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单粒子薛定谔液体和形变核的转动惯量(英文)

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高能物理与核物理 2002年第8期26卷 836-842页

作者： S.B.Doma Mathematics Department Alexandria University

将单粒子薛定谔液体理论应用于轴对称形变核的集体运动 .也给出了一个相反的例子 ,即在各向异性谐振子势中处于稳定形变的任意数目的独立核子 .而且 ,通过填充与主量子数nx,ny 和nz 的可能值相应的单粒子态来构成s d壳偶偶核 :2 0 Ne,2 ... 详细信息

将单粒子薛定谔液体理论应用于轴对称形变核的集体运动 .也给出了一个相反的例子 ,即在各向异性谐振子势中处于稳定形变的任意数目的独立核子 .而且 ,通过填充与主量子数nx,ny 和nz 的可能值相应的单粒子态来构成s d壳偶偶核 :2 0 Ne,2 4 Mg,2 8Si,32 S和36 Ar的基态 ,并计算了作为谐振子参数hωx,hωy和hωz 的函数的这些核的推转模型、刚体模型和稳态模型转动惯量 .这些谐振子参数用与质量数A、中子数N、质子数Z和形变参数β有关的非形变参数hω00来描述 .这些核的推转模型转动惯量的理论计算结果与实验数据符合甚好 .而且 ,所考虑的轴对称形变核可能是扁椭球形的 ,也可能不是扁椭球形的 ,其中2 4 Mg是惟一高度形变的 .2 0 Ne和2 4 Mg这两个核的刚体模型和稳态模型转动惯量也与实验数据符合甚好 .

关键词：单粒子薛定谔液体形变核转动惯量刚体模型稳态模型

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单粒子微束辐照装置的束流光学计算

核技术 2011年第3期34卷 169-174页

作者：柳岸王旭飞李嘉庆张杰雄王建中何志江张伟张斌施立群邵春林复旦大学核科学与技术系现代物理研究所离子束应用物理教育部重点实验室上海200433 复旦大学放射医学研究所上海200032

利用束流光学计算程序TRANSPORT和TURTLE对基于2×3MV串列静电加速器的单粒子微束细胞精确照射装置的束流传输光学进行了一阶近似计算,得到了包括束流包络、束流相图、束斑大小及束流发散程度的相关数据。计算结果表明,对于能量1.5MeV,... 详细信息

利用束流光学计算程序TRANSPORT和TURTLE对基于2×3MV串列静电加速器的单粒子微束细胞精确照射装置的束流传输光学进行了一阶近似计算,得到了包括束流包络、束流相图、束斑大小及束流发散程度的相关数据。计算结果表明,对于能量1.5MeV,经2mm×2mm狭缝入射且初始发散角x'～y'≤3mrad的典型质子束流,通过优化光学元件的参数,在束线末端可获得束径x单粒子微束所需的束流品质。计算结果为束线系统优化和束流调试工作提供了必要的参考依据。

关键词：微束单粒子束流光学 TRANSPORT TURTLE

同位素气溶胶加入法ICP-MS在线分析单粒子中的铀总量

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原子能科学技术 2010年第3期44卷 272-277页

作者：粟永阳李志明周国庆翟利华徐江黄能斌曾实朱凤蓉清华大学工程物理系北京300084 西北核技术研究所陕西西安710024

本研究发展了一种ICP-MS同位素气溶胶加入法,可实时标定仪器灵敏度,对气溶胶粒子进行在线定量分析。介绍了同位素气溶胶加入法的原理和参数测量方法,并应用该方法对人工发生的天然铀单粒子中的铀总量进行在线分析,考察方法的可行性。实... 详细信息

本研究发展了一种ICP-MS同位素气溶胶加入法,可实时标定仪器灵敏度,对气溶胶粒子进行在线定量分析。介绍了同位素气溶胶加入法的原理和参数测量方法,并应用该方法对人工发生的天然铀单粒子中的铀总量进行在线分析,考察方法的可行性。实验结果表明,该方法测得的单粒子中238U原子数的精度为5.6%,比气溶胶发生器给出的计算结果偏大19%,讨论了偏差的可能主要来源。

关键词： ICP-MS 同位素气溶胶加入法在线定量分析天然铀单粒子

n沟VDMOSFET单粒子烧毁的二维数值模拟

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核电子学与探测技术 2004年第6期24卷 608-611页

作者：郭红霞陈雨生张义门王伟赵金龙周辉西北核技术研究所西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

应用半导体器件二维模拟软件Medici对功率MOSFET器件单粒子烧毁SEB(Single EventBurnout)效应开展了理论模拟研究。理论模拟与以往的实验结果比较吻合,证明采取的物理模型的正确性。得到了SEB灵敏度与载流子浓度、基区宽度和发射结掺杂... 详细信息

应用半导体器件二维模拟软件Medici对功率MOSFET器件单粒子烧毁SEB(Single EventBurnout)效应开展了理论模拟研究。理论模拟与以往的实验结果比较吻合,证明采取的物理模型的正确性。得到了SEB灵敏度与载流子浓度、基区宽度和发射结掺杂浓度等参数的变化关系,提出了改善SEB的几种加固措施。该模型对于评估器件SEB效应提供了理论方法。

关键词： VDMOSFET 二维数值模拟发射结基区功率MOSFET 半导体器件理论模拟单粒子变化关系证明

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PDSOI SRAM单元的单粒子加固方法

核电子学与探测技术 2008年第6期28卷 1181-1185页

作者：杨毅尹常永吴春瑜辽宁大学物理系沈阳工程学院自动控制工程系

通过MEDICI的二维器件模拟,提出不仅在正栅下的体区受到单粒子入射后释放电荷,漏极也可以在受到单粒子入射后释放干扰电荷。对SOI SRAM单元中器件的漏极掺杂浓度进行优化,可以减小漏极受到单粒子入射所释放的电荷。改进了SOI SRAM的单... 详细信息

通过MEDICI的二维器件模拟,提出不仅在正栅下的体区受到单粒子入射后释放电荷,漏极也可以在受到单粒子入射后释放干扰电荷。对SOI SRAM单元中器件的漏极掺杂浓度进行优化,可以减小漏极受到单粒子入射所释放的电荷。改进了SOI SRAM的单元结构,可以提高SRAM抗单粒子翻转(SEU)的能力。

关键词：单粒子 SOI 静态随机存储器加固

MOSFET功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量

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