检索结果-南通市图书馆

中国机械工程 2005年第Z1期16卷 243-244页

作者：严捷廖小平朱健陈洁东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 南京电子器件研究所南京210016

利用Ku-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种Ku-波段MEMS单刀双掷膜开关.模拟结果为阈值电压19V左右,工作于Ku-波段(8～12)GHz,在中心频率15GHz处,导通开关的插入损耗为-0.15dB,截止开关的隔离度为-33dB,开关的回波损耗... 详细信息

利用Ku-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种Ku-波段MEMS单刀双掷膜开关.模拟结果为阈值电压19V左右,工作于Ku-波段(8～12)GHz,在中心频率15GHz处,导通开关的插入损耗为-0.15dB,截止开关的隔离度为-33dB,开关的回波损耗为-27dB.

关键词： MEMS 单刀双掷开关 MEMS膜开关插入损耗隔离度回波损耗

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一种X波段GaAs单片单刀双掷开关

固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 198-201页

作者：李芹王志功夏春晓熊明珍东南大学射频和光电集成电路研究所南京210096

采用0.2μmGaAsPHEMT工艺设计了一种X波段单刀双掷开关单片集成电路。在片测试结果为8～11GHz范围内,隔离度>30dB,在中心频率9.5GHz能够达到45dB,插损<1.2dB。芯片结构非常简单紧凑,仅用了两个并联的PHEMT管。

关键词：单刀双掷开关单片微波集成电路插损隔离度

基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计

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固体电子学研究与进展 2018年第4期38卷 262-267+273页

作者：韦俞鸿黄冰孙晓玮张润曦张健中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室中国科学院大学华东师范大学微电子电路与系统研究所杭州电子科技大学

提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,... 详细信息

提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC;4GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25;5GHz的插入损耗为2.5;.2dB,隔离度大于19dB。

关键词：单刀双掷开关超宽带 45nm绝缘体上硅负体偏置

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X-波段MEMS单刀双掷开关的研究

电子器件 2006年第1期29卷 92-94页

作者：严捷廖小平朱健东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 南京电子器件研究所南京210016

利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-... 详细信息

利用X波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19V左右,工作频率为8～12GHz,在中心频率(10GHz)处,导通开关的插入损耗为-0.2dB,截止开关的隔离度为-21dB,开关的回波损耗为-43dB。

关键词： MEMS 单刀双掷开关 MEMS 膜开关插入损耗隔离度回波损耗

GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片

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固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 37-41页

作者：蒋东铭陈新宇杨立杰黄子乾南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016

采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34d... 详细信息

采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。

关键词：毫米波砷化镓 PIN二极管单刀双掷开关微波单片集成电路

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8～18GHz PIN管单刀双掷开关

固体电子学研究与进展 1989年第4期 2-494页

一种L~E波段的混合型射频MEMS单刀双掷开关设计

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微电子学 2023年第1期53卷 146-152页

作者：李晓琪湛永鑫潘长凯吴倩楠李孟委中北大学仪器与电子学院太原030051 中北大学前沿交叉科学研究院太原030051 中北大学理学院太原030051

针对传统RF MEMS单刀双掷(SPDT)开关应用存在频段低、插入损耗高、隔离度低等问题,设计了一种混合型SPDT开关,通过在一条通路上设置接触式开关和电容式开关,实现了在L~E频段下的低插入损耗和高隔离度。通过设计蛇形上电极结构,降低了上... 详细信息

针对传统RF MEMS单刀双掷(SPDT)开关应用存在频段低、插入损耗高、隔离度低等问题,设计了一种混合型SPDT开关,通过在一条通路上设置接触式开关和电容式开关,实现了在L~E频段下的低插入损耗和高隔离度。通过设计蛇形上电极结构,降低了上电极的弹性系数,进而降低开关上电极下拉所需的驱动电压。采用HFSS仿真软件对混合型SPDT开关的射频性能参数进行了优化,并利用COMSOL对开关的蛇形上电极进行应力-位移分析。仿真结果表明,在DC~90 GHz的频段下,SPDT开关的插入损耗小于1.5 dB@90 GHz,隔离度大于52 dB@67 GHz、29 dB@90 GHz。此开关适用于无线通信系统、雷达系统和仪器测量系统等对工作频段要求高的领域内。

关键词：射频MEMS开关单刀双掷开关混合型开关蛇形上电极

基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关

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南京信息工程大学学报（自然科学版） 2021年第4期13卷 450-454页

作者：张艺张志浩章国豪广东工业大学信息工程学院广州510006

介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现... 详细信息

介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷(SPDT)开关芯片,整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明,在23~30 GHz频率范围内,该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB,隔离度大于23 dB,输入输出回波损耗均大于10 dB.

关键词：毫米波单刀双掷开关 GaAs pHEMT 低插入损耗

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毫米波单刀双掷开关的设计与制作

半导体技术 2009年第1期34卷 17-20页

作者：李富强方园高学邦吴洪江刘文杰中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模... 详细信息

以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取，建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑，开关的测试采用了微波探针在片测试系统，在18-30 GHz获得了优异的电性能，插入损耗IL≤1.5 dB，输入/输出驻波比VSWR≤1.5∶1，关断状态下的隔离度ISO≥30 dB，芯片尺寸为1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。

关键词：毫米波单刀双掷开关砷化镓赝配高电子迁移率晶体管