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检索条件"主题词=大孔硅"
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介孔大孔硅的结构、电学和气敏特性(英文)
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物理化学学报 2012年 第2期28卷 489-493页
作者: 孙鹏 胡明 李明达 马双云 天津大学电子信息工程学院 天津300072
采用双槽电化学腐蚀法在P型单晶表面制备两种多孔.根据它们的孔径将它们分为介孔大孔硅.使用扫描电子显微镜(SEM)观察两种多孔表面和断面形貌,介孔大孔硅的表面化学键用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪来研究,通过I-V特性测... 详细信息
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利用p型(100)片制备二维光子晶体的工艺
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Journal of Semiconductors 2005年 第5期26卷 941-946页
作者: 张晚云 季家榕 袁晓东 叶卫民 朱志宏 国防科技大学光子/声子晶体研究中心 长沙410073
采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术,在p型(100)基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体,其二维周期性结构的晶格常数为3.8μm,孔隙直径约3.0μm,孔隙深度超过80μm.在光刻、反应离子刻蚀及碱性... 详细信息
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电化学制备P型基二维光子晶体优化参数
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电化学 2005年 第4期11卷 377-381页
作者: 张晚云 季家榕 袁晓东 叶卫民 朱志宏 国防科技大学光子/声子晶体研究中心 湖南长沙410073
利用光刻技术与碱性腐蚀等工艺预写晶格图样,采用电化学腐蚀方法在P〈100〉型基底制备二维大孔硅光子禁带结构.结果表明:在预写有晶格图样的P〈100〉型基底上由电化学阳极氧化制备的二维大孔硅,其孔洞的生长速率、深宽比及表/侧面... 详细信息
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多孔基氧化钨气敏传感器的研究
多孔硅基氧化钨气敏传感器的研究
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作者: 孙鹏 天津大学
学位级别:硕士
随着工业和日常生活向空气中排放的污染气体越来越多,新型高性能低功耗的气敏传感器越来越受到人们的关注。本文主要针对多孔基氧化钨气敏薄膜以及传感器的电学特性和气敏特性进行了研究。 首先,通过双槽电化学腐蚀法制备介孔基底... 详细信息
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Evaluation study on properties of a macroporous silica-based CMPO extraction resin to be used forminor actinides separation from high level liquid waste
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Nuclear Science and Techniques 2011年 第1期22卷 18-24页
作者: LIU Ruiqin WEI Yuezhou Daisuke Tozawa XU Yuanlai Shigekazu Usuda Hiromichi Yamazaki Keizo Ishii Yuichi Sano Yoshikazu Koma School of Nuclear Science and Engineering Shanghai Jiao Tong UniversityShanghai 200240China Cyclotron and Radioisotope Center Tohoku UniversityAoba 6-3Aramaki-Aoba-kuSendaiMiyagi980-8578Japan Japan Atomic Energy Agency (JAEA) TokaiIbaraki319-1195Japan
Basic properties of a silica-based octyl(phenyl)-N,N-diisobutylcarbamoyl-methylphosphine oxide (CMPO) extraction resin (CMPO/SiO2-P) was *** behavior for some rare earth elements (RE) which are constituents of high le... 详细信息
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新型分子筛ITQ-33的结构和催化性能
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石油炼制与化工 2009年 第12期40卷 25-25页
作者: 程薇
Nature杂志2006年报道了一种新型的超大孔硅锗酸盐分子筛ITQ-33,其直的大孔孔道具有18元环孔口,c轴交叉连接了一种双向10元环孔道体系,形成一种具有很大微孔体积的结构。尽管ITQ-33的合成条件非常容易做到,但并非合成锗酸盐类分... 详细信息
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