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光电子．激光 2013年第8期24卷 1514-1518页

作者：崔志敏董翠芝李远亮陈颖李太山河北联合大学分析测试中心河北唐山063000 唐山市环境监测中心站河北唐山063000

通过反相微乳液法制备不同形貌的CdSe纳米晶。利用X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)技术对纳米晶的结构和形貌进行表征。结果表明,纳米晶主要由CdSe和Na2SO4组成,根据Sherrer公式计算得到CdSe(100)方向的晶粒尺寸D100=35nm;不同制... 详细信息

通过反相微乳液法制备不同形貌的CdSe纳米晶。利用X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)技术对纳米晶的结构和形貌进行表征。结果表明,纳米晶主要由CdSe和Na2SO4组成,根据Sherrer公式计算得到CdSe(100)方向的晶粒尺寸D100=35nm;不同制备条件下,纳米晶的形貌有短链状CdSe纳米晶、项链状和竹节状CdSe纳米管。其形成机理是:由于界面膜处束缚水含量小于水核内部自由水含量,造成CdSe纳米球外层密度小于中心密度,浓度差驱使Se2-与Cd2+向外层扩散形成CdSe空心纳米球;最终在取向附生生长机制下,CdSe空心纳米球生长为项链状和竹节状纳米管。

关键词：微乳液竹节状纳米管取向附生

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1 550 nm long-wavelength vertical-cavity surface emitting lasers

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Optoelectronics Letters 2018年第5期14卷 342-345页

作者： LIU Li-jie WU Yuan-da WANG Yue AN Jun-ming HU Xiong-wei State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China College of Material Science and Optoelectronic Technology University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China

A 1 550 nm long-wavelength vertical cavity surface emitting laser （VCSEL） on InP substrate is designed and fabri- cated. The transfer matrix is used to compute reflectivity spectrum of the designed epitaxial layers. The epitaxial layers mainly consist of 40 pairs of n-AlxGayIn（l-x-y）As/InP, and 6 strain compensated AlxGayln（l-x-y）As/InP quantum wells on n-InP substrate, respectively. The top distributed Bragg reflection （DBR） mirror system has been formed by fabricat- ing 4.5 pairs of SiO2/Si. The designed cavity mode is around 1 536 nm. The dip of the fabricated cavity mode is around 1 530 nm. The threshold current is 30 mA and the maximum output power is around 270 μW under CW opera- tion at room temperature.

关键词：长波长表面垂直激光发射极 SiO2/Si 计算设计取向附生

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Unit-Cell by Unit-Cell Homoepitaxial Growth Using Atomically Flat SrTiO3（001） Substrates and Pulsed Laser Deposition

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Chinese Physics Letters 2005年第4期22卷 1002-1005页

作者：费义艳王旭吕惠宾杨国桢朱湘东 BeijingNationalLaboratoryforCondensedMatterPhysics InstituteofPhysicsChineseAcademyofSciencesBeijing100080 BeijingNationalLaboratoryforCondensedMatterPhysics InstituteofPhysicsChineseAcademyofSciencesBeijing100080//DepartmentofPhysicsUniversityofCaliforniaatDavisDavisCA95616USA

Using a combination of chemical etching and thermal annealing methods, we have obtained atomically flat TiO2-terminated SrTiO3(001) with large terraces. The average width of the terrace is only determined by miscut angles. When we continuously grow tens of SrTiO3 monolayers on such a surface under pulsed laser ablation deposition condition at 621 degrees C, the growth proceeds in a layer-by-layer mode characterized by un-damped oscillations of the specular RHEED intensity. After the growth of 180 monolayers, the surface morphology is restored to the pre-growth condition with similarly large terraces after annealing in vacuum for only 30min, indicating efficient mass transfer on TiO2-terminated terraces.

关键词：晶胞取向附生薄膜生长钛酸锶激光脉冲沉降

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Transparent conducting properties of c-axis-oriented NaxCoO2 epitaxial thin films

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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2018年第10期61卷 104-107页

作者： DaChao Yuan JiangLong Wang Nian FU XiaoLin Wu YueJin Ma ShuFang Wang College of Mechanical and Electrical Engineering Agricultural University of Hebei Baoding 071001 China Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materials College of Physics Science and Technology Hebei University Baoding 071002 China

Transparent conducting oxides （TCOs） have attracted in- tensive attention because of their broad application in pho- toelectric devices such as solar cells, light-emitting diodes, and flat-panel displays. Current TCOs used in industry, including tin （IV） oxide （SnOz）, indium oxide （In203）, indium tin oxide （ITO）, and zinc oxide （ZnO）, are primarily n-type semiconductors [1-3]. Suitable p-type TCOs are still being researched. In the past several decades, delafossite-type compounds CuMO2 （M = Cr, A1, Ga, Fe, Sc, Y） as well as NiO, Cr203, and MoO3 have been extensively studied as potential p-type TCO candidates [4-8].

关键词：取向附生锌氧化物性质电影太阳能电池 TCO 应用程序 MoO3

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Binding energy of donors in symmetric triangular quantum wells

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Optoelectronics Letters 2005年第2期1卷 88-91页

作者： ZHANG Ji-ye LIANG Xi-xia Department of Physics College of Sciences and Technology Inner Mongolia University Hohhot 010021 China

Hydrogen-like donor impurity states in symmetric triangular quantum wells are investigated by using a variational *** the effects of the variable effective mass of electrons and the spatially dependent dielectric constant are considered in the *** numerical results show that the binding energy depends on not only the effective mass and dielectric constant but also the spatial distribution of electron probability *** binding energies of donor states get the maximums at the *** results are also compared with those obtained in parabolic and square *** is seen that the triangular well support the highest binding energies for donor states.

关键词：半导体技术晶体取向附生对称性概率密度

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