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双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性

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原子能科学技术 2013年第4期47卷 657-663页

作者：胡天乐陆妩何承发席善斌周东胥佳灵吴雪新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011

介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电... 详细信息

介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。

关键词：双极运算放大器电子辐照偏置条件退火

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双极运算放大器辐射损伤效应研究

核技术 2008年第4期31卷 270-274页

作者：郑玉展陆妩任迪远王改丽文林孙静中国科学院新疆理化技术研究所新疆大学物理学院乌鲁木齐830046

本文研究了不同制造商的同型号双极运算放大器的辐射效应和室温退火行为,发现同型号产品的辐射效应有很大差异。我们分析了此类辐射效应差异的主要原因,对双极运算放大器高低剂量率下的辐射效应作了解释。计算了它们的损伤增强因子和退... 详细信息

本文研究了不同制造商的同型号双极运算放大器的辐射效应和室温退火行为,发现同型号产品的辐射效应有很大差异。我们分析了此类辐射效应差异的主要原因,对双极运算放大器高低剂量率下的辐射效应作了解释。计算了它们的损伤增强因子和退火因子,结果表明,同种型号运放电路的损伤增强因子间的最大差异可达约8倍。

关键词：双极运算放大器 60Coγ辐射辐射效应增强因子

双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究

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核技术 2021年第5期44卷 62-68页

作者：蔡娇姚帅陆妩于新王信李小龙刘默寒孙静郭旗新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离... 详细信息

为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离子类型为钽(Ta)离子的协同辐照试验。试验结果表明:电离总剂量会导致运算放大器LM158的单粒子瞬态脉冲幅值减小和脉冲展宽,同时,相比于高剂量率辐照条件,低剂量率辐照条件下双极运算放大器LM158的瞬态脉冲宽度展宽50%。研究发现,电离总剂量在双极晶体管中累积的界面陷阱电荷是产生电离总剂量与单粒子瞬态协同效应的根本原因。

关键词：双极运算放大器电离总剂量单粒子瞬态协同效应

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双极运算放大器辐射损伤的时间相关性

Journal of Semiconductors 2006年第7期27卷 1280-1284页

作者：高嵩陆妩任迪远牛振红刘刚中国科学院新疆理化技术研究所

通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态... 详细信息

通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.

关键词：双极运算放大器辐射损伤时间相关性低剂量率加速评估

PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法

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核技术 2011年第11期34卷 810-814页

作者：许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049

选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂... 详细信息

选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂量率辐照损伤,根据曲线的变化规律可以较快地鉴别器件是否存在低剂量率辐射损伤增强效应。

关键词：双极运算放大器 60Coγ辐照低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法

双极运算放大器在不同剂量率下的辐射损伤效应

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双极运算放大器在不同剂量率下的辐射损伤效应

第十一届全国可靠性物理学术讨论会

作者：任迪远陆妩余学锋郭旗艾尔肯中科院新疆理化技术研究所

本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管, 都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显;... 详细信息

本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管, 都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显;双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。

关键词：双极运算放大器 60Coγ辐照剂量率效应

来源： cnki会议评论

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双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究

固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 471-476页

作者：任迪远陆妩余学锋郭旗艾尔肯中科院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运... 详细信息

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。

关键词：双极晶体管双极运算放大器 ^60Coγ辐照剂量率效应

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线性集成电路

系统工程与电子技术 1982年第7期 64-66页

作者： Robert Bernhard ,王永平

在过去一年中,线性集成电路在四个领域内对于改善噪声特性、分辨力和速度以及降低功耗方面有令人鼓舞的进步。这四个领域是: 1.系统级数据转换器。现在的片子上有过去不能集成在片子上的元件。这些元件

关键词：模数转换器单片电工仪表变换器微伏双极运算放大器快速转换器薄膜电阻器非线绕电阻器梯形网络寄存器微处理机噪声电压

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试试你的集成电路知识

微电子学与计算机 1982年第3期 57-58页

作者：周继武

了解各种集成电路的制造方法是有效地设计集成电路装置的关键。技术在日新月异,你必须熟悉每项技术的长处与不足。下列问题可以检查出你的知识水平。先看懂问题,再从后面的几种答案中挑选你认为是正确的答案(注意,对一个问题的回答可能... 详细信息

了解各种集成电路的制造方法是有效地设计集成电路装置的关键。技术在日新月异,你必须熟悉每项技术的长处与不足。下列问题可以检查出你的知识水平。先看懂问题,再从后面的几种答案中挑选你认为是正确的答案(注意,对一个问题的回答可能有多种答案),每题1分,但问题2和9分别为2分和3分,所以满分为13分。如你得满分,则值得庆贺;若只有7—9分,则水平一般;若不到4分,就表示水平很低,得下苦功夫。

关键词：磁泡常规片上芯片功能 MOS 器件双极运算放大器存取时间集成电路制造工艺大园大容量存储器