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压延铜箔用富氧铜母材制备技术

压延铜箔用富氧铜母材制备技术

一种解决压延铜箔电镀后表面粗糙问题的微蚀液

第二十四届中国覆铜板技术研讨会

作者：王亚超佟庆平陈宾朱鹏中色正锐(山东)铜业有限公司

本文介绍了高端压延铜箔用富氧铜母材的关键制备技术。主要分析氧在铜中的固溶状态,优化熔炼铸造工艺,研究氧含量控制手段及范围。分析杂质元素对铜箔母材导电性及导热性等性能的影响,研究铸坯中夹杂缺陷的控制技术。优化有氧铜铜箔母... 详细信息

本文介绍了高端压延铜箔用富氧铜母材的关键制备技术。主要分析氧在铜中的固溶状态,优化熔炼铸造工艺,研究氧含量控制手段及范围。分析杂质元素对铜箔母材导电性及导热性等性能的影响,研究铸坯中夹杂缺陷的控制技术。优化有氧铜铜箔母材加工工艺,合理匹配了冷加工工艺与热处理工艺参数,从而保证高性能压延铜箔母材的各种性能指标及表面质量。

关键词：压延铜箔母材固溶杂质元素微观组织结构晶粒度

来源： cnki会议评论

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印制电路信息 2024年第S1期32卷 210-215页

作者：邵永存李晓红宣宇娜章晓冬刘江波广东天承科技股份有限公司广东广州511300 上海天承化学有限公司上海201500

压延铜箔是通过对铜锭的反复轧制-退火工艺而成的,其铜原子呈不规则层状结晶,导致压延铜箔在后续的电镀铜过程中容易产生表面粗糙的问题。压延铜箔通常用于挠性线路板,线路表面越粗糙,则电阻越大,相应的信号延迟越大,信号质量越差。本... 详细信息

压延铜箔是通过对铜锭的反复轧制-退火工艺而成的,其铜原子呈不规则层状结晶,导致压延铜箔在后续的电镀铜过程中容易产生表面粗糙的问题。压延铜箔通常用于挠性线路板,线路表面越粗糙,则电阻越大,相应的信号延迟越大,信号质量越差。本文研制了一种用于化学镀铜前处理工艺的微蚀液,改变压延铜箔的表面形貌,提高电镀后铜箔表面平整度,形成的表面粗糙度(Ra)低于50 nm,表面轮廓最大高度(Rz)低于200 nm,为后续工艺打下良好基础。

关键词：压延铜箔挠性线路板粗糙度微蚀液

压延铜箔轧制压下率与组织织构和耐弯折性能的关系

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材料研究学报 2014年第4期28卷 241-247页

作者：刘雪峰李晶琨汪汐涌谢建新北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 北京科技大学现代交通金属材料与加工技术北京实验室北京100083 北京科技大学材料先进制备技术教育部重点实验室北京100083

采用退火态轧制铜带为原料,进行不同压下率的箔轧,研究箔轧压下率与铜箔组织织构及耐弯折性能的关系,并探讨其机理。结果表明,铜箔微观组织由沿轧制方向被拉长的扁平状晶粒组成,相邻晶界间距平均值随着箔轧压下率增大而显著减小;当箔轧... 详细信息

采用退火态轧制铜带为原料,进行不同压下率的箔轧,研究箔轧压下率与铜箔组织织构及耐弯折性能的关系,并探讨其机理。结果表明,铜箔微观组织由沿轧制方向被拉长的扁平状晶粒组成,相邻晶界间距平均值随着箔轧压下率增大而显著减小;当箔轧压下率为90.7%时,铜箔相邻晶界间距平均值仅为0.52μm。铜箔轧制织构以铜型、S型和黄铜型织构为主。随着压下率的增大,轧制织构整体强度增大,取向不断集中。当箔轧压下率为90.7%时,铜箔的耐弯折性能最好,疲劳寿命可超过300次。大的箔轧压下率使得铜箔的晶粒尺寸更薄及取向更集中是铜箔耐弯折性能提高的根本原因。

关键词：金属材料压延铜箔轧制压下率组织织构耐弯折性能机理

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覆铜板用3oz压延厚铜箔产品性能研究

覆铜板用3oz压延厚铜箔产品性能研究

第二十四届中国覆铜板技术研讨会

作者：徐千惠罗辉俞俊潘建锋陈盈州谷长栋浙江花园新能源股份有限公司浙江大学材料科学与工程学院

铜箔作为覆铜板(CCL)关键原材料之一,其品质优劣对印制电路板(PCB)的制作工艺和可靠性有着重要作用。本文基于PCB用厚铜箔应用痛点出发,通过对比3oz压延铜箔和电解铜箔的基础物性和性能,探讨了压延厚铜箔特点及优缺点,最后介绍了浙江花... 详细信息

铜箔作为覆铜板(CCL)关键原材料之一,其品质优劣对印制电路板(PCB)的制作工艺和可靠性有着重要作用。本文基于PCB用厚铜箔应用痛点出发,通过对比3oz压延铜箔和电解铜箔的基础物性和性能,探讨了压延厚铜箔特点及优缺点,最后介绍了浙江花园新能源压延厚铜箔的独特优势。

关键词：压延铜箔厚铜箔 CCL PCB

来源： cnki会议评论

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压延铜箔板形控制实用技术研究

中国材料进展 2019年第5期38卷 512-516页

作者：赵天胜陈宾贺玲慧中色奥博特铜铝业有限公司

随着生产技术的不断进步以及对产品质量要求越来越高,用户对压延铜箔的表面质量和板形要求日益严格。针对压延铜箔在X型六辊箔轧机轧制过程中出现的严重板形问题,以宽度630mm、厚度18μm的紫铜箔轧制过程为例,着重分析了加工道次、张力... 详细信息

