检索结果-南通市图书馆

南开大学学报（自然科学版） 2015年第1期48卷 73-76,84页

作者：赵二刚王艳芳张颖张红宾张维南开大学电子信息实验教学中心天津300071

研究了以单片机和FPGA为主控芯片控制DAC和ADC,并结合正弦波处理电路及峰值检测电路等,实现对运算放大器(UA741)单位增益带宽测量的方法.实测结果与器件手册提供的参数及利用仪器按照单位增益带宽的定义测得的结果基本一致.

关键词：运算放大器单位增益带宽峰值检测电路

一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器

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现代电子技术 2006年第3期29卷 68-71页

作者：朱小珍柴常春朱樟明西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反... 详细信息

设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反馈电路技术,并达到了高单位增益带宽的设计目的。基于TSMC0·25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在2·5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为70dB,单位增益带宽为500MHz。

关键词：单位增益带宽折叠共源共栅开关电容共模反馈全差分

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一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器

华中科技大学学报（自然科学版） 2005年第5期33卷 95-97页

作者：刘三清张诗娟余岳辉陈晓飞华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,... 详细信息

设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3V电源电压下,电压输出摆幅为2.7V.

关键词： CMOS 功率放大器单位增益带宽输出摆幅

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高增益四级运放频率补偿技术

浙江大学学报（工学版） 2010年第11期44卷 2137-2141页

作者：陆燕锋何乐年陈俊晓王煊浙江大学超大规模集成电路设计所浙江杭州310027

为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的... 详细信息

为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的频率补偿问题.通过将次极点向高频的推移以及次极点和单位增益带宽比例大小的合理设计,不仅保证了运放的稳定,同时增大了运放的单位增益带宽.经台积电(TSMC)0.25μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺仿真和流片测试结果显示,该四级运放仅消耗0.842mW功耗,0.150mm2的芯片面积,在3.6V电源电压下具有60.15°的相位裕度,2.42MHz的单位增益带宽,大于150dB的直流增益.

关键词：多路嵌套密勒补偿零极点抵消单位增益带宽相位裕度

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一种极低功耗运算放大器的设计与仿真

北京交通大学学报 2011年第2期35卷 72-75页

作者：骆丽蔡晓伟宫琦北京交通大学电子信息工程学院北京100044

为了满足低电压低功耗的应用需求,本文利用MOSFET在亚阈区的超低功耗特性,实现了一种带共模反馈的亚阈运算放大器.该亚阈运算放大器结构简单,采用TSMC 0.18μm工艺实现,且工作于1.2 V电源电压下.通过Synopsys Hspice仿真,结果表明,该电... 详细信息

为了满足低电压低功耗的应用需求,本文利用MOSFET在亚阈区的超低功耗特性,实现了一种带共模反馈的亚阈运算放大器.该亚阈运算放大器结构简单,采用TSMC 0.18μm工艺实现,且工作于1.2 V电源电压下.通过Synopsys Hspice仿真,结果表明,该电路在输出负载为0.5pF时直流增益为70.97 dB、单位增益带宽6.346 MHz、相位裕度85.76°、正负压摆率分别为3.58V/μs和-3.58 V/μs,功耗仅为4.80μW.

关键词：极低功耗亚阈运算放大器直流增益单位增益带宽相位裕度压摆率

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高PSRR超低噪声的LDO设计

重庆邮电大学学报（自然科学版） 2022年第6期34卷 1079-1087页

作者：王甲柱唐威姚和平西安邮电大学电子工程学院西安710121 上海电子线路智能保护工程技术研究中心上海201202 上海维安电子有限公司上海201202

便携式医疗电子设备在信号传输中易受到噪声干扰,为了抑制交流纹波对微小信号的影响,设计了一种高电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)、超低噪声的低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。利用电流缓冲和动态零极点... 详细信息

便携式医疗电子设备在信号传输中易受到噪声干扰,为了抑制交流纹波对微小信号的影响,设计了一种高电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)、超低噪声的低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。利用电流缓冲和动态零极点追踪补偿技术来实现环路的稳定,同时也扩展了环路的单位增益带宽,提高了高频下的PSRR。稳压器采用两级结构,通过预稳压调制级加低通滤波器结构来实现低压差线性稳压器的超低噪声,且低通滤波器的截止频率有利于低频下PSRR的提高。基于5 V-0.35μm CMOS工艺设计,采用cadence仿真软件进行仿真验证。仿真结果表明,在100 kHz、10 kHz、1 kHz、100 Hz频率下,PSRR分别可达到-66、-85、-96和-97 dB。在不同的负载下,输出噪声在10 Hz~100 kHz频段不超过10μVrms,重载(250 mA)时的输出噪声最低可达到7.5μVrms,可用于便携式医疗电子设备。

关键词：超低噪声高电源抑制比(PSRR) 电流缓冲动态零极点追踪补偿单位增益带宽

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一种轨对轨两级CMOS运算放大器的设计

西北大学学报（自然科学版） 2009年第6期39卷 960-963页

作者：赵武马云飞王召程卫东张志勇西北大学信息科学与技术学院陕西西安710069 西安微电子技术研究所陕西西安710054

目的设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器。方法输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨... 详细信息

目的设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器。方法输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨对轨输出级,保证了轨对轨的输出摆幅和较强的驱动能力。结果用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该放大器进行了仿真,开环电压增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到了113.57dB,11.9MHz和53,°输入级跨导的变化在±5%内。结论所设计运算放大器其输入和输出摆幅为轨对轨,满足设计所提要求。

关键词：轨对轨 AB类单位增益带宽相位裕度

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一种轨对轨CMOS运算放大器的设计

微电子学与计算机 2007年第11期24卷 124-126,130页

作者：程梦璋南通大学江苏南通226007

基于0.6μmCMOS工艺,设计了一种轨对轨运算放大器。该运算放大器采用了3.3V单电源供电,其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压,即所谓输入和输出电压范围轨对轨。该运放的小信号增益为77dB,单位增益带宽为4.32MHz,相位裕度为7... 详细信息

基于0.6μmCMOS工艺,设计了一种轨对轨运算放大器。该运算放大器采用了3.3V单电源供电,其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压,即所谓输入和输出电压范围轨对轨。该运放的小信号增益为77dB,单位增益带宽为4.32MHz,相位裕度为79°。由于电路简单,工作稳定,输入输出线性动态范围宽,非常适合于SOC芯片内集成。

关键词：轨对轨运算放大器小信号增益单位增益带宽

一种新型CMOS电流反馈运算放大器的分析与设计

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微电子学 2008年第2期38卷 284-288页

作者：杜广涛程涛王胜强陈向东西南交通大学信息科学与技术学院成都610031 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力。在1.5 V电压下,偏置约为1μA。基于BSM3 0.5μm CMO... 详细信息

通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力。在1.5 V电压下,偏置约为1μA。基于BSM3 0.5μm CMOS工艺,对电路进行了PSPICE仿真。负载为20 pF时,该电路获得了87 dB的开环增益,353 MHz的单位增益带宽,61°的相位裕度和132 dB的共模抑制比,功耗为1.24 mW。

关键词：电流反馈运算放大器单位增益带宽 CMOS 电流基准源

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一种快速瞬态响应双环路LDO稳压器的设计

微电子学 2007年第1期37卷 132-135页

作者：骞海荣邹雪城陈卫洁涂熙华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电... 详细信息

通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电容为1.0μF。负载电流从20 mA到180 mA变化时,其负载调整率仅为0.6%。

关键词：双环路LDO稳压器直流增益单位增益带宽负载调整线性调整