检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体辅助原子层沉积氧化铝薄膜的研究

高电压技术 2012年第7期38卷 1731-1735页

作者：桑利军赵桥桥胡朝丽李兴存雷雯雯陈强北京印刷学院等离子体物理及材料研究室北京102600 国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心北京100190

为在室温条件下进行氧化铝薄膜的原子层沉积,自行设计了一套微波回旋共振等离子体辅助原子层沉积装置,以三甲基铝作为铝源前躯体,氧气作为氧化剂,在室温下于氢氟酸溶液中处理过的单晶硅基片上进行了氧化铝薄膜的沉积。利用扫描电子显微... 详细信息

为在室温条件下进行氧化铝薄膜的原子层沉积,自行设计了一套微波回旋共振等离子体辅助原子层沉积装置,以三甲基铝作为铝源前躯体,氧气作为氧化剂,在室温下于氢氟酸溶液中处理过的单晶硅基片上进行了氧化铝薄膜的沉积。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜、X-ray射线衍射、X-ray射线光电子能谱等分析手段测试了薄膜的表面形貌和成分,结果表明制备的氧化铝薄膜为非晶态结构,铝、氧元素含量配比接近2/3,同时薄膜表面非常光滑平整而且致密,表面粗糙度沉积速率为0.27nm/周期,沉积速率较热沉积大大提高。

关键词：电子回旋共振等离子体三甲基铝(TMA) 原子层沉积表面形貌氧化铝沉积速率

Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高等学校化学学报 2009年第11期30卷 2279-2283页

作者：任杰周广芬郭子成张卫河北科技大学理学院石家庄050018 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟... 详细信息

采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现,TaC l5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应.另外,从能量上看,H2O的"半反应"不容易向生成产物的方向进行.

关键词：密度泛函理论原子层沉积氧化钽

原子层沉积制备FeOx/ZSM-5催化剂及其甲烷液相氧化性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

天然气化工—C1化学与化工 2020年第4期45卷 7-12页

作者：翟黎明张斌梁浩杰武慧斌覃勇中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室山西太原030001 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

利用原子层沉积(ALD)技术将FeOx沉积在ZSM-5沸石上制备出FeOx/ZSM-5催化剂,并考察了FeOxALD循环数对催化剂的过氧化氢液相氧化甲烷性能的影响。ICP分析结果表明,Fe的负载量随着FeOx ALD循环数的增加而线性增加,Fe沉积速度为0.015%(质量... 详细信息

利用原子层沉积(ALD)技术将FeOx沉积在ZSM-5沸石上制备出FeOx/ZSM-5催化剂,并考察了FeOxALD循环数对催化剂的过氧化氢液相氧化甲烷性能的影响。ICP分析结果表明,Fe的负载量随着FeOx ALD循环数的增加而线性增加,Fe沉积速度为0.015%(质量分数)每循环。FeOx ALD循环数与甲烷液相氧化活性呈现火山形关系,FeOx循环数为30时,性能达到最优,甲烷转化率为2.27%,水相中C1有机物选择性96%以上,甲醇/甲酸摩尔比达到15。此外,甲烷转化的TOF值则随FeOx负载量的降低而增加,10循环时TOF值最高,达到809.5 h^-1。由TEM、ICP、XRD、IR和XPS等表征可知,Fe物种的价态、ZSM-5的骨架结构不受ALD循环数的影响,而骨架Fe的比例随循环数提高逐渐降低。低循环时FeOx与表面硅羟基化学键合,形成高活性Fe^3+-O-Si物种,有利于甲烷的转化制甲醇。

关键词：原子层沉积甲烷液相氧化催化剂制备 FeOx/ZSM-5 甲醇

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子层沉积技术及其创新运用

纳米技术与精密工程 2014年第5期12卷 328-333页

作者：施云波于明岩饶志鹏赵士瑞哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院测控技术与仪器黑龙江省高校重点实验室哈尔滨150080 中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition,PEALD)技术的优势及常见运用.相对于传统ALD系统,PEALD最大的特点在于其... 详细信息

本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition,PEALD)技术的优势及常见运用.相对于传统ALD系统,PEALD最大的特点在于其能够通过等离子体放电来活化前驱体源,提高对前驱体源,尤其是气态源的利用.利用PEALD这一特点可以增加传统ALD技术中可用氮源的种类.同时PEALD原位掺杂作为一种掺杂方法能够用于对光催化材料的掺杂改性,提高其光催化性能.此外,PEALD技术还适用于温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积,可以获得更低的电阻率和更高的薄膜密度等.本文重点介绍了本课题组提出的PEALD原位掺杂技术及其对TiO2光催化剂的掺杂改性运用.最后对原位掺杂技术的研究方向和发展进行了展望.