随着生产技术的不断进步以及对产品质量要求越来越高,用户对压延铜箔的表面质量和板形要求日益严格。针对压延铜箔在X型六辊箔轧机轧制过程中出现的严重板形问题,以宽度630mm、厚度18μm的紫铜箔轧制过程为例,着重分析了加工道次、张力控制以及支撑辊辊型对双肋浪、双边浪、中间浪等板形问题的影响,并提出了相应的解决方案。结果表明:①在总加工率不变的情况下,减少加工道次,可以增加每道次产生的变形热,有利于残余应力的释放,进而改善板形;②适当的加大张力,并调节入口张力与出口张力相等,可以有效地对板形进行调节;③设置支撑辊总凸度值为0.3mm以及磨削支撑辊二级辊型均可有效改善板形。

关键词：压延铜箔 X型轧机板形轧制道次张力辊型

电子压延铜箔轧制油的研制及其润滑性能的研究

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石油炼制与化工 2016年第11期47卷 102-107页

作者：徐阳孙建林严旭东熊桑北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

以多种直链醇、酯和新型磷酸胺以及唑类缓蚀剂为主要添加剂研制新一代电子级铜箔轧制油CFCO。在实验室对该轧制油的摩擦学性能及抗腐蚀能力进行研究,并在工业轧机上进行冷轧润滑试验考察油品的润滑性能。结果表明:CFCO铜箔轧制油与国外... 详细信息

以多种直链醇、酯和新型磷酸胺以及唑类缓蚀剂为主要添加剂研制新一代电子级铜箔轧制油CFCO。在实验室对该轧制油的摩擦学性能及抗腐蚀能力进行研究,并在工业轧机上进行冷轧润滑试验考察油品的润滑性能。结果表明:CFCO铜箔轧制油与国外油品性能相当,具有优异的摩擦学性能,显著降低表面粗糙度,增大表面形貌的均匀性;同时具有良好的缓蚀防锈性能,有利于解决轧后板面氧化变色问题,提高产品表面质量。

关键词：压延铜箔轧制油摩擦磨损缓蚀

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基于专利角度的全球压延铜箔关键技术分析

电镀与涂饰 2018年第19期37卷 906-912页

作者：王艳妮靳军宝白光祖吴新年郑玉荣王鑫中国科学院兰州文献情报中心甘肃兰州730000 甘肃省高级专家协会甘肃兰州730000 中国科学院大学北京100049

基于德温特创新索引国际专利数据库(DII),利用TDA等主流文献情报分析工具,研究了全球范围内压延铜箔专利技术研发态势,包括专利申请的整体态势、重点技术布局、主要研发国家、主要研发机构及其技术布局、核心专利技术等,全面揭示了压延... 详细信息

基于德温特创新索引国际专利数据库(DII),利用TDA等主流文献情报分析工具,研究了全球范围内压延铜箔专利技术研发态势,包括专利申请的整体态势、重点技术布局、主要研发国家、主要研发机构及其技术布局、核心专利技术等,全面揭示了压延铜箔领域的技术创新现状和发展趋势。结果表明,压延铜箔领域技术专利及核心专利产出国主要为日本和中国等国家,主要研发技术点集中在印刷电路板用压延铜箔的制备、覆铜板的制备,以及热处理法优化轧制铜箔晶粒取向等方面。在分析比较中日专利技术研发及布局的基础上,提出了我国压延铜箔发展的对策建议。

关键词：压延铜箔核心专利技术布局国际专利分类

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镀层结构对压延铜箔表面颜色的影响

电镀与涂饰 2021年第5期40卷 352-357页

作者：王佳兴刘新宽李楚方乔亚峰上海理工大学材料科学与工程学院上海200093 中铝华中铜业有限公司湖北黄石435000

采取无氰电镀技术使压延铜箔表面黑化,镀液配方为:硫酸镍40~60 g/L,柠檬酸钠20~30 g/L,硼酸30~50 g/L,硫酸铵5~15 g/L,表面活性添加剂5~15 g/L。从扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对镀层表面与横截面形貌的观察发现,晶粒间距和晶粒高度对... 详细信息

采取无氰电镀技术使压延铜箔表面黑化,镀液配方为:硫酸镍40~60 g/L,柠檬酸钠20~30 g/L,硼酸30~50 g/L,硫酸铵5~15 g/L,表面活性添加剂5~15 g/L。从扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对镀层表面与横截面形貌的观察发现,晶粒间距和晶粒高度对镀层颜色有决定性影响。当晶粒间距超过0.7μm,同时晶粒高度超过0.8μm时,镀层会变黑。能谱(EDS)分析证实黑化镀层表面不含有任何硫化物,说明镀层并非物质致黑,而是由于形成了“光陷阱”结构而发黑。

关键词：压延铜箔电镀镍黑化晶粒结构光陷阱机理

Cl^-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响

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矿冶工程 2018年第2期38卷 119-123,127页

作者：朱思哲谭澄宇刘晨王芝秀中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083 常州大学省材料表面科学与技术重点实验室江苏常州213164

采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO_4+70 g/L H_2SO_4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl^-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3^-0.1 V_... 详细信息

采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO_4+70 g/L H_2SO_4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl^-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3^-0.1 V_(SCE))下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6^-0.4 V_(SCE))下,Cl^-则阻碍铜的结晶沉积。通过扫描电镜还观察了Cl^-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl^-在铜电结晶过程中的作用机理。

关键词：表面处理粗化处理氯离子电结晶镀层形貌压延铜箔