检索结果-南通市图书馆

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

基于寄生电感优化的分立器件布局方法研究

中南民族大学学报（自然科学版） 2024年第4期43卷 547-553页

作者：张杰陈怡飞余柳峰谢卫冲江路湖北工业大学电气与电子工程学院武汉430068 湖北工业大学太阳能高效利用及储能运行控制湖北省重点实验室武汉430068 襄阳湖北工业大学产业研究院湖北襄阳441100

为了探究分立器件与PCB组合形成的半桥电路时采用何种布局方式才能尽最大限度减小线路寄生电感的问题,基于换流回路寄生电感概念,提出了一种经优化的分立器件在PCB上的布局方式,进而减小换流回路的寄生电感,随后通过有限元仿真软件评估... 详细信息

为了探究分立器件与PCB组合形成的半桥电路时采用何种布局方式才能尽最大限度减小线路寄生电感的问题,基于换流回路寄生电感概念,提出了一种经优化的分立器件在PCB上的布局方式,进而减小换流回路的寄生电感,随后通过有限元仿真软件评估并验证不同布局方式所产生的寄生电感,并结合LTspice电路仿真软件评估不同布局方式对器件电开关特性的影响,最后通过双脉冲实验验证了所设计的一种经过优化布局半桥电路的优越性.所提供的半桥电路的设计方法为分立器件在PCB上的布局提供了理论和技术支撑.

关键词：分立器件半桥电路寄生电感有限元仿真

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

并联电容器叠层母排寄生电感建模及测量方法

电力电子技术 2024年第1期58卷 36-39页

作者：庞森孙鹏蔡雨萌赵志斌华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京100096

并联电容器母排的寄生电感是电力电子变换器换流回路总寄生电感的主要部分,寄生电感易导致电压过冲,因此需要精确提取和计算叠层母排的寄生电感。这里首先以一种5电容器并联的叠层母排为研究对象,建立了多电容器并联叠层母排的电感计算... 详细信息

并联电容器母排的寄生电感是电力电子变换器换流回路总寄生电感的主要部分,寄生电感易导致电压过冲,因此需要精确提取和计算叠层母排的寄生电感。这里首先以一种5电容器并联的叠层母排为研究对象,建立了多电容器并联叠层母排的电感计算模型;在此基础上,提出一种可对母排寄生电感进行直接测量的实验方法,规避了在母排上连接电容器所产生的误差。最后,使用该方法对叠层母排寄生电感值进行实验测量,并将测量结果与有限元仿真计算结果进行对比,测量结果与仿真结果的偏差在2%以内,验证了所提方法的有效性和准确性,从而为叠层母排的低感设计提供了测量验证的基础方法。

关键词：并联电容器寄生电感测量叠层母排

寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

南京航空航天大学学报 2017年第4期49卷 531-539页

作者：秦海鸿朱梓悦戴卫力徐克峰付大丰王丹南京航空航天大学多电飞机电气系统工业和信息化部重点实验室南京211106 河海大学江苏省输配电装备技术重点实验室常州213022

随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SiC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立... 详细信息

随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SiC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立数学模型,确立影响开关特性的主要因素,然后通过SiC器件高速电路双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对SiC器件开关性能的影响进行系统研究,揭示寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响规律。在此基础之上,根据SiC高速开关电路实际布局的限制,在布局紧凑程度或回路走线总长度相对不变的情况下,对各部分寄生电感的匹配关系进行研究,归纳出SiC器件开关过程受寄生参数影响的特性规律,从而指导SiC基高速开关电路的优化布局设计。

关键词：电力电子碳化硅寄生电感匹配关系布局设计

关键物理结构对逆变器叠层母排寄生电感的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

太阳能学报 2018年第11期39卷 3106-3112页

作者：於少林张兴王佳宁合肥工业大学电气与自动化工程学院

该文系统化地研究关键物理结构对叠层母排电感的影响,主体包括母排的三维物理尺寸、安装孔和端子。通过三维有限元法电磁仿真,全方位分析上述关键因素对电感的影响,并在研究中探讨内在的电磁机理,凝练出寄生电感与关键结构的简单数学关... 详细信息

该文系统化地研究关键物理结构对叠层母排电感的影响,主体包括母排的三维物理尺寸、安装孔和端子。通过三维有限元法电磁仿真,全方位分析上述关键因素对电感的影响,并在研究中探讨内在的电磁机理,凝练出寄生电感与关键结构的简单数学关系,并对现有的一些结论进行修正。同时提出对母排电感影响的核心因素,并提出优化设计方案。

关键词：叠层母排逆变器寄生电感三维有限元分析电磁机理

压接式IEGT寄生电感对其内部并联支路均流特性的影响研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国电机工程学报 2021年第22期41卷 7793-7805页

