检索结果-南通市图书馆

常熟高专学报 2004年第4期18卷 31-33页

作者：徐惠钢郭文华常熟理工学院物理系江苏常熟215500

为分析双极性晶体管放大电路而引入的众多双极性晶体管等效模型加重了初学者负担。本文介绍了一种从双极性晶体管物理结构出发推导出高频低频等效电路以简化分析手段、突出教学目的的教学尝试,同时利用仿真软件的辅助分析加深初学者对... 详细信息

为分析双极性晶体管放大电路而引入的众多双极性晶体管等效模型加重了初学者负担。本文介绍了一种从双极性晶体管物理结构出发推导出高频低频等效电路以简化分析手段、突出教学目的的教学尝试,同时利用仿真软件的辅助分析加深初学者对工程近似概念的理解。

关键词：双极性晶体管等效电路放大电路低频高频物理结构仿真软件初学者教学尝试教学实践

具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管

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世界电子元器件 2012年第6期 40-41页

作者： Martin Domeij 飞兆半导体

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接... 详细信息

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。

关键词：双极性晶体管快速开关碳化硅电力电子设备低功率损耗能源效率功率半导体半导体器件

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超高频低噪声双极性晶体管

现代雷达 1979年第3期 21-21页

据日本“NEC新闻”1977年11月报导:日本NEC公司研制了一种低噪声超高频双极性晶体管,型号是NE644和NE645。它具有高的复制率和可靠性,以及大的动态范围。这种晶体管的恃点是,它可以在大的集电极电流范围下保持低噪声电平。它们的工作频... 详细信息

据日本“NEC新闻”1977年11月报导:日本NEC公司研制了一种低噪声超高频双极性晶体管,型号是NE644和NE645。它具有高的复制率和可靠性,以及大的动态范围。这种晶体管的恃点是,它可以在大的集电极电流范围下保持低噪声电平。它们的工作频段为0.5～6千兆赫。

关键词：低噪声超高频厘米波(10厘米-1厘米) 微波频率双极性晶体管

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绝缘门双极性晶体管及其应用

机械制造与自动化 1992年第1期7卷 36-39页

作者：谢少军严仰光

A multihalogenation strategy for ambipolar transistors and high-gain inverters with good noise margin

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Science Bulletin 2022年第18期67卷 1849-1853,M0003页

作者： Jie Yang Xueli Yang Jinyang Chen Zhiyuan Zhao Yaqian Jiang Mingliang Zhu Junyu Li Kai Chi Shuai Wang Yunlong Guo Yunqi Liu Beijing National Laboratory for Molecular Sciences Key Laboratory of Organic SolidsInstitute of Chemistry Chinese Academy of SciencesBeijing 100190China School of Chemistry and Chemical Engineering Huazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China

Inorganic electronics are mainly based on complementary metal–oxide-semiconductor(CMOS)structures that use both ptype and n-type *** complementary structures have promoted the achievement of logic circuits with low power consumption and good noise margin(NM).Compared with inorganic semiconductors,organic solution-processable ambipolar polymers are promising materials for complementary technology[1,2].Ambipolar polymers as single-component semiconductors in CMOS-like circuits maintain the attraction of low cost and easy fabrication[3].In practical application,CMOS-like circuits are expected to employ ambipolar field-effect transistor(FET)based inverters with high gain and good NM[4].However,high-gain inverters with good NM(Table S1 online)are difficult to achieve due to the lack of ambipolar polymers with balanced hole/electron mobilities(lh/le)and threshold *** polymers can be obtained by fine-tuning both the highest occupied molecular orbital(HOMO)and lowest unoccupied molecular orbital(LUMO)levels to match well with work function of Au electrodes(WF,4.7–5.2 eV)[5](Fig.S1a online).However,most polymers based on common acceptors only display unipolar(p-type or n-type)transport due to their wide bandgaps(>1.2 eV)and inappropriate energy levels[6].For example,isoindigo-based polymers generally show p-type semiconducting behaviors owing to their high-lying LUMO levels,which is unfavorable for electron injection(Fig.S1b online).