关键词：原子层沉积等离子体增强型原子层沉积原位掺杂 TiO2-xNx

原子层沉积法制备TiO2/碳复合纳米管负载的Pt基催化剂

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

石油化工 2020年第9期49卷 831-835页

作者：王眉花李岩高新丽刘翠荣刘夏瑜太原科技大学材料科学与工程学院分析测试中心山西太原030001

以碳纳米管为模板,使用原子层沉积技术在碳纳米管表面依次沉积氧化钛薄膜和Pt纳米粒子,制备了氧化钛纳米管负载的Pt基催化剂,采用TEM,XRD,XPS,ICP-AES等分析手段对制备的Pt基催化剂进行表征,考察了Pt基催化剂的对硝基苯酚加氢反应活性... 详细信息

以碳纳米管为模板,使用原子层沉积技术在碳纳米管表面依次沉积氧化钛薄膜和Pt纳米粒子,制备了氧化钛纳米管负载的Pt基催化剂,采用TEM,XRD,XPS,ICP-AES等分析手段对制备的Pt基催化剂进行表征,考察了Pt基催化剂的对硝基苯酚加氢反应活性。实验结果表明,原子层沉积技术可制备高效的TiO2载体负载的Pt基催化剂,由于Pt与载体TiO2之间存在相互作用,负载在氧化钛纳米管外壁的Pt基催化剂,相比于单纯负载在碳纳米管外壁的Pt催化剂,对硝基苯酚加氢反应活性得到较大提升。

关键词：原子层沉积二氧化钛 Pt催化剂对硝基苯酚加氢

原子层沉积Al_2O_3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报 2013年第8期27卷 40-43页

作者：李想颜钟惠刘阳辉竺立强湖南大学物理与微电子科学学院微纳光电教育部重点实验室长沙410082 中国科学院宁波材料技术与工程研究院宁波315201

以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(X... 详细信息

以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理。结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7cm/s,表面钝化效果显著。

关键词：太阳能电池晶体硅钝化原子层沉积 Al2O3薄膜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展

表面技术 2015年第2期44卷 60-67页

作者：李惠琴陈晓勇王成穆继亮许卓杨杰丑修建薛晨阳刘俊中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051 中北大学电子测试技术重点实验室太原030051

原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。... 详细信息

原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。

关键词：原子层沉积薄膜技术高深宽比结构纳米多孔结构微纳结构器件

原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2016年第2期36卷 106-110页

作者：黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系江苏无锡214122

基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,... 详细信息

基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。

关键词： Al2O3/n-GaN 原子层沉积背入射紫外光照电容特性界面态分布

原子层沉积氧化锌应用于铜铟镓硒太阳能电池缓冲层的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报 2013年第12期27卷 27-30页

作者：廖荣张海燕谢佳亮杨铁铮罗文中胡伟广东工业大学材料与能源学院广州510090 华南理工大学电子与信息学院广州510641

用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60nm之间;测得的ZnO薄膜厚度仅50nm,符合缓冲层要求;薄膜... 详细信息

用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60nm之间;测得的ZnO薄膜厚度仅50nm,符合缓冲层要求;薄膜在可见光区域透射率达90%以上;使用原子层沉积氧化锌薄膜作铜铟镓硒太阳能电池的缓冲层,TEM显示氧化锌层完好、致密地覆盖在CIGS层上,电池的光电转换效率较高,完全可以替代有毒的CdS作缓冲层。

关键词：原子层沉积氧化锌薄膜铜铟镓硒太阳能电池缓冲层