作者：代思洋赵耀王志强刘征李杰森李国锋大连理工大学电气工程学院辽宁省大连市116024

压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片所在空间位置的差异会导致封装内寄生电感的分布不均,引发并联芯片间的电流分布不一致及热分布不均和芯片... 详细信息

压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片所在空间位置的差异会导致封装内寄生电感的分布不均,引发并联芯片间的电流分布不一致及热分布不均和芯片热失效。为准确分析PP-IEGT封装内寄生电感对并联芯片电流均衡性的影响,文中首先利用串联谐振曲线,提取单芯片子模组、凸台和驱动回路等组件的寄生电感,利用S参数法对测量的电感值进行验证。搭建双脉冲测试平台,结合实验数据和有限元仿真,研究寄生电感对并联芯片电流均衡性和电磁特性的影响。结果表明,寄生电感是影响电流分布的重要因素,驱动回路的寄生参数与距离栅极信号入口的长度成正比。随着PP-IEGT额定容量的增大,并联支路数量的增多,芯片间电参数不均问题更加严重;改变凸台的栅极豁角结构有助于提高电磁参数分布的均衡性。

关键词：多芯片压接式注入增强门极晶体管寄生电感电流均衡性瞬态电磁分析

考虑寄生电感的谐振开关电容变换器电压尖峰抑制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电工技术学报 2021年第12期36卷 2627-2639页

作者：刘妍杨晓峰闫成章陈骞温飘五十岚征辉北京交通大学电气工程学院北京100044 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院杭州310014 中国科学院光束控制重点实验室成都610209 富士电机系统株式会社东京141-0032

基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄生参数较敏感,易造成开关器件的电压尖峰问题。通过分析RSCC叠层母排模型,该文建立含有寄生电感的等效电... 详细信息

基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄生参数较敏感,易造成开关器件的电压尖峰问题。通过分析RSCC叠层母排模型,该文建立含有寄生电感的等效电路,研究寄生电感对电路运行模态的影响,并推导开关器件电压峰值与寄生电感之间的关系。在此基础上,提出优化叠层母排结构和吸收电容的电压尖峰抑制方案,仿真及实验结果验证了该文电压尖峰抑制方案的有效性和可行性。

关键词：谐振开关电容变换器叠层母排寄生电感电压尖峰抑制

基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国电机工程学报 2023年第21期43卷 8478-8489页

作者：李辉朱哲研姚然王晓刘人宽余越赖伟输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆市沙坪坝区400044

现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首... 详细信息

现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先,基于封装结构,评估现有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感的分布特性;其次,针对小尺寸SiC MOSFET芯片,设计具有U型栅极顶针和垂直换流回路的分立式压接封装结构,并利用磁场相消原理进一步降低功率回路寄生电感;再次,利用Pspice软件对SiC MOSFET器件开关行为建模,对比分析分立式压接封装与TO封装下SiC MOSFET器件的开关特性。最后,搭建电感钳位双脉冲测试平台进行实验验证。仿真和实验结果表明,在相同电流等级下,采用分立式压接封装结构的SiC MOSFET器件具有更低的封装磁场分布和更低的寄生电感,可以显著提升器件开关速度并降低开关损耗。

关键词： TO-247-3 压接封装 SiC MOSFET 分立器件寄生电感开关损耗

考虑寄生电感的SiC MOSFET半桥电路串扰峰值预测方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

太阳能学报 2023年第1期44卷 16-23页

作者：杜明星边维国欧阳紫威天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室(天津理工大学) 天津300384 丹麦技术大学电气工程系灵比2800 Kgs

针对光伏并网逆变器中的串扰问题,提出一种考虑寄生电感影响的非开尔文封装SiC MOSFET串扰峰值预测算法。以TO-247-3封装SiC MOSFET构成的半桥电路为研究对象,首先分析各个阶段的串扰电压数学模型,并推导串扰电压的微分表达式;其次提出... 详细信息

针对光伏并网逆变器中的串扰问题,提出一种考虑寄生电感影响的非开尔文封装SiC MOSFET串扰峰值预测算法。以TO-247-3封装SiC MOSFET构成的半桥电路为研究对象,首先分析各个阶段的串扰电压数学模型,并推导串扰电压的微分表达式;其次提出串扰峰值的预测算法,建立预测峰值所需参数的数学模型;最后搭建实验平台,验证理论的正确性和算法的有效性,为设计光伏并网逆变器的驱动和保护电路提供参考依据。

关键词：碳化硅 MOSFET 串扰并网逆变器寄生电感半桥电路

寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2017年第3期42卷 194-199,234页

作者：柯俊吉赵志斌魏昌俊徐鹏谢宗奎杨霏华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京102206 全球能源互联网研究院北京102211

相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电... 详细信息

相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对Si C MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究。研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小。最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见。

关键词：碳化硅MOSFET 寄生电感关断过电压开通过电流开关损耗