关键词：双极性晶体管反相器阈值电压电子迁移率半导体性能逻辑电路半导体聚合物噪声容限

HBT中基区内建电场的物理机制及其理论分析

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固体电子学研究与进展 1999年第3期19卷 254-259页

作者：孔德义魏同立李垚聂卫东东南大学微电子中心南京210096

计算了具有线性Ｇｅ分布的ＳｉＧｅ基区价带有效态密度和空穴浓度的分布，分析了基区内建电场的物理机制，分别采用Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ统计和ＦｅｒｍｉＤｉｒａｃ统计给出了内建电场分布的表达式并进行了计算。

关键词：线性锗分布电场 HBT 双极性晶体管

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绝缘栅双极晶体管模块过电应力的研究

电力电子技术 1998年第2期32卷 87-89页

作者：吴武臣张华董利民 P.Jacob 北京工业大学苏黎世工业大学

通过频率试验和阻断电压试验，研究了过电应力对ＩＧＢＴ模块的影响；利用扫描电镜（ＳＥＭ）和液晶（ＬＣ）技术，对失效模块的失效机理进行了分析；报道了试验结果及失效分析结果。

关键词： IGBT 双极性晶体管模块过电应力

采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器

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中国电机工程学报 2007年第31期27卷 110-114页

作者：肖华锋谢少军南京航空航天大学自动化学院江苏省南京市210016

电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖... 详细信息

电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖峰和有效减小谐振电流峰值。该文详细分析了这种新型变换器的工作原理和特性,并在一个600W的原理样机上进行验证,最后给出试验结果。

关键词：电流源型半桥变换器零电流开关逆阻型绝缘栅双极性晶体管

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晶体管直流埃-莫模型参数的讨论

半导体技术 1990年第3期6卷 59-61页

作者：钟雨乐暨南大学电子工程系

本文给出了晶体管直流埃-莫模型参数物理意义的一种简明讨论方法,回避了繁琐的数学推导,而突出了参数的物理本质。

关键词：双极性晶体管直流埃-莫模型参数

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距离选通成像系统中短脉冲激光驱动技术研究

中国光学（中英文） 2023年第3期16卷 567-577页

作者：王翀杨嘉皓朱炳利韩江浩党文斌西安邮电大学电子工程学院陕西西安710121 中国科学院西安光学精密机械研究所、中国科学院超快诊断技术重点实验室陕西西安710119

基于单光子探测的距离选通成像系统中,需发射短脉冲激光并进行发射器和接收器之间的同步控制,使探测器工作在光子计数模式并在时间上进行积分,以完成成像操作。为了获得满足系统要求的短脉冲激光,同时减小系统体积、降低系统成本,本文... 详细信息

基于单光子探测的距离选通成像系统中,需发射短脉冲激光并进行发射器和接收器之间的同步控制,使探测器工作在光子计数模式并在时间上进行积分,以完成成像操作。为了获得满足系统要求的短脉冲激光,同时减小系统体积、降低系统成本,本文提出将基于射频双极晶体管和基于阶跃恢复二极管SRD(结合短路传输线)两种产生窄脉冲电路应用于单光子距离选通成像系统。介绍了二者的原理与设计方法,进行了仿真验证、实物制作及测试,对脉冲发生器的特点、影响脉宽幅值的因素进行了分析。实物测试结果表明,基于晶体管方式可以产生上升时间为903.5 ps、下降时间为946.1 ps、脉冲宽度为824 ps、幅度为2.46 V的窄脉冲。基于SRD方式可以产生上升时间为456.8 ps、下降时间为458.3 ps、脉冲宽度为1.5 ns、幅度为2.38 V的窄脉冲,二者重复频率皆可达到50 MHz。利用这两种设计方法的任何一种配合外部电流驱动激光二极管都能够获得性能优良的短脉冲激光输出。

关键词：距离选通成像双极性晶体管阶跃恢复二极管(SRD) 短脉冲激光