强门极晶体管寄生电感电流均衡性瞬态电磁分析

考虑寄生电感的谐振开关电容变换器电压尖峰抑制

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电工技术学报 2021年第12期36卷 2627-2639页

作者：刘妍杨晓峰闫成章陈骞温飘五十岚征辉北京交通大学电气工程学院北京100044 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院杭州310014 中国科学院光束控制重点实验室成都610209 富士电机系统株式会社东京141-0032

基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄生参数较敏感,易造成开关器件的电压尖峰问题。通过分析RSCC叠层母排模型,该文建立含有寄生电感的等效电... 详细信息

基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄生参数较敏感,易造成开关器件的电压尖峰问题。通过分析RSCC叠层母排模型,该文建立含有寄生电感的等效电路,研究寄生电感对电路运行模态的影响,并推导开关器件电压峰值与寄生电感之间的关系。在此基础上,提出优化叠层母排结构和吸收电容的电压尖峰抑制方案,仿真及实验结果验证了该文电压尖峰抑制方案的有效性和可行性。

关键词：谐振开关电容变换器叠层母排寄生电感电压尖峰抑制

基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究

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中国电机工程学报 2023年第21期43卷 8478-8489页

作者：李辉朱哲研姚然王晓刘人宽余越赖伟输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆市沙坪坝区400044

现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首... 详细信息

现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先,基于封装结构,评估现有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感的分布特性;其次,针对小尺寸SiC MOSFET芯片,设计具有U型栅极顶针和垂直换流回路的分立式压接封装结构,并利用磁场相消原理进一步降低功率回路寄生电感;再次,利用Pspice软件对SiC MOSFET器件开关行为建模,对比分析分立式压接封装与TO封装下SiC MOSFET器件的开关特性。最后,搭建电感钳位双脉冲测试平台进行实验验证。仿真和实验结果表明,在相同电流等级下,采用分立式压接封装结构的SiC MOSFET器件具有更低的封装磁场分布和更低的寄生电感,可以显著提升器件开关速度并降低开关损耗。

关键词： TO-247-3 压接封装 SiC MOSFET 分立器件寄生电感开关损耗

考虑寄生电感的SiC MOSFET半桥电路串扰峰值预测方法

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太阳能学报 2023年第1期44卷 16-23页

作者：杜明星边维国欧阳紫威天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室(天津理工大学) 天津300384 丹麦技术大学电气工程系灵比2800 Kgs

针对光伏并网逆变器中的串扰问题,提出一种考虑寄生电感影响的非开尔文封装SiC MOSFET串扰峰值预测算法。以TO-247-3封装SiC MOSFET构成的半桥电路为研究对象,首先分析各个阶段的串扰电压数学模型,并推导串扰电压的微分表达式;其次提出... 详细信息

针对光伏并网逆变器中的串扰问题,提出一种考虑寄生电感影响的非开尔文封装SiC MOSFET串扰峰值预测算法。以TO-247-3封装SiC MOSFET构成的半桥电路为研究对象,首先分析各个阶段的串扰电压数学模型,并推导串扰电压的微分表达式;其次提出串扰峰值的预测算法,建立预测峰值所需参数的数学模型;最后搭建实验平台,验证理论的正确性和算法的有效性,为设计光伏并网逆变器的驱动和保护电路提供参考依据。

关键词：碳化硅 MOSFET 串扰并网逆变器寄生电感半桥电路

寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响

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半导体技术 2017年第3期42卷 194-199,234页

作者：柯俊吉赵志斌魏昌俊徐鹏谢宗奎杨霏华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京102206 全球能源互联网研究院北京102211

相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电... 详细信息

相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对Si C MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究。研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小。最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见。

关键词：碳化硅MOSFET 寄生电感关断过电压开通过电流开关损耗

寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响

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半导体技术 2018年第11期43卷 833-840页

作者：黄华震柯俊吉孙鹏赵志斌华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室

电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡。搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响。基于控制变量法的原理,在其中一条支路串入电感的同时在另一条支路串入低感电阻... 详细信息

电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡。搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响。基于控制变量法的原理,在其中一条支路串入电感的同时在另一条支路串入低感电阻,由此消除了电感引入的寄生电阻对实验结果的影响。然后分别对漏极电感Ld、源极电感Ls和栅极电感Lg不匹配与并联电流分配的关系进行实验研究,实验结果表明：Ld不匹配对并联器件的瞬态电流上升过程没有影响,但会在两个器件间造成环流,且在环流衰减的过渡阶段和稳态阶段Ld对电流分配具有不同的影响规律,Ls不匹配使得电感较小的器件瞬态电流过冲增大,而Lg对器件并联电流没有影响。

关键词： SiC MOSFET 并联寄生电感控制变量法电流不平衡

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寄生电感对屏极槽路电容的危害及其解决办法

广播与电视技术 1993年第6期20卷 25-30页

作者：陈德泽广电部无线局 100866

结合国产600kW短波广播发射机在运行中出现高末极屏极槽路电容异常损坏的问题,本文就其产生原因进行探讨。分析寄生电感造成的危害及其采取的措施。

关键词：广播发射机电容器寄生电感广播

寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响

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半导体技术 2019年第4期44卷 257-264页

作者：彭子和秦海鸿修强张英荀倩南京航空航天大学自动化学院南京211106 查尔姆斯理工大学电力工程系瑞典哥德堡999034

寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN... 详细信息

寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。

关键词：增强型氮化镓(GaN)HEMT 开关行为寄生电感双脉冲测试优化布局